Конденсатори й індуктивні елементи

У найпростішому випадку плівковий конденсатор має тришарову структуру: два металевих шари (обкладки конденсатора) з діелектричним шаром між ними, у більш складних — багатошарову. Багато показників плівкових конденсаторів в основному залежать від властивостей діелектричного шару: його матеріалу, товщини і способу одержання, а склад діелектричного шару обумовлює відповідний підбор матеріалу обкладок конденсатора.

Як матеріал обкладок частіше застосовують алюміній, незначна через оксидні процеси на його поверхні.

Технологічні методи нанесення на підкладку провідних і діелектричних плівок ті ж, що і при виготовленні плівкових резисторів. Діапазон номінальних значень ємкостей при прийнятних розмірах плівкових конденсаторів складає 10—10000 пф при робочій напрузі до 15 В. У разі потреби використання в гібридних ІМС великих ємкостей застосовують дискретні конденсатори.

Т онкоплівкові індуктивні котушки в гібридних ІМС виконують на підкладці у виді круглої (мал.3.10,а) або прямокутної (мал. 3.10, б) спіралі.

Малюнок 3.10- Конструкція індуктивних елементів

Максимальне значення індуктивності для плівкових схем не перевищує 5 кмГн при невеликій (Q=50) обумовленій втратами в омічному опорі котушок. У цьому зв'язку у гібридних ІМС часто застосовують мікромініатюрні дискретні індуктивні котушки.

Активні компоненти

Як активні компоненти гібридних ІМС застосовуються дискретні напівпровідникові діоди, транзистори, тиристори, напівпровідникові ІМС, ГІМС частіше в безкорпусному виконанні. Використовуючи ці компоненти, особливо ІМС, можна гнучко вирішувати ряд складних інженерних задач по створенню нетипових функціональних вузлів, застосовуваних у радіоелектронній апаратурі. При цьому для досягнення оптимальних електричних параметрів на одній підкладці гібридної ІМС можна сполучати активні компоненти, виконані по різних технологіях: біполярної, МОН і т.д. Використання дискретних активних компонентів дозволяє в ряді випадків створити зразки силових гібридних ІМС, що представляє серйозні труднощі на сучасному етапі при спільному виготовленні малопотужних і могутніх активних елементів на одному кристалі у вигляді напівпровідникової ІМС.

Провідники і контактні площадки

Об'єднання плівкових пасивних елементів і начіпних компонентів у гібридну ІМС здійснюється плівковими провідниками і контактними площадками. Такі елементи повинні мати добру електропровідність, не вносити перекручувань у передані сигнали, не створювати паразитних зворотніх зв'язків і мати надійний, невипрямляючий, малошумний контакт з елементами і компонентами схеми. Цим часто суперечливим вимогам нелегко задовольнити одночасно.

Для напилювання плівкових провідників і контактних площадок найбільш підходящими матеріалами є золото, срібло, мідь і алюміній. Недоліком золота крім високої вартості є низька адгезія до підкладки; недоліком срібла і міді — висока міграційна рухливість. Тому зазначені матеріали використовують у сполученні з підшарами нікелю, хрому, ніхрому й ін. Кріплення начіпних компонентів із твердими висновками до контактних площадок здійснюють пайкою, ультразвуковим зварюванням, термокомпресією, променем лазера й ін. Компоненти з гнучкими виводами припаюють або приклеюють за допомогою епоксидних клеїв.