2.2 Выполнение контрольной работы

Номер варианта выбирается согласно двум последним цифрам зачетной книжки или студенческого билета для студентов заочной формы обучения и согласно номеру в групповом журнале для студентов дневной формы обучения.

2.2.1 Выбрать транзистор согласно варианту из таблицы П1. Скопировать выходную коллекторную характеристику транзистора из приложения 2.

Выписать основные параметры транзистора, имеющиеся в данном указании или из справочников [5,6,7]. На ВАХ транзистора ток базы I_Б указан в микроамперах (10^–6 А), ток коллектора I_К – в мА (10^–3 А).

2.2.2 Построить характеристику передачи по току транзистора I_К = ƒ(I_Б) |При U_КЭ = const. Для этого на коллекторных характеристиках (рис. 4. б) провести вертикальную прямую U_КЭ = const = 5 В, отметить точки пересечения прямой с характеристиками I_Б = const. Эти точки спроецировать на ось тока коллектора I_К и отметить величину тока в миллиамперах. Полученные числовые значения токов занести в строки 1 и 2 таблицы 1.

По полученным значениям токов построить характеристику I_К = ƒ(I_Б) (рис. 4. а).

Таблица 1

	Точки	1	2	3	4	5	6	7
1	IБ, мкА (10-6 А)
2	IК, мА (10-3 А)
3	Uбэ, мВ (10–3 В)

2.2.3 Входная характеристика I_Б = ƒ(U_бэ) |U_кэ = const (рис. 4.в).

Характеристика строится на основании выражения 7). После преобразований получим U_БЭ = φ_T ln (I_Б/I_ЭБ0 + 1). В схеме рис. 3 не учтено объемное

9

сопротивление базы, по которому также протекает ток базы и появляется дополнительное падение напряжения. Поэтому выражение для построения входной характеристики следующее

U_БЭ = φ_T ln (I_Б/I_ЭБ0 +1) + г_б·I_Б.

Токи I_Б взять из таблицы 1, I_ЭБ0 и г_б взять из справочных данных.

Внимание. Параметр φ_т для кремниевых структур равен 0,052 В.

Вычисления значения напряжения U_БЭ производить с точностью три знака после запятой.

Полученные значения напряжения U_БЭ также записать в таблицу 1.

3. Определение h – параметров транзистора по характеристикам

На входной характеристике построить характеристический прямоугольный треугольник в районе точки I_Б4, используя те же значения токов базы, что и в пункте 2.2.2. Катеты треугольника спроецировать на соответствующие оси. Определить приращения тока ∆I_Б и напряжения ∆U_БЭ.

– Вычислить параметр h₁₁ = ∆U_БЭ/∆I_Б [Ом]. Поместить полученное значение в таблицу 2. Величина параметра h₁₁ составляет от100 до 1000 Ом.

– Определить входное сопротивление транзистора постоянному току для точки I_Б4 Rвх = U_БЭ/I_Б4 [Ом]. Rвх > h₁₁.

На характеристике I_К = f(I_Б) построить характеристический прямоугольный треугольник. Его рекомендуется строить в районе тока базы (400 – 600) мкА. Катеты треугольника спроецировать на оси тока коллектора и тока базы.

– Вычислить В = ∆I_К/∆I_Б при U_КЭ = 5 В, где ∆I_К = I_К5 – I_К4, ∆I_Б = I_Б5 – I_Б4.

– Параметр h₂₁ = В для схемы включения ОЭ. Значение параметра h₂₁ составляет от 50 до 150. Параметр В не имеет размерности.

На коллекторной характеристике также построить характеристический треугольник. Изменение U_КЭ принять между 5 и 10 Вольтами. При этом ∆U_КЭ = (10 – 5)В = 5 В. Второй катет спроецировать на ось тока коллектора и также определить ∆I^*_К.

– Вычислить параметр h₂₂ = ∆I^*_К/∆U_КЭ [Сим].

Для точки 4 (рис. 4. б) записать величину тока I_К4 и напряжение U_КЭ = 5 В.

– Вычислить сопротивление коллекторной цепи транзистора постоянному току (для точки 4)

Ri = U_КЭ/I_К4 [кОм]. Параметр h₁₂ по имеющимся характеристикам определить не представляется возможным.