Решение:

Температура истощения для донорного полупроводника определяется по формуле

где E_D, Е_А — энергетические уровни электронов

примесных атомов;

N_Д – концентрация донорной примеси;

N_С - число энергетических уровней, разрешенных для нахождения на них электронов, или эффективная плотность состояний в свободной зоне;

k - посто­янная Больцмана.

В нашем случае

Тогда получаем

Ответ: T_S =