ГОУ ВПО «Сибирский Государственный

Университет Телекоммуникаций и Информатики»

Уральский Технический Институт Связи и Информатики (филиал)

Отчёт по электронике.

Лабораторная работа №2.

«Характеристики биполярного транзистора»

Выполнили: студенты гр. РЕ-01

Фомин С., Кулишов А.

Проверил: Иванов И. В.

Екатеринбург,2012

1. Цель работы

Экспериментальное определение вольт-амперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером при нормальной и повышенной температурах, определение параметров транзистора.

2. Схема проведения измерений

3.Таблицы с результатами измерений

Таблица 1.

tºС		IБ (мкА)	1	2	5	10	20	40	60	80	100	120
27	UКЭ = 5В	UБЭ (мВ)	463	481	504,9	523,1	541,6	560,5	571,8	580,1	586,6	591,9
	UКЭ = 0В	UБЭ (мВ)	356,6	374,6	398,3	416,2	434,1	452	462,5	470	475,7	480,5
57	UКЭ = 5В	UБЭ (мВ)	390,2	410	436,3	456,3	476,5	497,2	509,6	518,6	525,7	531,5

Таблица 2.

t ºС	UКЭ (В)		0.2	0.5	1	2	5	10	15	20
27	IБ = 10 мкА	IК мкА	521,3	536,7	539,3	544,9	561,3	588	616,4	643
	IБ = 30 мкА		1480	1523	1531	1546	1592	1668	1744	1823
	IБ = 60 мкА		2694	2770	2784	2896	3036	3176	3176	3315
	IБ = 100 мкА		4058	4172	4193	4236	4362	4572	4782	4988
	IБ = 120 мкА		4666	4798	4822	4877	5016	5258	5500	5741
57	IБ = 60 мкА	IК мкА	2635	2776	2790	2818	2903	3043	3181	3222

4.Графики входных и выходных характеристик

Входные характеристики

Выходные характеристики

5.Расчетная часть

h₁₁ = U_БЭ/I_Б [кОм]_.

h₁₁ = =0.265 кOм

R_ВХ = U_БЭ/I_Б.

R_ВХ= =58,66 кОм

h₂₂ = I_К/U_КЭ [Сим].

h₂₂ = =0.03 мкСим

r_K = 1/h₂₂ [кОм]

r_K = = 33333,3 кОм

R_i = U_КЭ/I_К [кОм]

R_i = =1786 кОм h₂₁ = I_К/I_Б [В]

h₂₁ = =35 В

h₁₂ = U_БЭ/U_КЭ

h₂₁ = =3,6 мА