Зэ для статических биполярных озу

Схема представляет собой RS – триггер, построенный на основе двух логических элементов И – НЕ ТТЛ-типа. К накопителю ЗЭ подключается двумя линиями: адресной (АЛ) и разрядной (РЛ).

В

Рис. 3.

зависимости от комбинации напряжений на этих линиях ЗЭ может работать в одном из трех режимов: хранения, записи и считывания. Разрешающий сигнал по АЛ (высокий уровень напряжения) определяет факт обращения к ЗЭ с целью записи или считывания. Подачей высокого или низкого уровня на РЛ можно задать нужное состояние ЗЭ (при записи) либо установкой уровня + 1,5 В (при считывании) по величине тока в РЛ можно определить его состояние. При наличии одной АЛ возможно обращение к ЗЭ только по одной координате. На практике применяется двухкоординатное обращение: для этого используют трехэмиттерные транзисторы и с помощью дополнительных эмиттеров организовывают вторую АЛ.

3. Схема динамического зэ

В

Рис. 5.

динамическом ЗЭ, реализованном на трех МОП - транзисторах, хранение информации обеспе­чивается с помощью конден­сатора С_ЗЭ. В данном случае используются отдельные адрес­ные и разрядные линии при записи и считывании. В процессе записи информации от РЛз (разрядная линия записи) (при разрешающем сигнале Алз – адресная линия записи) через открытый транзистор VT2 обеспе­чивается заряд С_ЗЭ. Считывание информации производится по РЛ_сч через VТ1 и VТ3 (при разрешающем сигнале АЛ_сч).

Структура динамического ЗУ аналогична статическому (рис.4), однако в динамических ОЗУ должны быть введены элементы регенерации.

Достоинства по сравнению со статическими ОЗУ:

• Высокая плотность. Динамический ЗЭ можно реализовать на 3х или даже на одном МОП-транзисторе. Таким образом, на подложке размещается большое количество ЗЭ, а следовательно уменьшается число БИС в модуле памяти.

• Малое потребление энергии. Не потребляет тока, за исключением тех относительно коротких отрезков времени, когда он работает. Такие ОЗУ используются при применении энергонезависимой памяти.

• Экономичность. Удельная стоимость меньше статических, т.к. динамические ОЗУ требуют более сложных схем управления, они используются только при организации больших объемов памяти.

4. Статическое озу с матричным накопителем

Пример структуры ЗУ, в которой кроме накопителя представлены элементы обрамления.

НК – накопитель;

ДшХ и ДшУ – дешифраторы строки и столбца;

УУ – устройство управления

УЗ и УС – усилители записи и считывания.

Н

Рис. 4.

а основе двоичного кода адресной шины А с помощью дешифраторов формируются разрешающие сигналы по одной строке и одному столбцу накопителя, определяя адресованную ячейку. УУ задает режимы работы ЗУ в соответствии с комбинацией сигналов (вход выборки кристалла) и (вход разрешения записи/чтения информации).

Значение соответствует невыбранному устройству. При этом отсутствует прием информации по входу D1, а выход D0 находится в состоянии “Выключено”. В этом случае ИМС работает в режиме хранения информации. Подача сигнала определяет выбор данной ИМС для записи или считывания. Информация со входа D1 записывается в адресованную ячейку при , считывается из адресованной ячейки при .

Сигнал играет роль синхросигнала, определяющего начало записи или считывания информации к моменту установления разрешающего значения.