Тема 2.1: Физические основы электроники. Электронные приборы.
1) На дискретных полупроводниковых приборах основана электроника
а) первого поколения
б) второго поколения
в) третьего поколения
2) В чистых полупроводниках основными носителями заряда являются
а) в одинаковой степени электроны и дырки
б) электроны
в) дырки
3) В полупроводниках p типа основными носителями заряда являются
а) в одинаковой степени электроны и дырки
б) электроны
в
)
дырки
4) На рисунке изображено условное обозначение
а) туннельного диода
б) стабилитрона
в
)
варикапа
5) На рисунке изображено условное обозначение
а) туннельного диода
б) стабилитрона
в) варикапа
6
)
На рисунке изображен транзистор
а) биполярный p-n-p типа
б) биполярный n-p-n типа
в) полевой MDП типа
7) Выводы биполярного транзистора называются
а) анод, катод, управляющий электрод
б) исток, сток, затвор
в) эмиттер, коллектор, база
8
)
На рисунке изображено условное обозначение
а) динистора
б) симмистора
в) тринистора
9) На рисунке изображена ВАХ
а) динистора
б) симмистора
в) тринистора
1
0)
На рисунке изображено условное обозначение
а) биполярного транзистора
б) полевого транзистора
в) тиристора
11) Тиристор имеет структуру:
а) n-p
б) p-n-p
в) p-i-n
г) n-p-n
д) p-n-p-n
12) Полупроводники по проводимости находятся
а) наполовину выше проводников
б) наполовину выше диэлектриков
в) между диэлектриком и проводником
г) наполовину ниже диэлектриков
д) наполовину ниже проводников
13) Для включения полупроводникового р-п перехода в прямом направлении необходимо
а) полярность внешнего источника питания изменяют на противоположную
б) положительный полюс питания соединяют с выводом от n-области, а отрицательный - с p—областью
в) изменить структуру кристаллической решетки полупроводника
г) положительный полюс источника соединяют с выводом от р-области, а отрицательный - с выводом от п-области
д) изменить полярность внутреннего источника питания
Тема 2.2: Электронные выпрямители и стабилизаторы.
1) Коэффициент передачи по току
для биполярного транзистора есть
коэффициент усиления по току транзистора
в схеме включения
а) с общей базой
б) с общим эмиттером
в) с общим коллектором
2) Коэффициент передачи по току для биполярного транзистора определяется по формуле
а)
б)
в)
3) Основным преимуществом схемы включения с общим коллектором биполярного транзистора является
а) большое выходное сопротивление
б) высокий коэффициент усиления
в) высокий КПД
4) Основное равенство биполярного транзистора имеет вид
а) IЭ=IК+IБ
б) IК= IЭ+IБ
в) IБ= IЭ+IК
5) Основное неравенство биполярного транзистора имеет вид
а) IК≥IЭ>>IБ
б) IЭ≥IК>>IБ
в) IБ>IК>>IЭ
6) Наименьшим выходным сопротивлением обладает схема включения транзистора с:
а) ОБ
б) ОИ
в) ОК
г) ОЭ
д) ОС
Тема 2.3: Электронные усилители и генераторы.
1) Коэффициент усиления по напряжению транзисторного каскада определяется:
а)
б)
в)
г)
д)
2) Коэффициент усиления по напряжению каскада с ОЭ
а) KU=1
б) KU<1
в) KU=0
г) KU>>1
д) KU<0
3) Соотношение между током базы и током эмиттера в усилительном каскаде с ОБ имеет вид:
а)
б)
в)
г)
д)
4) В системе h-параметров статическому коэффициенту усиления транзистора по току соответствует:
а) h21Э
б) h21б
в) h11Э
г) h11б
д) h22Э
5) Коэффициент усиления по току транзистора в схеме ОЭ:
а)
б)
в)
г)
д)
