- •10. Разработка конструктивно-технологических ограничений
- •10.1. Конструкторско-технологические ограничения
- •Расчет конструкторско-технологических ограничений Расчет размеров контактных окон к эмиттеру, коллектору и базе
- •Расчет размеров остальной металлизации
- •Расчет размера зазора между дорожками металлизации
- •Расчет размера эмиттера и внешнего коллектора
- •Учёт неодномерности процессов диффузии:
- •Расчет размера базы
- •Расчет размера коллектора
- •Расчет разделительных областей
- •Расчет расстояний до разделительной области
- •Расчет расстояния между базой и разделительной областью
- •Расчет расстояния между базой и глубоким коллектором
- •Расчет расстояния между глубоким коллектором и разделительной областью
- •Расчет размеров скрытого коллекторного слоя
- •Расчет поперечных размеров структуры
Расчет конструкторско-технологических ограничений Расчет размеров контактных окон к эмиттеру, коллектору и базе
|
Рис. 10.2. Контактное окно |
Минимальный размер окна, который может быть создан на фотошаблоне определяется величиной .
Реальный размер контактного окна в структуре:
при жидкостном травлении:
мкм
С учетом случайной погрешности:
Расчет размеров металлизации контактных окон
|
Рис. 10.3. Металлизация контактных окон |
Минимальный размер металлизации должен обеспечить пререкрытие всего контактного окна:
мкм – некоторый запас (под крылышками металлизации), а слагаемое учитывает наклон стенок окисла равный 45 (т.к. при получении окон под металлизацию желательно использовать жидкостное травление). Тогда номинальный размер металлизации рассчитывается по аналогии с предыдущими выкладками:
Максимальный размер металлизации:
Размер
на фотошаблоне должен обеспечить номинал
в
при занижении размера относительно ФШ,
поэтому:
мкм.
Здесь предположим, что травление ионное или плазмохимическое.
Расчет размеров остальной металлизации
Номинальная толщина дорожки металлизации в месте отсутствия контакта (рис. 10.4) определяется из минимально возможного размера на фотошаблоне, он равен N. С учетом неточности изготовления окна ФШ, фотолитографии и бокового подтравливания реальный размер дорожки металлизации:
мкм
Минимальный размер:
мкм.
|
Рис. 10.4. Металлизация |
Обычно здесь получается размер слишком маленьким, тогда приходится делать дорожку шире N и надо проверять, достаточна ли толщина шины, исходя из плотности тока.
Найдём перекрытие контактного окна металлизацией:
Ширина дорожки металлизации в месте контакта на структуре с учётом процессов фотолитографии и ошибки совмещения будет равно:
мкм, мкм.
При формировании металлизации всегда имеет место боковое подтравливание, вследствие которого ширина слоя металла становить меньше примерно на его толщину. Поэтому ширина контактного окна на фотошаблоне будет равна:
мкм.
Расчет размера зазора между дорожками металлизации
Зазор между дорожками металлизации WД также определяется технологической нормой. Реальный размер в структуре:
мкм.
Минимальный размер:
мкм,
– вследствие случайной ошибки от соседних дорожек.
Расчет размера эмиттера и внешнего коллектора
|
Рис. 10.4. Совмещение эмиттера и контактного окна |
При расчете минимальных размеров эмиттерной области необходимо учесть, что контактное окно к эмиттеру не должно выходить из области эмиттера, т.е. необходимо учесть ошибку совмещения. Считая, что области совмещались по метке, создаваемой при формировании эмиттера, получаем:
мкм
Берем четыре ошибки совмещения, считая, что совмещение при создании контактных окон осуществляется не с эмиттерным слоем, а с ранее созданной меткой, по которой совмещались все слои.
Учёт неодномерности процессов диффузии:
|
Рис. 10.5. «Расползание» примеси под маску во время диффузии |
Во время диффузии примесь «расползается» на величину LII=(0,7…0,85)·LЭ. Тогда номинальный размер эмиттера:
Здесь =0,4 мкм – глубина эмиттерной области.
Максимальный размер:
Размер окна для диффузии примеси в эмиттер на фотошаблоне:
Если размер на фотошаблоне получится меньше технологической нормы, берем Wэ ФШ=N, и пересчитываем, соответственно, размер эмиттера в структуре.
Если структура изолирована диэлектрическими областями (щелевая или изопланарная изоляция), то край окна для создания эмиттера совпадает с краем изолирующей области (рис. 10.6), т.е. отступ между эмиттером и базой будет только в одну сторону. Боковая диффузия эмиттера и базы в сторону канавки идти не будет, ошибки совмещения и все погрешности тоже считаются только в одну сторону, где рассчитываемая область не ограничена диэлектриком:
|
Рис. 10.6. Изопланар |
мкм.