1. Особенности интегрального метода.

ИМС-называют микроэлектронное устройство рассматриваемое как единое изделие имеющее высокую плотность расположения элементов и компонент, эквивалентных элементам обычных схем. ИМС характеризуются: а)высокой надёжностью; б) маленьким весом; в) габаритные размеры;

2. В основе имс положена планарная технология.

Сущность её в том, что все элементы эл. схемы помещаются на одной пластине, а коммутация или соединение элементов осущ-ся с помощью плёночных проводников.

Достоинства: а)высокой надёжностью; б) маленьким весом; в) габаритные размеры;

Недостатки: а) экономично в случае массового производства; б) при производстве у некоторых элементов присутствует небольшой разброс параметров (∆R≈10%); в) нет необходимой площади для большой ёмкости конденсатора;

3	4	5

6. –оксидирование – фотолитография - травление – диффузия (легирование) – металлизация. Кроме того, иногда эпитаксия и ионная имплантация.

7. ИМС делятся на: 1.Полупроводниковые ИМС – активные и пассивные элементы формируются в теле ПП монокристалла.

2. Гибридные ИМС – все элементы (кроме активных) изготавливаются из нанесенных на диэл. Пластину поликрист. Или аморфных слоев, выполняющие заданные электронные функции.

3. Совмещённые – комбинация ПП и гибридных ИМС, т.е. активные элементы изгот. в монокристалле, а пассивные на ее поверхности.

Степень интеграции: K = l*g*N.При К<2 - малая степень интеграции(СИ).

2<K<4 – средняя СИ. 4<K<5 - большая СИ. K>5 - сверхбольшая СИ

На СИ влияют технологические факторы, определяющие качество техн. процесса, а это определяется бездефектностью.

8. Полупроводники – это материалы удельная проводимость которых меняется в очень широких пределах: проводимость- σ [1/см*см]= 10^-13-10^-1. У полупроводников σ зависит от температуры, воздействия излучения, наличие примеси, воздействие Е и Н полей. По структуре делятся на моно- и поликристаллические.

9. Особенности кристаллической решётки полупроводников.

По структуре делятся на моно- и поликристаллы. В любой кр. решётке можно выделить минимальный объём (элементарная ячейка) перемещение которой по всем направлениям создаёт кристалл.

а- постоянная решётки. В полупроводнике используется кр. решётка типа алмаз. Атомы на узлах гранях и внутри октантов расположены в шахматном порядке.

10. Анизотропия - свойство или неодинаковость свойств от направления.

11. Нарисовать плоскость 110.

12. Виды дефектов. Структурные точечные дефекты.

Дефекты различают:

1. Точечные. 2. Линейные. 3. Поверхностные. 4. Объемные.

Точечные дефекты представляют собой нарушение структуры локализованные в отдельных точках. Также, их называют структурные дефекты. Наличие примесного атома вносит искажения в структуру кристаллической решётки полупроводника. Происходит ослабление связи ближайших к нему атомов, что в свою очередь может привести к образованию структурных точечных.