- •Лабораторная работа №1 исследование полупроводниковых диодов
- •Краткие теоретические сведения
- •Порядок проведения экспериментов
- •Результаты экспериментов
- •Контрольные вопросы и задания
- •Лабораторная работа №2 исследование биполярного транзистора (бт)
- •Краткие теоретические сведения
- •Порядок проведения экспериментов
- •Результаты экспериментов
- •Контрольные вопросы и задания
- •Лабораторная работа №3 исследование выходной характеристики полевого транзистора (пт)
- •Краткие теоретические сведения
- •Порядок проведения экспериментов
- •Результаты экспериментов
- •Контрольные вопросы и задания
- •Лабораторная работа №4 дослідження схем включення біполярних транзисторів (бт) у підсилюючих каскадах
- •Краткие теоретические сведения
- •Порядок проведения экспериментов
- •Результаты экспериментов
- •Контрольные вопросы и задания
- •Лабораторная работа №5 исследование параметров рабочей точки биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- •Краткие теоретические сведения
- •Порядок проведения экспериментов
- •Результаты экспериментов
- •Контрольные вопросы и задания
- •Лабораторна робота №6 дослідження схем зворотного зв'язку у підсилювальних пристроях
- •Короткі теоретичні відомості
- •Порядок проведения экспериментов
- •Результаты экспериментов
- •Контрольные вопросы и задания
- •Лабораторна робота №7 дослідження схеми двотактного підсилювального каскаду
- •Короткі теоретичні відомості
- •Порядок проведения экспериментов
- •Результаты экспериментов
- •Контрольные вопросы и задания
- •Лабораторная работа №8 исследование операционных усилителей (оу)
- •Краткие теоретические сведения
- •Порядок проведения экспериментов
- •1.Измерение входных токов.
- •3. Измерения входного и выходного сопротивлений.
- •Результаты экспериментов.
- •Контрольные вопросы и задания
- •Лабораторная работа №9 исследование неинвертирующих и инвертирующих схем включения операционных усилителей (оу)
- •Краткие теоретические сведения
- •Порядок проведения экспериментов
- •Результаты экспериментов
- •Контрольные вопросы и задания
- •Лабораторная работа №10 дослідження схем на операційних підсилювачах
- •Краткие теоретические сведения.
- •Порядок проведения экспериментов.
- •Результаты экспериментов.
- •Порядок проведения экспериментов
- •Результаты экспериментов
- •Порядок проведения экспериментов
- •Результаты экспериментов
- •Контрольные вопросы и задания
- •Лабораторна робота № 13 дослідження схем генераторів електричних сигналів (прямокутних імпульсів)
- •Краткие теоретические сведения
- •Порядок проведения экспериментов
- •Результаты экспериментов
- •Генераторы падающего (нарастающего) пилообразного напряжения на оу
- •Гпн в автоколебательном режиме
- •Порядок проведения экспериментов
- •Результаты экспериментов
- •Схеми ацп
- •Ацп послідовної дії з двійково-взваженим наближенням.
- •Ацп с интегрированием.
- •Рівнобіжні ацп.
- •Комбіновані схеми ацп.
- •Цап с матрицей r-2r
- •Порядок проведения экспериментов
- •Результаты экспериментов
- •Контрольные вопросы и задания.
- •Список литературы
Порядок проведения экспериментов
Результаты всех измерений и осциллограммы занести в соответствующий раздел «Результаты эксперимента».
Эксперимент 1. Досліджувати схему включення транзистора із СЕ.
Собрать схему, изображенную на рис.4.8. Підключити вихід генератора (синусоидальное напряжение) до вузла 1, попередньо установивши частоту 1000 Гц і напругу 10 мВ .
Рис. 4.8.Схема підсилювача за схемою із СЕ
а) Підключити осцилограф однією клемою до вузла 1, іншою до виходу схеми – гнізда 6.
б) Включити моделювання процесів.
в) Проконтролювати за допомогою осцилографа наявність напруги на вході і напруги на виході схеми (якщо сигнал спотворений, варто зменшити напругу вхідного сигналу).
г) Вимірити напругу сигналу в точках схеми:
1 – напруга джерела сигналу U1;
2 – напруга на вході підсилювального каскаду U2;
6 – напруга на виході підсилювального каскаду U6.
Рассчитать: ; (де , R1=100 Ом),
. Результати занести в таблицю 4.1.
д) Используя формулу для определения RВЫХ, провести необходимые измерения в исследуемой схеме, а затем рассчитать значение RВЫХ. Результати занести в таблицю 4.1.
е) Замалювати осцилограми напруг у вузлах 1-6.
ж) Зняти і побудувати амплітудну характеристику підсилювача при частоті вхідного сигналу 1000 Гц і Uвх=10,20,50…2000 мВ. Результаты занести в таблицу 4.2.
з) Підключити прилади для виміру АЧХ досліджуваної схеми. Установить на входе схемы напряжение U1=500 мВ. Изменяя частоту входного сигнала (f=1,10,50,102,103,104,105 Гц), измерять напряжения в точке 6 схемы. Результаты занести в табл. 4.3.
Эксперимент 2. Дослідження схеми включення транзистора із СК
Собрать схему, изображенную на рис.4.9. Підключити вихід генератора до вузла 1 схеми, попередньо установивши частоту 1000 Гц і напругу 10 мВ.
Виконати пп. а) - ж) для схеми включення БТ з СЕ (использовать данные, приведенные в табл.4.4, 4.5 и 4.6). Результаты исследований по п.п. г) -з) занести в табл. 4.4, 4.5 и 4.6.
Эксперимент 3. Дослідження схеми включення транзистора з СБ
Собрать схему, изображенную на рис.4.10. Підключити вихід генератора до вузла 1 схеми, попередньо установивши частоту 1000 Гц і напругу 10 мВ.
Виконати пп. а) - ж) для схеми включення БТ з СЕ (использовать данные, приведенные в табл.4.7, 4.8 и 4.9).
Результаты экспериментальных исследований по п.п. г) -з) занести в табл. 4.7, 4.8 и 4.9.
и) Заполнить таблицу 4.10.
Рис. 4.9. Схема підсилювача за схемою з СК
Рис. 4.10. Схема підсилювача за схемою з СБ
Результаты экспериментов
Эксперимент 1. Досліджувати схему включення транзистора із СЕ.
г), д) Таблица 4.1
U1 мВ |
U2 мВ |
U6 мВ |
Rвх Ом |
Кu |
Кu дБ |
UХХ мВ |
IКЗ мА |
RВЫХ Ом |
10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Величины Rвх, Ku и RВЫХ рассчитать по формулам.
е) Осциллограммы в точках 1-6 схемы.
ж) Таблица 4.2
Е0 мВ |
U1 мВ |
U2 мВ |
U6 мВ |
Rвх Ом |
Кu |
10 |
|
|
|
|
|
20 |
|
|
|
|
|
50 |
|
|
|
|
|
200 |
|
|
|
|
|
500 |
|
|
|
|
|
1000 |
|
|
|
|
|
2000 |
|
|
|
|
|
Амплитудная характеристика Uвых=f(Uвх).
з) Таблица 4.3
f Гц |
U1 мВ |
U6 мВ |
|
Кu=U6/U1 |
1 |
500 |
|
|
|
10 |
500 |
|
|
|
102 |
500 |
|
|
|
103 |
500 |
|
|
|
104 |
500 |
|
|
|
105 |
500 |
|
|
|
Амплитудно-частотная характеристика.
Эксперимент 2. Досліджувати схему включення транзистора із СК.
г), д) Таблица 4.4
U1 мВ |
U2 мВ |
U6 мВ |
Rвх Ом |
Кu |
Кu дБ |
UХХ мВ |
IКЗ мА |
RВЫХ Ом |
10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Величины Rвх , Ku и RВЫХ рассчитать по формулам
е) Осциллограммы в точках 1-6 схемы.
ж) Таблица 4.5
Е0 мВ |
U1 мВ |
U2 мВ |
U6 мВ |
Rвх Ом |
Кu |
10 |
|
|
|
|
|
100 |
|
|
|
|
|
1000 |
|
|
|
|
|
5000 |
|
|
|
|
|
8000 |
|
|
|
|
|
10000 |
|
|
|
|
|
Амплитудная характеристика Uвых=f(Uвх).
з) Таблица 4.6
f Гц |
U1 мВ |
U6 мВ |
|
Кu=U6/U1 |
1 |
500 |
|
|
|
10 |
500 |
|
|
|
102 |
500 |
|
|
|
103 |
500 |
|
|
|
104 |
500 |
|
|
|
105 |
500 |
|
|
|
Амплитудно-частотная характеристика.
Эксперимент 3. Досліджувати схему включення транзистора із СБ.
г), д) Таблица 4.7
U1 мВ |
U2 мВ |
U6 мВ |
Rвх Ом |
Кu |
Кu дБ |
UХХ мВ |
IКЗ мА |
RВЫХ Ом |
10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Величины Rвх , Ku и RВЫХ рассчитать по формулам.
е) Осциллограммы в точках 1-6 схемы.
ж) Таблица 4.8
Е0 мВ |
U1 мВ |
U2 мВ |
U6 мВ |
Rвх Ом |
Кu |
10 |
|
|
|
|
|
100 |
|
|
|
|
|
200 |
|
|
|
|
|
500 |
|
|
|
|
|
1000 |
|
|
|
|
|
2000 |
|
|
|
|
|
Амплитудная характеристика Uвых=f(Uвх).
з) Таблица 4.9
f Гц |
U1 мВ |
U6 мВ |
|
Кu=U6/U1 |
1 |
500 |
|
|
|
10 |
500 |
|
|
|
102 |
500 |
|
|
|
103 |
500 |
|
|
|
104 |
500 |
|
|
|
105 |
500 |
|
|
|
Амплитудно-частотная характеристика.
и) Сравнительные характеристики схем включения БТ
Таблица 4.10
Параметр |
Единица измерения |
Условное обозначение |
Усилительный каскад на БТ |
||
СЕ |
СК |
СБ |
|||
Входное сопротивление |
Ом |
RВХ |
|
|
|
Выходное сопротивление |
Ом |
RВЫХ |
|
|
|
Коэффициент усиления по напряжению |
- |
KU |
|
|
|
Коэффициент усиления по току |
- |
KI |
|
|
|
Коэффициент усиления по мощности |
- |
KP |
|
|
|