2.7.Расчет источника тока входного каскада.

Рассчитаем источник тока входного каскада. Ток коллектора транзистора VT9 должен быть в 2 раза больше тока коллектора транзистора VT8. Выбираем КТ816Б в качестве VT9, VT10.

Рис.20

Ток коллектора VT9 найдем по формуле (43)

I_{К VT9} = 2* I_{К VT8} (43)

Iкvt9= 2*6,9мА = 13,8мА

Коэффициент передачи по току VT9 (h21vt9) найдем по рис.7, отсюда

h21_VT9 = 90

Найдем ток базы VT9 (Iбvt9) по формуле (44)

I _{Б VT9}= I_{К VT9}/ h21_{Э VT9} (44)

Iбvt9 = 13,8мА/90 = 0,15 мА

U_{БЭ VT9}= 0,6 B

Найдем значение резистора R6 по формуле (45)

R6 = (45)

R6= (24-0,6)/13,9мА = 1683 Ом.

Рассеивающую мощность на резисторе R6 найдем по формуле (46)

P(R6) = U_R6* I_{К VT9} (46)

P(R6)=23,4*13.9мА= 0,32 Вт.

2.8.Расчет общей отрицательной обратной связи

R9 = 454 Ом.

P(R9) = 0,05В= 5,5 мкВт

U_ВЫХ=10,95 B

U_ВХ=1В.

Общий коэффициент усиления по напряжению усилителя с разомкнутой обратной связью:

K_Uобщ = K_Uвх* K_Uпр = -119*(-6,77) = 805,63

По условию технического задания:

K_U= U_ВЫХ / U_ВХ =10,95/1=10,95

R10=R9/( K_U -1)=454Ом/(10,95-1) = 45,62 Ом.

B – коэффициент передачи пассивной цепи общей отрицательной обратной связи. Он должен быть положительным и меньше единицы.

B = () =

R_вх = 5,87 кОм

К_{вх пт} = = 5870/(10000+5870)=0,37

Коэффициент усиления с общей связью:

K_Uос = 1/B = 1/0,035 = 28,5

Kг =

Заключение

В данной курсовой работе был произведен расчет усилителя низких частот с однополярным источником питания. Для получения необходимого напряжения на нагрузке была использована мостовая схема. Чтобы уменьшить нелинейные искажения в схему были включены цепи отрицательной обратной связи. Была разработана схема усилителя на биполярных транзисторах.

Все требования, отраженные в техническом задании были выполнены.

Список литературы

1. Завьялов С. А., Мурасов К.В. «Схемотехника усилителей мощности низких частот»: Учебное пособие.- Омск.: Из-во ОмГТУ.

2.П. Хоровиц У. Хилл «Искусство схемотехники»

3.Мельниченко А. Простой усилитель мощности. // Радио, 1986, №12, с 34-35.

4.Остапенко Г.С. Усилительные устройства: Учеб. пособие для вузов. – М.: Радио и связь, 1989.

5.Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника: Справ. руководство / Пер. с нем. – М.: Мир, 1983.

6.Полупроводниковые приборы: Транзисторы: справочник/ В.Л. Аронов [и др.]; под общей редакцией Н.Н. Горюнова. -2е изд. Перераб.-М,: Энергоатомизад, 1985.

7.Шкритек П. Справочное руководство по звуковой схемотехнике. - М.: Мир, 1991.

Приложение

Приложение 1.

Приложение 1- Предельно эксплуатационные параметры транзисторов КТ817Б и КТ816Б

Приложение 2

Приложение 2- Предельно эксплуатационные параметры транзисторов КТ815Б

Приложение 3

Приложение 3- Предельно допустимые параметры транзистора КТ502В

39