5. Нахождение тока насыщение Iнас

									Таблица 11
Iсд,мА	10	20	30	40	50	60	70	80	90
Iкз,мА	-0,26	-0,55	-0,86	-1,11	-1,31	-1,43	-1,51	-1,58	-1,62
Uхх,В	0,341	0,358	0,37	0,378	0,384	0,387	0,393	0,396	0,4
Iнас,А	-4,91E-10	-5,39E-10	-5,30E-10	-5,02E-10	-4,70E-10	-4,57E-10	-3,83E-10	-3,57E-10	-3,13E-10
Ф, мВт	0,3	0,45	0,8	1	1,2	1,45	1,62	1,85	2,2

Вывод: в ходе данной лабораторной работы были исследованы основные характеристики двух полупроводниковых приемников оптического излучения – фоторезистора и фотодиода.

На полученной ВАХ фоторезистора (рис. 4) было установлено, что при малых напряжениях зависимость имеет нелинейных характер, при б0льших напряжениях зависимость становится линейной. Используя ВАХ, была найдена кратность изменения сопротивления N=1784 (при 10 В), что является мерой чувствительности резистора. С помощью световой характеристики (рис. 5) были определены два параметра фоторезистора: А=0,8 и x=1 (обычно для фоторезисторов параметр x<1).

При построении ВАХ фотодиода (рис. 6) было определено, что при отсутствии излучения график представляет собой обратную ветвь вольтамперной характеристики обычного полупроводникового диода (присутствует небольшой обратный ток). Однако, при наличии светового потока, сопротивление фотодиода уменьшается и обратный ток фотодиода возрастает. Чем больше света падает, тем больший обратный ток течет через фотодиод. Построив световую характеристику светодиода (рис. 7), была рассчитана его чувствительность S_I (критерий качества светодиода)

12