ДЕ 04 «Полупроводниковые приборы» (амс;;)
№ 3.1.1
Коэффициент усиления по току больше в схеме с…
В- общей базой
В- общим питанием
В- общим эмиттером
В+ общим коллектором
№ 3.1.2
Входная характеристика транзистора при включении по схеме ОЭ – это зависимость…
В+ тока базы от напряжения между базой и эмиттром
В- тока базы от напряжения между базой и коллектором
В- тока коллектора от напряжения между базой и эмиттром
В- тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттром
№ 3.1.3
Выходная характеристика транзистора при включении по схеме ОЭ – это зависимость…
В- тока базы от напряжения между базой и эмиттром
В- тока базы от напряжения между базой и коллектором
В- тока коллектора от напряжения между базой и эмиттром
В+ тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттром
№ 3.1.4
Коэффициенты усиления по току в схемах с общим эмиттером (β) и общей базой (α) связаны соотношением…
В-
В+
В-
В-
№ 3.1.5
Расставьте в хронологическом порядке изобретения, обеспечившие научно-техническую революцию в электронике…
П1 точечный диод
П2 плоскостной диод
П3 биполярный транзистор
П4 полевой транзистор
П5 интегральная схема
П6 микропроцессор
№ 3.1.6
Основным экспериментальным методом исследования плотности электронных состояний является…
В+ изучение рентгеновских спектров кристаллов
В- метод химического анализа
В- метод компьютерной томографии
В- изучение температурной зависимости проводимости
№ 3.1.7
Образование контакта между двумя твердыми кристаллическими телами с различными зонными структурами приводит…
В- к увеличению ширины запрещенной зоны
В- к уменьшению ширины запрещенной зоны
В+ к выравниванию их уровней Ферми
В- к исчезновению их уровней Ферми
№ 3.1.8
Коэффициенты усиления по току в схемах с общими базой (α) , эмиттером (β) и коллектором (γ) связаны соотношением…
В+
В-
В-
В-
№ 3.1.9
Связанное состояние электрона и дырки, образующееся в результате их кулоновского взаимодействия и способное к перемещению по кристаллу, называют…
В- фононом
В- позитроном
В- плазмоном
№ 3.1.10
Гетеропереходом называют контакт, образованный двумя полупроводниками с различием в …
В- типе примеси
В- концентрации носителей заряда
В- знаке основных носителей заряда
В+ ширине запрещенной зоны
№ 3.1.11
Основным свойством гетероперехода является возможность образования в нем…
В- свободных зарядов
В- дополнительных носителей тока
В- инжектированных зарядов
В+ локализованных состояний
№ 3.1.12
Образование поперечной разности потенциалов на боковых поверхностях полупроводника с током, помещенного в магнитное поле, называют эффектом…
В- Пельтье
В- Комптона
В- Джоуля - Ленца
В+ Холла
№ 3.1.13
Поглощение теплоты в p-n переходе при протекании тока называют эффектом…
В+ Пельтье
В- Комптона
В- Джоуля - Ленца
В- Холла
№ 3.1.14
Знак эффекта Холла зависит от следующих факторов:
В+ знака основных носителей заряда
В+ направления движения основных носителей заряда
В- знака неосновных носителей заряда
В- направления движения неосновных носителей заряда
№ 3.1.15
Увеличение концентрации носителей тока в полупроводнике приводит к тому, что постоянная Холла …
В- увеличивается
В+ уменьшается
В- не изменяется
№ 3.1.16
Сопротивление p-n перехода …
В- увеличивается с ростом прямого напряжения
В- не зависит от приложенного напряжения
В+ увеличивается с ростом обратного напряжения
В- уменьшается с ростом обратного напряжения
№ 3.1.17
Барьер Шоттки образуется при контакте металла и полупроводника за счет …
В+ обеднения поверхностного слоя полупроводника электронами
В- обогащения поверхностного слоя полупроводника электронами
В- обеднения поверхностного слоя металла электронами
В- обогащения поверхностного слоя металла электронами
№ 3.1.18
Отрицательная обратная связь в усилителях используется для …
В- инверсии фазы сигнала
В- генерации сигнала
В+ уменьшения нелинейных искажений
В- увеличения коэффициента усиления
№ 3.1.19
Положительная обратная связь в усилителях используется для …
В- инверсии фазы сигнала
В+ генерации сигнала
В- уменьшения нелинейных искажений
В- уменьшения коэффициента усиления
№ 3.1.20
В усилительных каскадах с положительной обратной связью могут происходить …
В- свободные колебания
В- затухающие колебания
В- вынужденные колебания
В+ автоколебания
№ 3.1.21
Инвертором называется электрическая схема, реализующая функцию логического …
В+ НЕ
В- ИЛИ
В- И
В- ИЛИ - НЕ
В- И - НЕ
№ 3.1.22
Коэффициент усиления многокаскадного усилителя равен …
В+ произведению коэффициентов усиления всех каскадов
В- сумме коэффициентов усиления всех каскадов
В- коэффициенту усиления первого каскада
В- коэффициенту усиления последнего каскада
№ 3.1.23
Нелинейными искажениями усилителя называют появление на его выходе наряду с основным сигналом …
В+ сигналов с частотами, кратными исходной
В- сигналов с частотой питающего напряжения
В- постоянной составляющей
В- «белого» шума
№ 3.1.24
Наличие отрицательной обратной связи в усилителе приводит к следующим результатам:
В- увеличению коэффициента усиления
В+ стабилизации коэффициента усиления
В- увеличению температурной зависимости
В+ уменьшению нелинейных искажений
№ 3.1.25
Усилитель тока имеет следующую характерную черту ...
В+ равенство нулю низшей граничной частоты
В- плоская амплитудно-частотная характеристика
В- отсутствие нелинейный искажений
В- малая входная емкость
№ 3.1.26
Амплитудной модуляцией называют зависимость от сигнала …
В- выходной несущей частоты
В+ выходного напряжения несущей частоты
В- фазы несущей частоты
В- поляризации несущей волны
№ 3.1.27
Операционный усилитель по схемной реализации является усилителем ….
В+ постоянного тока
В- звуковой частоты с индуктивной связью
В- звуковой частоты с емкостной связью
В- с положительной обратной связью
№ 3.1.28
Укажите основания систем исчисления, наиболее широко используемые в компьютерной технике:
В+ 2
В- 4
В- 8
В- 10
В+ 16
№ 3.1.29