Методы повышения быстродействия

Повышения быстродействия ОП можно добиться за счет применения следующих методов:

• Повышение быстродействия ядра микросхем ОЗУ. Данный метод целиком и полностью опирается на достижения современной микроэлектроники и применяется производителями в виде внедрения все более совершенных техно-логий производства микросхем. За счет этого удается повысить тактовые частоты работы микросхем памяти.

• Оптимизация доступа к ОЗУ. Данный метод связан с применением различных режимов доступа к ОЗУ. В каждом из режимов в той или иной степени используется свойство локальности по обращению, что позволяет уменьшить среднее время цикла ОЗУ.

• Структурные методы повышения быстродействия. К данным методам относятся блочная организация ОП с чередованием адресов, а также пакетная и конвейерная обработка множества доступов к ОП.

Повышение быстродействия ядра микросхем озу

Разработчики микросхем ОЗУ тратят значительные усилия на повышение их быстродействия, которое принято характеризовать четырьмя параметрами:

• t_RAC— минимальное время от перепада сигнала RAS с высокого уровня к низкому до момента появления и стабилизации считанных данных на выходе микросхемы. Соответствует времени доступа T_A;

• Минимальное время от начала доступа к одной строке микросхемы памяти до начала доступа к следующей строке - длительность цикла памяти Тр;

• t_CAC — минимальное время от перепада сигнала CAS с высокого уровня к низкому до момента появления и стабилизации считанных данных на выходе микросхемы (t_CAC ~1/4 t_RAC);

• Трс — минимальное время от начала доступа к одному столбцу микросхемы памяти до начала доступа к следующему столбцу (T_РС ~ 2/3 t_RAC).

Возможности «ускорения» ядра микросхемы ЗУ весьма ограничены Как и повышение тактовых частот микропроцессоров, указанный метод повышения быстродействия является экстенсивным.

Оптимизация доступа к озу

Оптимизация доступа к ОЗУ относится к интерфейсной части микросхем памяти. Методы оптимизации касаются главным образом операции чтения, т.е. способов доставки содержимого ячейки на шину данных. Рассмотрим наиболее распространенные режимы чтения:

При использовании последовательного режима адрес и управляющие сигналы подаются на микросхему до поступления синхроимпульса.

Последовательный режим фактически не содержит элементов оптимизации, и, как правило, микросхемы памяти переходят в последовательный режим при так называемых «наихудших» условиях, когда иные режимы работы неприменимы.