- •Электрофизические свойства полупроводников. Температурная зависимость проводимости в полупроводниках.
- •Электрофизические свойства полупроводников.
- •Собственные и примесные полупроводники.
- •Собственный полупроводник.
- •Электронный полупроводник.
- •Дырочный полупроводник.
- •3. Энергетические диаграммы полупроводников.
- •Расчет равновесной концентрации свободных носителей заряда.
- •Температурная зависимость проводимости в собственных полупроводниках.
- •Температурная зависимость проводимости в примесных полупроводниках.
- •Задание к лабораторной работе «Температурная зависимость проводимости в полупроводниках».
Задание к лабораторной работе «Температурная зависимость проводимости в полупроводниках».
1.Измерить температурную зависимость сопротивления бруска полупроводникового материала с размерами S (площадь поперечного сечения) = 0,5×0,5 см2; l (длина бруска) = 2см в диапазоне температур 300º-400ºК. (см. «Вводные данные»).
2.Построить график зависимости lgσ от 1000/ТºК.
3.Используя полученные данные определить ширину запрещенной зоны измеренного полупроводникового материала.
4.По табличным данным определить название полупроводника, из которого изготовлен испытуемый образец.
Вводные данные:
Образец № 1.
Т (ºК) |
300 |
325 |
375 |
R (Ом) |
2,97×109 |
3,74×108 |
1,238×107 |
Образец № 2.
Т (ºК) |
300 |
325 |
375 |
R (Ом) |
1,873×106 |
3,187×105 |
2,305×104 |
Образец № 3.
Т (ºК) |
300 |
325 |
375 |
R (Ом) |
3,65×102 |
1,42×102 |
2,97×101 |