5. Эквивалентная схема усилительного каскада на полевом транзисторе

В эквивалентной схеме полевой транзистор принято заменять реальным задающим генератором ЭДС, который характеризуется двумя параметрами Е₂=U_вх и R_i , где =SR_i - статический коэффициент усиления, S - крутизна характеристики транзистора, R_i=R_СИдиф - его внутреннее сопротивление.

С использованием этих параметров упрощенная эквивалентная схема УК на полевом транзисторе для области средних частот, когда можно пренебречь влиянием всех емкостей схемы имеет вид (рис. 5.1).

Рис. 5.1

Эквивалентная схема на рис. 5.1 позволяет выразить показатели УК через его параметр  и сопротивления R_i и R₂=R_СR_Н/(R_С+R_Н).

R_вых=R_СR_i/(R_С+R_i), , где .

Полная эквивалентная схема каскада приведена на следующем рисунке.

Рис. 5.2

С₂ - в схеме рис. 4, С_вх - паразитная входная емкость следующего каскада. Для нормальной работы схемы необходимы условия:

С₂ >>С_вх, 1/(₀С₂)<<R_Н, 1/(₀С_ВХ)>>R (₀=2f₀ - средняя частота).

Влияние этих емкостей приводит к уменьшению коэффициента усиления в области низких частот (С₂) и в области высоких частот (С_ВХ).

Если принять допустимую неравномерность частотной характеристики Y=3 дБ (коэффициент усиления на границах диапазона меньше коэффициента усиления на средней частоте в раз), то верхняя и нижняя границы диапазона будут определяться из следующих выражений:

1/(_нС₂)=R_Н+R_вых, 1/(_ВС_ВХ)=R

12