Заключение
В настоящее время
проектирование процесса производства
интегральных схем невозможно представить
без автоматизации, поэтому практически
все процессы рассчитываются с помощью
ПК. Конкретная программа была разработана
на языке Delphi.
При создании
программы был рассмотрен и изучен
процесс позволяющий моделировать
распределения температуры по толщине
пластины кремния, нагреваемой в режиме
теплового потока.
При вводе в
диалоговом окне толщины пластины,
мощности и время. С помощью преобразования
уравнений, функций таких как функция
Бесселя, выражение для оценки максимальной
t
и времени достижения t,
уравнения теплопроводности выводится
график зависимости изменения температуры
по глубине пластины кремния нагреваемой
импульсами излучения.
Представленные
зависимости относительной температуры
по толщине кремневой пластины позволяют
сделать вывод о наличии значительных
температурных градиентов по толщине
при длительностях импульса 10-5
– 10-4
с. С увеличением длительности до 10-3
– 10-2
с они уменьшаются. При длительностях
лучистого нагрева 10-2
с и более в полупроводниковых пластинах
устанавливается квазиравномерное
распределение температуры по толщине,
и её тепловой режим определяется балансом
проводимой мощности, в котором доминирующую
роль играют потери на тепловое излучение.
Литература
Бубенников А. Н.
Моделирование интегральных микротехнологий,
приборов и схем. – М., Высшая школа. 1989
Борисенко В. Е.
Твердофазные процессы в полупроводниках
при импульсном нагреве. – Мн., Наука и
техника. 1991
Абрамов И. И. Курс
лекций “Моделирование элементов
интегральных схем”. – Мн., БГУ. 1999
Зи С. Физика
полупроводников – М: Радио и связь,
1989
Лешок А.А. Курс
лекций по МТПиЭИС
