- •21. Явление ударной ионизации. Лавинный пробой р-п перехода
- •22. Инерционные свойства р-п перехода. Барьерная емкость. Вольт-фарадные характеристики перехода.
- •23. Диффузионная емкость р-п перехода. Эквивалентные схемы идеализированного и реального р-п переходов
- •24. Полупроводниковые диоды, классификация, система обозначений. Выпрямительные низкочастотные диоды, параметры, особенности германиевых и кремниевых диодов. Температурные диапазоны работы
- •25. Импульсные диоды. Переходные процессы в электронно-дырочном переходе. Этап установления прямого напряжения.
- •56.Однофазная мостовая схема выпрямителей при работе на активную нагрузку. Схема, принцип действия, графики токов и напряжений. Основные соотношения для токов и напряжений.
- •57.Трехфазная система выпрямителя с нулевым выводом при работе на активную нагрузку. Схема принцип действия, графики токов и напряжений. Основные соотношения для токов и напряжений.
- •58. Трехфазная мостовая схема мостовая схема выпрямителя при работе на активную нагрузку.
- •60. Однофазная мостовая схема выпрямителя при работе на активно-индуктивную нагрузку
- •12. Классификация р-п-переходов. Структура электронно-дырочного перехода. Область пространственного заряда. Эмиттер и база в р-п переходе. Классификация р-п-переходов
- •Структура электронно-дырочного перехода
- •Эмиттер и база в р-п переходе
- •11. Электропроводность полупроводников. Температурная зависимость подвижности носителей. Температурная зависимость удельной проводимости Электропроводность полупроводников
- •Температурная зависимости подвижности носителей
- •13. Зонная структура р-п-перехода, потенциальный барьер. Зонная структура
- •15.Прямое и обратное включение р-п перехода. Зонная диаграмма при прямом смещении. Прямое и обратное включение p-n перехода
- •Зонная диаграмма при прямом смещении.
- •Вольт-амперные характеристики (вах)
- •42. Направления развития силовой электроники. Силовые электрические вентили, требования к ним, классификация.
- •45. Принцип действия динисторов, вольт-амперная характеристика.
- •43. Силовые полупроводниковые диоды, основные параметры и характеристики выпрямительных диодов
- •Основные параметры выпрямительных диодов
- •44. Силовые вентили с неполным управлением. Типы тиристоров. Основные параметры. Условные обозначения.
- •Виды тиристоров и их особые свойства
- •Основные параметры тиристоров
- •65)Эквивалентная схема однофазного двухполупериодного управляемого выпрямителя со средней точкой:
- •61) Двухполупериодная мостовая вентильная схема с противо-эдс
24. Полупроводниковые диоды, классификация, система обозначений. Выпрямительные низкочастотные диоды, параметры, особенности германиевых и кремниевых диодов. Температурные диапазоны работы
1) Полупроводниковым диодом называется полупроводниковый прибор, с одним электронно-дырочным переходом и двумя выводами. Полупроводниковый диод как элемент цепи является двухполюсником
Полупроводниковые диоды классифицируются по различным признакам: по типу конструкции перехода и технологии его изготовления, по частоте, по мощности, по назначению и т.д.
В соответствии с классификацией по назначению различают следующие виды полупроводниковых диодов: выпрямительные диоды; высокочастотные диоды; импульсные диоды; варикапы; стабилитроны; туннельные и обращенные диоды и др.
2) Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный, к быстродействию ёмкости перехода и стабильности параметров. Они имеют малые сопротивления и позволяют пропускать большие токи.
Основные параметры ВД:
1. Значение напряжения, которое может выдержать диод длительное время без разрушения Uобр max
2. Сред. выпрям. Ток
3. Импульсный прямой ток – пиковое значение импульса при заданной форме импульса
4. Сред. обратный ток
5. Сред. прямое напряжение – при заданном среднем токе Uвп ср
6. Сред. рассеивающая мощность – ср. за период при протекании тока в прямом и обратном направлении. Площадь перехода рассчитывают исходя из допускаемой плотности тока Pср
7. Отношение приращения напряжения к приращению тока rдиф
Прямое напряжение германия в 2 раза меньше чем у кремния. Это объясняется разницами в ширине з.з.
Это является существенным, но единственным преимуществом германия в диодах
Кремниевые диоды имеют меньшие обратные токи. Максимальное обратное напряжение больше, чем у германия.
Германиевые диоды лучше всего использовать в маломощных электрических цепях. Более низкое напряжение прямого смещения приводит к меньшим потерям мощности и делает схему более эффективной по электрическим характеристикам. Однако германиевые диоды можно гораздо легче вывести из строя, чем кремниевые диоды.
3) Верхний предел температуры определяется ухудшением выпрямительных свойств из-за роста обратного тока, а также уменьшением подвижности при высоких температурах
Низкий температурный диапазон ограничен энергией ионизации примесей, увеличением прямого напряжения из-за роста высоты барьера, т.к. растёт ширина з.з.
ток проводимости, который определяет значение обратного тока, проходящего через диод, сильно зависит от числа неосновных носителей, обусловленных электронами и дырками основного полупроводника. Так как число их растет с увеличением температуры, то соответственно возрастает и обратный ток диода. Прямой ток диода при повышении температуры также возрастает, что обусловливает уменьшение падения напряжения в диоде при заданном токе (сопротивление диода в прямом направлении уменьшается с ростом температуры).
Так как при повышении температуры ухудшается отвод тепла от р-п-перехода и возрастает обратный ток, в этом случае необходимо снижать допустимые значения номинального (прямого) тока диода и обратного напряжения.