Заключение

В данной работе рассматривается кинетика изменения температуры пластины кремния, нагреваемой в режиме теплового баланса. Для этого мы изучили особенности нагрева полупроводников, рассмотрели механизмы их нагрева и особенности моделирования тепловых полей в полупроводниковых пластинах. Результаты численных расчётов для различных источников излучения показывают, что существенное влияние на тепловое поле оказывают начальная температура образца и его толщина. При этом индуцированная температура тем выше, чем выше начальная температура и меньше начальная толщина пластины. Однако, определяющее влияние на величину температурного градиента по толщине пластины оказывают мощность энергии излучения в импульсе и его длительность. Поэтому для расчёта параметров была разработана программа, которая моделирует процесс нагрева пластины с учётом эффектов, возникающих при разогреве полупроводников. Программа написана на языке С++ в среде разработки Borland.

Список литературы

1. Борисенко В. Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве. – Мн., Наука и техника. 1991

2. Бубенников А. Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. – М., Высшая школа. 1989

3. Моделирование .полупроводниковых приборов и технологических процессов. Последние достижения: Пер. с англ./Под ред. Д. Миллера. —М.: Радио и связь, 1989.— 280 с: ил.