- •Сведения из теории биполярные транзисторы.
- •4.1 Классификация транзисторов
- •4.2 Система обозначений транзисторов.
- •4.3 Устройство биполярного транзистора.
- •4.4 Режимы работы биполярного транзистора.
- •4.5 Принцип действия транзистора в основном активном режиме
- •4.6 Схемы включения транзисторов.
- •4.7 Статические характеристики транзисторов.
- •4.7.1 Статистические характеристики транзистора, включенного по схеме с об.
- •4.7.2 Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с оэ.
- •4.7.3 Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с ок
- •4.8 Параметры и эквивалентные схемы транзисторов.
- •4.8.1 Дифференциальные (малосигнальные) параметры транзистора.
- •4.8.1.1 Система z-параметров
- •4.8.1.2 Система y-параметров.
- •4.8.1.3 Система h-параметров.
- •4.8.1.4 Определение низкочастотных h- параметров по характеристикам транзистора.
- •4.8.1.5 Связь между z,y и h - параметрами
- •4.8.2 Физические параметры и т-образная эквивалентная схема транзистора на низких частотах
- •4.8.3 Связь физических параметров с параметрами четырехполюсника
- •4.9. Влияние температуры и проникающей радиации на характеристики и параметры транзисторов.
- •4.10 Динамический режим работы транзистора.
- •4.10.1 Сущность динамического режима работы транзистора.
- •4.10.2 Принцип работы транзисторного усилителя.
- •4.10.3 Динамические (нагрузочные) характеристики.
- •4.10.3.1 Выходные динамические характеристики.
- •4.10.3.2 Входные динамические характеристики.
- •4.10.4 Динамические параметры.
- •4.10.5 Сравнительная оценка схем включения транзисторов.
- •4.11 Частотные свойства транзисторов.
- •4.11.1 Особенности работы транзисторов на высоких частотах
- •4.11.2 Влияние инерционности диффузионного движения носителей в базе (влияние времени пробега носителей)
- •4.11.3 Влияние емкостей переходов и распределенного сопротивления базы на частотные свойства транзисторов
- •4.11.4 Собственные шумы транзисторов
- •4.11.5 Ключевой режим работы транзистора
- •Выполнение лабораторной работы на лабораторном стенде «тэц и оэ – нрм».
- •Порядок выполнения работы
- •Выполнение лабораторной работы на лабораторном стенде 17д – 01.
- •Прядок выполнения работы
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ
ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
"САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ
ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ"
Филиал в г. Сызрани
Кафедра «Электротехника, информатика
и компьютерные технологии»
Методические указания
к выполнению лабораторной работы
«Исследование биполярного транзистора»
по дисциплине
«Общая электротехника и электроника»
Утверждено на заседании
кафедры ЭИКТ
от 4.03.2008 г. Пр. 6
Сызрань 2010
Составитель: П.П. Гавриш, А.Ю. Карсаков, О.В. Лысенко,
Ю.А. Мелешкин
УЛК 621. 375
ББК 32.85
Исследование биполярного транзистора: методические указания к лабораторному практикуму по «Общей электротехнике и электронике» / ГОУ ВПО сам ГТУ филиал в г. Сызрани, 2009.
Составлено в соответствии с рекомендациями РНПО «Росучприбор» Южно – Уральского государственного университета – разработчика и изготовителя стендов «Теория электрических цепей и основы электронике», а также для выполнения работы на стенде 17Д – 01.
Методические указания предназначены студентов высших учебных заведений, обучающимся по направлениям «Электротехника» и «Электроника».
Цель работы: изучение и исследование характеристик и параметров биполярного транзистора, включенного по схеме с общем эмиттером.
Сведения из теории биполярные транзисторы.
4.1 Классификация транзисторов
Транзистором называют электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, пригодный для усиления мощности и имеющий три или более выводов.
Транзисторы классифицируются по следующим признакам:
по исходному материалу: германиевые, кремниевые и арсенид галлиевые;
по принципу действия: биполярные и униполярные или полевые. В биполярных транзисторах ток создается перемещением носителей двух знаков-электронов и дырок. В униполярных транзисторах ток создается носителями только одного знака – электронами, либо дырками;
по числу p-n переходов: однопереходные, двухпереходные и многопереходные. Наибольшее применение находят двухпереходные транзисторы с тремя выводами;
по способу преодоления участка базы: дрейфовые и бездрейфовые. В бездрейфовых транзисторах инжектированные в базу заряды преодолевают ее за счет диффузии, а в дрейфовых- под действием ускоряющего электрического поля;
по порядку чередования областей p-n переходов: p-n-p и n-p-n. Транзисторы p-n-p называют транзисторами прямой проводимости, n-p-n – обратной проводимости;
по величине допустимой мощности: маломощные (0,3 Вт), средней мощности (0,3-1,5 Вт), мощные (свыше 1,5 Вт);
по значению предельной частоты: низкочастотные (до 3 МГц), средней
частоты (3-30 МГц) и высокочастотные (свыше 30МГц);
по технологии изготовления: сплавные, микросплавные, диффузионные, планетарные и т.д.;
по типу используемого перехода: точечные и плоскостные. Точечные транзисторы обладают нестабильными параметрами, поэтому в настоящее время не применяются.
4.2 Система обозначений транзисторов.
Система обозначений транзисторов состоит из шести элементов.
Первый элемент обозначения – буква или цифра, определяющая исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор: Г или 1- германий или соединения германия, К или 2- кремний или соединения кремния.
Второй элемент обозначения- буква, определяющая подкласс прибора: Т- биполярный транзистор, П- полевой транзистор.
Третий элемент обозначения – цифра от 1 до 9, определяющая назначение транзистора в соответствии с таблицей 1
Таблица 1
транзисторы |
малой мощности |
средней мощности |
большой мощности |
низкой частоты |
1 |
4 |
7 |
средней частоты |
2 |
5 |
8 |
высокой частоты |
3 |
6 |
9 |
Четвертый и пятый элементы определяют порядковый номер разработки технологического типа транзистора и обозначается от 01 до 99.
Шестой элемент определяет деление технологического типа на параметрические группы и обозначается буквами русского алфавита от А до Я.
Условные обозначения плоскостных биполярных транзисторов, разработанных
в 1964 г. и выпускаемых сейчас, состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения – П.
Второй элемент обозначения – число (номер), указывающее на область применения транзистора в соответствии с таблицей 2
Таблица 2
Транзисторы |
Германиевые |
Кремниевые |
|
Низкой частоты |
маломощные мощные |
от 1 до 100 от 201 до 300 |
от 101 до 200 от 301 до 400 |
Высокой частоты |
маломощные мощные |
от 401 до 500 от 601 до 700 |
от 501 до 600 от 701 до 800 |
Третий элемент обозначения – буква, указывающая разновидность транзистора.
Примеры обозначения транзисторов:
ГТ605А – германиевый биполярный транзистор средней мощности, предназначенный
для устройств широкого применения, высокой частоты, номер разработки
05, группа А.
2Т144А - кремниевый биполярный транзистор малой мощности, предназначенный для
устройств специального назначения, низкой частоты, номер разработки 44, группа А.