Лабораторна робота№ 5

Лабораторна робота з дослідження напівпровідникового стабілітрона проводиться в наступній послідовності:

Зібрати схему згідно рис. 6;

Встановити перемикач блока ПГ в положення «+15V», а ручку «+15V»; «0»;

Збільшуючи напругу ручкою «15V» до максимального значення, зняти залежність струму стабілітрона (І_ст) від напруги стабілітрона (U_ст) (пряма вітка);

Включити стабілітрон в зворотному напрямку і зняти залежність струму стабілітрона (І_ст) від напруги стабілітрона (U_ст) (зворотна вітка);

По даним вимірів побудувати графік прямої і зворотної вітки, вольт-амперної характеристики стабілітрона.

PA1 - прилад комбінований 43101; PV1 - прилад комбінований Ц4342; R1-резистор 470 Q.

Рис. 6

Лабораторна робота№ 6

Лабораторна робота по зняттю вхідних і вихідних характеристик транзистора з спільною базою проводиться в наступній послідовності:

Зібрати схему згідно рис.7.

РА1 – комбінований прилад Ц4342; R1 – резистор 100 Ω; R2 – резистор змінний 470 Ω; С1 – конденсатор 3300 pF; VT1 – транзистор КТ315А; PS1 – осцилограф; SA1 – тумблер МТ1.

Рис. 7

Підключити схему до гнізд блока ПГ «+5 V»; «+15 V»; «-0»;

Заміряти резистором R2 вхідну напругу (U_зб) від 0 до 0,9 V, зняти вхідну характеристику транзистора I_е = f(U_зб) при напрузі колектора (U_кб) 0; 5; 10 V (U_кб = 0 при відключеному тумблері SA1)

Зібрати схему згідно рис.8.

РА1, РА2 – комбінований прилад 43101; РV1 – комбінований прилад Ц4342; R1 – резистор 100 Ω; R2 – резистор змінний 2,2 kΩ; R3 – резистор змінний 3,3 kΩ; R4 – резистор змінний 470 Ω; VT1 – транзистор КТ315А.

Рис. 8

Заміряючи резистором R4 напругу U_кб від 0,8 до 0 V, зняти негативну вітку вихідної характеристики транзистора І_к = f(U_кб) при налаштуванні струму 10, 20, 30 mA;

Зібрати схему згідно рис. 9.

РА1, РА2 – комбінований прилад 43101; РV1 – комбінований прилад Ц4342; R1 – резистор 100 Ω; R2 – резистор змінний 470 Ω; РV1 – комбінований прилад Ц4342; SA1 – тумблер МТD– 1; С1 – конденсатор 3300 pF;

Рис. 9

Змінюючи ручкою «+15 V» на блоці ПГ напругу колектора (U_кб) від 0 до 10 V, зняти позитивну вітку вихідної характеристики транзистора І_к = f(U_кб) при встановленому струмі 10, 20 і 30 mA;

По даним вимірам побудувати вхідні і вихідні характеристики транзистора.

Лабораторна робота№ 7

Лабораторна робота по зняттю вхідних і вихідних характеристик транзистора в схемі з спільним емітером і опреділенням коефіцієнта підсилення проводиться в наступній послідовності:

Зібрати схему згідно рис.10.

С1 – конденсатор 3300 pF; РА1, РА2 – комбінований прилад 43101; РV1 – комбінований прилад Ц4342; R1 – резистор 1 кΩ; R2 – резистор змінний 470 Ω; PS1 – осцилограф; SA1 – тумблер МТD – 1;

Рис. 10

Підключити схему до гнізд блока ПГ «+5 V»; «+15 V»; «-0»;

Змінюючи резистором R1 вхідну напругу (U_бе) від 0 до 0,9 V, зняти залежність базового струму (І_б) від напруги база-емітер (U_бе) при установці колекторної напруги (U_ке) 0; 5; 10 V (вхідна характеристика транзистора І_б = f (U_бе)); U_ке = 0 забезпечується при включеному тумблері SA1;

Зміна напруги колектора (U_ке) переключателем «15 V» на блоці ПГ від 0 до 8 V, зняти залежність струму(І_к) від напруги колектор-емітер (U_ке) при установці струму бази (І_б) 0,1; 0,2 mA (вихідна характеристика транзистора І_к = f (U_ке). При проведені роботи не допускати зашкалення пристрою РА2;

По даним вимірювань побудувати вхідні і вихідні характеристики транзистора;

Оприділити по характеристикам транзистора графоаналітичним методом наступні параметри транзистора;

Вхідний опір транзистора:

Вихідний опір транзистора

Коефіцієнт підсилення: