- •1. Теплота и работа. Первое начало термодинамики.
- •2. Первое начало термодинамики при изохорическом, изобарическом и изотермическом процессах.
- •3. Теплоёмкость тела и вещества.
- •4. Адиабатический процесс. Уравнение Пуассона.
- •5. Политропические процессы.
- •6. Второе начало термодинамики. Обратимые и необратимые термодинамические процессы.
- •7. Круговой процесс. Тепловые и холодильные машины.
- •8. Идеальная тепловая машина Карно и её кпд.
- •9.Понятие об энтропии. Энтропия идеального газа. Статистическое истолкование второго начала термодинамики. Теорема Нернста.
- •10. Уравнение Ван-дер-Ваальса. Изотермы Ван-дер-Ваальса.
- •11. Экспериментальные изотермы реального газа. Опыт Эндрюса.
- •1 2. Понятие фазовых переходов. Критические параметры и их связь с поправками Ван-дер-Ваальса.
- •13. Внутренняя энергия реального газа.
- •14. Эффект Джоуля-Томпсона.
- •15. Электрический заряд. Свойства электрического заряда. Закон сохранения электрического заряда. Закон Кулона.
- •16. Электростатическое поле. Напряженность электростатического поля. Силовые линии. Принцип суперпозиции электростатических полей.
- •17. Поток вектора напряженности электростатического поля. Теорема Гаусса для электростатического поля в вакууме в интегральной и дифференциальной формах.
- •18. Работа по перемещению электрического заряда в электростатическом поле.
- •19. Теорема о циркуляции вектора напряженности электростатического поля в интегральной и дифференциальной формах.
- •20. Потенциал. Разность потенциалов. Принцип суперпозиции для электростатических потенциалов.
- •22. Электрический диполь. Электрический момент диполя. Напряженность и потенциал поля диполя.
- •23. Диполь во внешних однородном и неоднородном электростатических полях. Энергия диполя во внешнем электростатическом поле.
- •26. Вектор поляризации. Диэлектрическая восприимчивость полярных и неполярных диэлектриков.
- •27. Теорема Гаусса для электростатического поля в диэлектрике. Вектор электрического смещения.
- •28. Диэлектрическая проницаемость среды. Условия на границе раздела двух диэлектрических сред.
- •29. Сегнетоэлектрики. Диэлектрический гистерезис. Температура Кюри.
- •30. Электрическое поле внутри проводника и вблизи его поверхности. Электростатическая защита.
- •31. Электроемкость уединенного проводника и конденсатора. Электроемкость уединенного проводящего шара.
- •32. Конденсаторы (плоский, сферический, цилиндрический) и их соединения.
- •33. Энергия системы зарядов, проводника и конденсатора. Объемная плотность энергии электрического поля.
- •34. Условия существования и характеристики постоянного электрического тока.
- •35. Законы Ома в интегральной и дифференциальной формах.
- •36. Работа и мощность тока. Закон Джоуля-Ленца в интегральной и дифференциальной формах.
- •37. Магнитное поле. Вектор магнитной индукции. Линии магнитной индукции.
- •38. Принцип суперпозиции магнитных полей. Закон Био-Савара-Лапласа.
- •39. Расчет магнитных полей прямого проводника с током бесконечной и конечной длины.
- •40. Магнитное поле движущегося электрического заряда.
- •41. Циркуляция вектора магнитной индукции. Теорема и циркуляции вектора магнитной индукции в вакууме в интегральной и дифференциальной форме.
- •42. Магнитное поле тороида и соленоида.
- •43. Магнитный поток. Теорема Гаусса для магнитного поля в интегральной и дифференциальной формах.
- •44. Сила Ампера. Взаимодействие параллельных проводников с током.
- •45. Магнитный момент контура с током. Механический момент, действующий на контур с током в однородном магнитном поле.
- •46. Работа перемещения проводника и контура с током в магнитном поле.
- •47. Сила Лоренца. Масс-спектрометрия.
- •48. Эффект Холла.
- •49. Опыты Фарадея. Закон электромагнитной индукции. Вихревое электрическое поле. Токи Фуко.
- •50. Явление самоиндукции. Индуктивность.
- •51. Энергия контура с током. Энергия и объёмная плотность энергии магнитного поля.
- •52. Атом в магнитном поле. Магнитные моменты электронов и атомов. Орбитальный и спиновой магнитные моменты.
- •53. Намагниченность. Микротоки и макротоки. Магнитная восприимчивость и магнитная проницаемость среды.
- •54. Типы магнетиков. Магнитная восприимчивость диамагнетиков и парамагнетиков.
- •55. Элементарная теория диа- и парамагнетизма.
- •56. Ферромагнетики. Магнитный гистерезис. Точка Кюри.
- •57. Вихревое электрическое поле. Ток смещения. Первое и второе уравнения Максвелла в интегральной форме.
- •58. Полная система уравнений Максвелла для электромагнитного поля в интегральной и дифференциальной формах. Материальные уравнения. Граничные условия.
- •59. Электромагнитные волны. Волновое уравнение. Основные свойства электромагнитной волны.
- •60. Энергия электромагнитной волны. Вектор Умова — Пойнтинга.
- •61. Интенсивность света при суперпозиции двух монохроматических волн. Интерференция света.
- •62. Время и длина когерентности. Способы получения когерентных волн.
- •6 3. Интерференция света на тонких пленках. Интерференционные приборы.
- •64. Явление дифракции света и условия её наблюдения. Принцип Гюйгенса-Френеля.
- •65. Метод зон Френеля.
- •66. Дифракция Френеля на круглом отверстии и диске.
- •67. Дифракция Фраунгофера на одной щели и на дифракционной решетке.
- •68. Дифракция рентгеновских лучей на кристаллической решетке.
- •69. Спектральные приборы. Разрешающая способность оптических приборов.
- •70. Естественный и поляризованный свет. Поляризация света при отражении и преломлении. Закон Брюстера.
- •71. Двойное лучепреломление. Поляризаторы. Закон Малюса.
28. Диэлектрическая проницаемость среды. Условия на границе раздела двух диэлектрических сред.
Напряженность результирующего поля внутри диэлектрика равна:
г де ε – диэлектрическая проницаемость среды. Диэлектрическая проницаемость вещества ε – это физическая величина, которая показывает, во сколько раз напряженность электрического поля в диэлектрике меньше напряженности электрического поля в вакууме.
С помощью теоремы о циркуляции вектора напряженности E и теоремы Гаусса для вектора электрического смещения D получим условия, устанавливающие взаимосвязь между характеристиками электростатического поля на границе двух диэлектриков. Применим теорему о циркуляции вектора напряженности E по замкнутому контуру L, который вытянут вдоль границы раздела диэлектриков. Будем стягивать этот контур к границе так, чтобы длина его участков, пересекающих границу, стремилась к нулю.
В этом предельном случае вклад в циркуляцию будут вносить только те участки контура, которые параллельны границе. Тогда получим:
Теперь запишем теорему Гаусса для замкнутой поверхности S в виде короткого цилиндра. При уменьшении высоты цилиндра (∆h→ 0) поток вектора электрического смещения D через замкнутую поверхность S будет определяться только потоком через верхнее и нижнее основания цилиндра. При отсутствии свободных зарядов на границе диэлектриков (q = 0) получим: => Резюмируя, можно сказать, что при переходе через границу раздела двух диэлектриков нормальная составляющая вектора электрического смещения Dn и тангенциальная составляющая вектора напряженности Eτ изменяются непрерывно. Тангенциальная же составляю-щая вектора электрического смещения Dτ и нормальная составляющая вектора напряженности Enпри переходе через границу раздела претерпевают разрыв. Заметим, что при наличии свободных зарядов на границе раздела . Закон преломления линий вектора электрического смещения D(линий вектора напряженности E)
29. Сегнетоэлектрики. Диэлектрический гистерезис. Температура Кюри.
Существует группа кристаллических диэлектриков, для которых характерно резкое повышение диэлектрической проницаемости в некоторой области температур. Это и послужило в дальнейшем основанием для выделения специального класса диэлектриков – сегнетоэлектриков. Сегнетоэлектрики отличаются от остальных диэлектриков рядом характерных особенностей: 1. В то время как у обычных диэлектриков значение диэлектрической проницаемости ε составляет несколько единиц, диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков бывает порядка нескольких тысяч. 2. Для сегнетоэлектриков отсутствует линейная зависимость между вектором поляризации P и вектором напряженности E электрического поля. Следовательно, диэлектрическая проницаемость ε (и диэлектрическая восприимчивость ӕ) сегнетоэлектрик ов оказывается зависящей от напряженности поля.3. Для сегнетоэлектриков характерно явление диэлектрического гистерезиса. При изменении поля значения поляризованноcти Р (или электрического смещения D) сегнетоэлектрика отстают от напряженности внешнего электрического поля Е, в результате чего Р (и D) определяются не только величиной Е в данный момент, но и предшествующими значениями, т. е. зависят от предыстории диэлектрика (от его предшествующих состояний поляризации). При циклических изменениях поля зависимость Р от Е изображается кривой (рис. 2.10.2), называемой петлей гистерезиса. При повышении напряженности Е увеличение поляризованности Р определяется кривой 1, которая нелинейна. Если затем уменьшать Е, то имеет место «запаздывание» в уменьшении поляризованности Р (кривая 2). При Е = 0 поляризованность Р = Рост(остаточная поляризация). Для снятия остаточной поляризации нужно создать электрическое поле противоположного направления (Е = –Ек – коэрцитивная сила, от лат. coercitio – удерживание). Дальнейшее уменьшение значения напряженности приводит к возникновению поляризации противоположного направления, а последующее уменьшение модуля Е вновь характеризуется «запаздыванием» в изменении значения Р (кривая 3). В результате периодического изменения электрического поля Е (от -Е* до Е*) кривые 2, 3 для поляризованности Р образуют характерную петлю гистерезиса. Кривая 1 называется основной кривой поляризации сегнетоэлектрика. 4. Сегнетоэлектрические свойства сильно зависят от температуры. При температурах, превышающих определенное значение Tk , различное для разных веществ, эти свойства исчезают. При достижении этой температуры имеет место превращение сегнетоэлектрика (фазовый переход) в обычный полярный диэлектрик. Указанная температура называется температурой (или точкой) Кюри (в честь французского физика Пьера Кюри). 5. Экспериментальные и теоретические исследования показали, что поляризация сегнетоэлектриков является следствием взаимодействия всех молекул сегнетоэлектрика, в связи с чем диполи элементарных ячеек кристалла выстраиваются в определенном направлении под действием внутреннего электрического поля, созданного соседними молекулами сегнетоэлектрика. При этом образуются самопроизвольно поляризованные области – домены, в пределах которых все диполи ориентированы в одном направлении. Эта спонтанная (самопроизвольная) поляризация соответствует минимуму энергии домена.