- •Работа № 1 исследование полупроводниковых фотодиодов
- •1.1. Основные сведения о полупроводниковых фотодиодах
- •1.2. Описание установки
- •1.3. Исследование полупроводникового фотодиода. Проведение измерений
- •Перевести переключатели на стенде в положения выкл и хх.
- •1.4. Обработка результатов и содержание отчета
- •1.5. Контрольные вопросы
-
ВАЖНО! Убедиться, что переключатели на стенде находятся в положениях «ВЫКЛ» и «ХХ». Включение и выключение блоков питания производить только в этих положениях переключателей на стенде.
-
Используемые в работе источники питания могут обеспечить широкий диапазон подаваемых напряжений и токов, значительно превышающий допустимые параметры как для светодиода, так и для фотоприемника. Во избежание выхода установки из строя при регулировании значений смещения следует пользоваться в основном только ручкам "FINE" ("Точно") на обоих блоках питания.
-
Убедиться, что ручки регулирования тока на блоке питания светодиода находятся в крайних положениях против часовой стрелки. Включить блок питания светодиода. Убедиться, что блок находится в режиме стабилизации по току (горит красный светодиод на блоке). Во время работы ток светодиода не должен превышать 30 мА. В случае неправильной настройки блока следует позвать преподавателя.
-
Убедиться, что ручки регулирования напряжения на блоке питания фотодиода находятся в крайних положениях против часовой стрелки. Включить блок питания ФД. Убедиться, что блок находится в режиме стабилизации по напряжению (горит зеленый светодиод на блоке). Включить вольтметр и амперметр. Значения тока и напряжения на блоке питания не соответствуют истинным параметрам для фотоприемника. Задаваемое напряжение следует контролировать на дополнительном вольтметре. Значение напряжения на этом вольтметре не должно превышать 1 В.
-
Исследовать вольт-амперную характеристику фотодиода без освещения. Установить ручки регулирования тока на блоке питания светодиода в крайнее положениях против часовой стрелки. Убедиться, что установлено значение нагрузочного сопротивления фотодиода Rн = 0 кОм. Переключить на стенде регулятор в положение «ИП». Измерить обратную ветвь темновой ВАХ фотодиода (переключив в режим «обратная», изменяя напряжение на блоке питания ФД от 0 до 1 В через 0,2 В (значение напряжения следует контролировать по дополнительному вольтметру). Уменьшить напряжение питания до нуля и переключить в положение «прямая», и измерить прямую ветвь ВАХ при тех же напряжениях. При измерении контролировать изменение знака тока и напряжения.
-
Исследовать вольт-амперную характеристику фотодиода при различных освещенностях фоточувствительной площадки. Изменять ток на блоке питания светодиода от 5 мА до 30 мА через 5 мА и при каждом токе измерить ВАХ аналогично предыдущему пункту.
-
Исследовать зависимость фототока короткого замыкания Iкз от величины светового потока, изменяя значение тока на светодиоде от 0 мА до 30 мА через 5 мА. При этом переключатель на стенде перевести в положение «КЗ».
-
Исследовать зависимость Uхх от величины светового потока при тех же значениях тока, протекающего через светодиод, при которых снималась аналогичная зависимость для Iкз. При измерении напряжения холостого хода необходимо, чтобы Rн = ∞, а величина тока в цепи фотодиода равнялась нулю, для этого переключить на стенде регулятор в положение «ХХ».
-
Установить Rн = 10 кОм. Измерить световую характеристику фотодиода (Iф = f(Ф)) в вентильном режиме работы (положение «КЗ») Значение тока на светодиоде изменять от 0 мА до 30 мА через 5 мА.
-
Исследовать нагрузочные характеристики фотодиода в вентильном режиме работы (положение «КЗ»). Установить ток светодиода 20 мА. Изменяя сопротивление нагрузки Rн, измерить значение тока в цепи фотодиода и напряжения на фотодиоде при каждом значении сопротивления.
-
Перевести переключатели на стенде в положения выкл и хх.
1.4. Обработка результатов и содержание отчета
В отчете должны быть представлены:
-
Цель работы.
-
Схема измерительной установки.
-
Принципиальные электрические схемы для каждого типа измерений.
-
Вольт-амперные характеристики фотодиода, измеренные в темноте и при различных освещенностях, изображенные на одном графике.
-
Световые и нагрузочные характеристики фотодиода.
-
Результаты определения из ВАХ фотодиода квантового выхода с использованием (1.6). Мощность излучения светодиода считать равной 2 мВт, а длину волны – 720 нм.
-
Расчет чувствительности фотодиода с использованием (1.7). Расчет проводить только для максимальной освещенности. Провести анализ полученных данных.
-
Расчет величины IS из выражения (1.3) с использованием экспериментальных значений Uхх и Iкз при одинаковых значениях светового потока. Сравнить полученное значение с величиной IS, полученной из вольтамперной характеристики неосвещенного фотодиода. Расчет проводить только для максимальной освещенности. Провести анализ полученных данных.
-
Результаты определения из нагрузочных характеристик Rн, при котором мощность фотодиода в вентильном режиме работы будет максимальной.
-
Выводы (подробно каждую зависимость, почему такая).
1.5. Контрольные вопросы
-
Каковы физические основы работы фотодиодов?
-
Чем определяется спектральная чувствительность фотодиода?
-
Чем различаются вентильный и фотодиодный режимы работы фотодиода?
-
Какую максимальную мощность, снимаемую с фотодиода, можно получить в вентильном режиме работы?
-
Пояснить влияние изменения сопротивления нагрузки на фотоэлектрические характеристики фотодиода.
-
Какие физические явления определяют инерционные свойства фотодиодов?
-
Как влияют сопротивление нагрузки и величина напряжения, приложенного к фотодиоду, на инерционные свойства фотодиода?
-
Указать основные области применения полупроводниковых фотодиодов.
-
Что такое p-i-n-фотодиоды и лавинные фотодиоды? В чем их преимущества и недостатки?
-
Какие фотоприемники используются в волоконно-оптических линиях связи?