Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Усилитель мощности.doc
Скачиваний:
70
Добавлен:
01.05.2014
Размер:
2.74 Mб
Скачать

5 Расчёт нелинейных искажений

5.1 Оконечный каскад: vt6, vt7

Транзисторы VT6 и VT4 образуют составной транзистор. Здесь будет ООС с очень большой глубиной обратной связи:

Коэффициент нелинейных искажений будем определять, используя метод пяти ординат. Для этого необходимо построить проходную характеристику транзистора.

Если Rвх=38,4 Ом, то RcОм.

Данные для построения проходной характеристики приведены в таблице 1.

Таблица 1:

Iб, (A)

Iк, (A)

Uэб, (B)

Iб*, (B)

Ec, (B)

0,002

0,1

0,68

0,46

1,14

0,004

0,2

0,7

0,92

1,62

0,008

0,36

0,72

1,84

2,56

0,01

0,4

0,74

2,3

3,04

0,015

0,66

0,76

3,45

4,21

0,02

1

0,8

4,6

5,4

0,04

1,94

0,85

9,2

10,05

0,06

2,2

0,88

13,8

14,68

Полученная проходная характеристика показана на рисунке 15.

Рисунок 15 – Проходная характеристика КТ319Б

i1=2,2 A; i2=1,66 A; i3=0,36 A; i4=0,24 A; i5=0,1 A

Расчёт четырех гармоник тока коллектора:

5.2 Оконечный каскад: vt4, vt5

Также как и в пункте 5.1 определяется глубина ООС транзистора:

Данные для построения проходной характеристики этого каскада представлены в таблице 2.

Таблица 2:

Iб, (мA)

Iк, (мA)

Uэб, (B)

Iб*, (B)

Ec, (B)

0,1

5

0,64

50,4

51,04

0,3

10

0,734

151,2

151,934

0,5

20

0,76

252

252,76

0,8

60

0,78

403,2

403,98

1

100

0,8

504

504,8

2

140

0,82

1008

1008,82

3

190

0,83

1512

1512,83

3,5

210

0,84

1764

1764,84

Полученная проходная характеристика представлена на рисунке 16.

Рисунок 16 – Проходная характеристика КТ815А

i1=210 мA; i2=140 мA; i3=20 мA; i4=10 мA; i5=5 мA

5.3 Предоконечный каскад: vt3

Рассчитаем глубину ООС по следующей формуле:

Здесь коэффициент усиления каскада по напряжению определяется следующим образом:

,где параметр h21=53, а h11=40 Ом (по рисунку 10 и из справочной литературы соответственно).

Коэффициент передачи ООС определяется из следующего выражения:

Тогда глубина ООС:

Данные для построения проходной характеристики для этого каскада представлены в таблице 3.

Таблица 3:

Iб, (мA)

Iк, (мA)

Uэб, (B)

Iб*, (B)

Ec, (B)

0,2

15

0,56

400

400,56

0,3

24

0,6

600

600,6

0,4

30

0,62

800

800,62

0,5

36

0,64

1000

1000,64

0,57

42

0,65

1140

1140,65

0,62

45

0,65

1240

1240,65

Полученная по таблице 3 проходная характеристика представлена на рисунке 17.

Рисунок 17 – Проходная характеристика КТ315В

i1=45 мA; i2=30 мA; i3=14 мA;

Используя метод трёх ординат для данного каскада, получаем: