- •1. Залежність термоелектричної ефективності від основних фізичних параметрах
- •2. Підвищення добротності термоелектричних матеріалів методом легування
- •3. Концентраційні неоднорідності в термоелектричних матеріалах
- •4. Мікронеоднорідність в термоелектричних матеріалах на основі Bi2Te3, та способи її усунення
- •Список використаних джерел
Список використаних джерел
Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А., Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Ві2Те3./Под редакцией Б. Я. Мойжеса. К.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы. Москва. 1972. - 320 с.
Zener C. Trans. Amer.Soc. Metals 53. 1961. - 1052с.
Шмелев Г. И. Материалы для термоэлементов на основе трехкомпонентных интерметаллических соединений. — ФТТ, 1959. т. 1. - 231 с.
Синани С.С., Гордякова Г.И. Твердые растворы Вi2Тез— BiSe как материал для термоэлементов.—ЖТФ, 1956. т. 26.
Твердые растворы Bi2Te3— Bi2Se3 как материал для отрицательной ветви термоэлементов / С.С. Синани, Г.Н. Гордякова, Г.В. Кокош, А.И. Шадрина. / Институт полупроводников АН СССР. 1956.
Б. М. Гольцман и др. ФТТ 12. 1970. – 1403 с.
L. R. Testardi, J. N. Bierly, F. J. Danahoe, J. Phys. Chem. Sol. 23. 1962. - 1209 с.
Champness C.H., Muir W.B., Chiang P.T.. Thermoelectric properties of n-type Bi2Te3–Bi2Se3 allois. - Canadian Journal of Physics, 1967. - 653 с.
Исследование влияния пор и границ зерен на электропроводность и теплопроводность термоэлектрических материалов / Гольцман Б.М., Саркисян В.Ш., Стильбано Л.С., Шлыков В.В. / Изв. АН СССР, Физика 4., 1969, т. 5, - 286 с.
P. Bergwall, O. Beckmann, Sol. St. Ekertronics6, 1963, - 133 с.
R. Wolf, G. Smith, Semicond. Prod. 4, 1963, - 29 с.
Б. М. Гольцман и др., ФТТ 2, 1968, - 873 с.
Тиллер В. Жидкие металлы и затвердевание, Метталургиздат, 1962, - 409 с.
McHugh J.P., Cosgrove G.J., Tiller W.A. Effect of Freezing Conditions on the Thermoelectric Properties of BiSbTe3 Crystals. J. Appl. Phys. 32, 1961, - 621 с.
Coies G. Metallurgia, 1964, - 213 с.
Комаров Т.В., Регель А. Р. ФТТ. т 5. 1963, - 773 с.