- •Исследование свойств и характеристик полупроводниковых структур
- •Даются описание лабораторных установок, порядок выполнения работы, задания и краткие сведения из теории.
- •Редактор э.Б. Абросимова
- •Цель работы
- •Классификация полупроводниковых материалов
- •Электропроводимость полупроводников Собственная проводимость полупроводников
- •Примесная проводимость полупроводников
- •Простые полупроводниковые материалы Германий
- •Кремний
- •Электронно-дырочный переход при воздействии внешнего электрического поля
- •Переход металл - полупроводник
- •Невыпрямляющий (омический) переход
- •Выпрямляющий переход
- •Полупроводниковые приборы Полупроводниковые диоды
- •Биполярный транзистор
- •Диодные включения транзисторов
- •Содержание работы
- •Описание лабораторной установки
- •Описание програмного интерфейса Основное меню
- •Панель инструментов
- •Окно измерений
- •Меню настройки
- •Порядок выполнения работы
- •Обработка результатов
- •Часть I «Исследование диодных структур» содержит:
- •Часть II «Исследование транзисторных структур» содержит:
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
Кремний
Кремний является элементом IV группы Периодической системы химических элементов Д.И.Менделеева. После кислорода это самый распространенный элемент в земной коре. Он составляет примерно 1/4 массы земной коры. Однако в свободном состоянии в природе он не встречается. Его соединениями являются такие распространенные природные материалы, как кремнезем и силикаты. Песок и глина, образующие минеральную часть почвы, также представляют собой соединения кремния.
Из соединении кремний получают несколькими способами. Чаще всего используют метод восстановления четыреххлористого кремния SiCl4 парами цинка или водорода.
В технологическом отношении кремний более сложный материал, чем германий, так как он имеет высокую температуру плавления 1414°С и в расплавленном состоянии химически активен (вступает в реакцию со всеми материалами, из которых изготавливают тигли).
Кристаллический кремний - темно-серое твердое и хрупкое вещество с металлическим блеском, химически довольно инертное.
Основной параметр полупроводниковых приборов - ширина запретной зоны при температуре 20°С W=1,12эВ. Это позволяет создавать кремниевые полупроводниковые приборы с относительно высокой рабочей температурой (до 125°С). Верхний температурный предел работы кремниевых приборов достигает 200°С.
Концентрация собственных носителей зарядов при комнатной температуре ni=31016м-3. Удельное электрическое сопротивление кремния с собственной электропроводностью ρ=2,3103Ом·м, резко уменьшается при увеличении концентрации примесей. При низких температурах (Т<6,7К) и высоких давлениях (Р>12ГПа) кремний переходит в сверхпроводящее состоя-ние, т.е. удельное электрическое сопротивление кремния уменьшается до нуля.
При использовании монокристаллического кремния в полупроводниковом производстве имеют место большие потери этого материала. Это связано с тем, что большинство полупроводниковых приборов основано на процессах, происходящих в очень узких граничных или поверхностных слоях полупроводника. Остальной объем монокристалла является паразитной частью и чаще всего ухудшает параметры прибора. Большая часть материала теряется при механической обработке слитков (резке на пластины, шлифовке, полировке и т.д.).
С целью уменьшения этих потерь в полупроводниковом производстве применяют кремний в виде монокристаллических тонких слоев, которые осаждают на объемные монокристаллы, которые называют подложками.
Такие монокристаллические слои, сохраняющие кристаллографическую ориентацию подложки, называют эпитаксиалъными. В качестве подложек используют монокристаллы кремния, сапфира, корунд и др.
В зависимости от характера влияния на тип электропроводности примеси делят на нейтральные, донорные, акцепторные и создающие в запретной зоне кремния глубокие энергетические уровни.
К нейтральным примесям кремния относят водород, азот, инертные газы, а также элементы IV группы Периодической системы химических элементов Д.И.Менделеева (германий, олово, свинец).
Основными донорными примесями являются элементы V группы Периодической системы химических элементов Д.И.Менделеева (фосфор, мышьяк, сурьма, висмут).
В качестве акцепторной примеси для кремния в основном используют элементы III группы Периодической системы химических элементов Д.И.Менделеева (бор, алюминий).
Элементы I,II,VI,VII гpyпп создают в запретной зоне кремния глубокие энергетические уровни и могут быть донорами и акцепторами. В качестве таких примесей чаще всего применяют золото и цинк. При легировании золотом в кремнии образуются дополнительные центры рекомбинации носителей заряда, что уменьшает время жизни неравновесных носителей заряда.
Легирование кремния производят в процессе получения объемных монокристаллов и эпитаксиальных пленок.
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ
В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХ
Различают два вида контактных явлений в полупроводниках:
- электронно-дырочный переход;
- переход металл-полупроводник.
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД
Область на границе двух полупроводников с различными типами электропроводности называется электронно-дырочной или р-n-переходом.
Электронно-дырочный переход является рабочим элементом большинст-ва полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов, тиристоров и т.д.) и интегральных микросхем.
Электронно-дырочный переход
при отсутствии внешнего электрического поля
В каждом из полупроводников р- и n-типов, объединенных в общую структуру, заряды совершают беспорядочное тепловое движение. В результате происходит их диффузия из одного полупроводника в другой. Как и при любой другой диффузии, например в газах и жидкостях, носители заряда перемещаются из области с большей концентрации в область с меньшей. Так из области полупроводника р-типа дырки диффундируют область полупроводника n-типа, а электроны из n-области в р-область (рис. 5). Концентрации основных и неосновных носителей, обусловливающие диффузию, изображены на графике (рис. 5).
Движение заряженных частиц под действием градиента концентрации называется диффузией, а обусловленный этим движением ток называется диффузионным.
Диффузия основных носителей (электронов и дырок) создает ток, состоящий из двух составляющих:
Iдиф= Inдиф +Ipдиф.
В результате диффузии носителей по обе стороны границы раздела создаются объемные заряды.
Дырки, пришедшие в область n, рекомбинируют с электронами, что приводит к созданию в пограничной области объемного заряда положительного знака, образованного главным образом положительно заряженными ионами атомов донорной примеси и, в небольшой степени, - пришедшими в эту область дырками. Подобно этому в области р возникает отрицательный объемный заряд, образованный отрицательно заряженными ионами акцепторной примеси и, отчасти, пришедшими сюда электронами.
Рис. 5. р-n-переход при отсутствии внешнего электри-ческого поля |
Между образовавши-мися объемными зарядами возникает так называемая контактная разность потен-циалов (рис. 5): Δφk=φn–φp. Таким образом, в p-n-переходе возникает потенциальный барьер, препятствующий диффузи-онному переходу носите-лей. Высота барьера равна контактной разности по-тенциалов и не превышает для германия 0,7В, а для кремния 1,1В. В результате чего диффузионный ток убывает. Одновременно с диффузионным перемеще-нием основных носителей происходит и обратное движение неосновных но-сителей под действием электрического поля кон-тактной разности потен-циалов.
|
Движение носителей заряда под действием электрического поля называют дрейфом, а ток – током дрейфа.
В данном случае дырки из n-области перемещаются в p-область, а электроны из p-области в n-область. Дрейфовый ток тоже имеет две составляющие:
Iдр= Inдр +Ipдр.
В установившемся режиме диффузионные и дрейфовые токи равны между собой, а полный ток перехода
Iпер= Iдиф +Iдр.
Следует отметить, что область р-n-перехода, обедненная подвижными носителями, обладает повышенным сопротивлением и называется запирающим слоем.