Методические указания к лабораторной работе (Исследование статических характеристик биполярных транзисторов)

Рис 8. Схема установки для исследования биполярных транзисторов Подключение транзистора VT к схеме установки

осуществляется с помощью штекеров ХР1...ХРЗ, которые фиксируются в одноименных входных разъемах XS1...XS3.

ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ

Для проведения работы следует ознакомиться с лабораторной установкой и приборами, необходимыми для исследований. Далее осуществлять действия в следующей последовательности.

1. Исследование входных характеристик.

1.1. Исследование входных характеристик п о схеме с общим эмиттером (ОЭ).

Установить переключатель SA1 в положение "1",

переключатели SA2, SA4 и SA5 в положение "2". С помощью потенциометра П2 зафиксировать значение UКЭ > 0, которое измерить с помощью вольтметра V. (Здесь и в дальнейшем в случае ухода стрелок вольтметра V, миллиамперметра мА и микроамперметра мкА за нулевое значение переключатели SA6,

SA3 и SA7 соответственно установить в другое положение).

Установить переключатель SA5 а положение "1". Изменяя положение потенциометра П1, с помощью микроамперметра мкА и вольтметра V снять зависимость тока IБ от напряжения UБЭ-

Результаты занести в таблицу.

IБ, мкА

UБЭ, В

Установить переключатель SA1 в положение "2". Выполнить предшествующую последовательность операций п. 1.1. ( исключая действия с SA1).

Построить график зависимости IБ=f(UБЭ) при UКЭ= const.

Установить переключатель SA4 в положение " I " . Выполнить предшествующую последовательность операций п. 1.1. (исключая

действия с SA4) поочередно для UКЭ = 0 И UКЭ < 0 И получить семейство входных характеристик по схеме с ОЭ. Используя эти характеристики, определить пряные пороговые напряжения во, еонас и

обратный ток IБ0 (см. рис. 2,б); с помощью выражения (5) определить

входное сопротивление rвх , rвх отс. ,rвх нас с помощью преобразований,

представленных на рис. 7а,г, определить параметры h11Э .

1.2. Исследование входных характеристик по схеме с общей базой (ОБ).

Установить переключатели SA1, SA4 и SA5 в положение "2",

переключатель SA2 в положение "2". С помощью потенциометра П2

зафиксировать значение UКБ > 0, которое измерить с помощью вольтметра V. Установить переключатель SA5 в положение "1".

Изменяя положение потенциометра П1 с помощью миллиамперметра мА и вольтметра V снять зависимость тока IЭ от напряжения UЭБ .

Результаты занести в таблицу

IЭ, мА

UЭБ, В

Установить переключатель SA1 в положение "2". Выполнить предшествующую последовательность операций п. 1.2. (исключая действия с SA1).

Построить график зависимости IЭ=f(UЭБ) при UКБ= const.

Построить график зависимости IК=f(UКБ) при UЭ= const.

Выполнить предшествующую последовательность операций п.2.2.

поочередно для ряда значений Iэ и получить семейство выходных

(коллекторных) характеристик. Используя эти характеристики,

определить напряжение отсечки еОК обратный ток коллектора IK0

сквозной ток коллектора IK0 (см. рис. 4), построить треугольник

приращений по выходной характеристике, определить дифференциальное выходное сопротивление (в трех режимах:

активном, отсечки и насыщения), с помощью преобразований представленных на рис. 7б,в, определить параметры h21б и h22б .

СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА

1.Цель работы.

2.Основные режимы работы и эквивалентные схемы входной и выходной цепей биполярного транзистора.

3.Схема установки для исследования биполярных транзисторов.

4.Теоретические и экспериментальные данные (таблицы и графики).

5.Выводы.

6.Контрольные вопросы.

7.Библиографический список.

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ.

1.Что называется биполярным транзистором?

2.Каковы основные принципы работы биполярного транзистора?

3.Как выглядят входные характеристики транзистора по схеме

сОБ и ОЭ? Приведите кусочно-линейную модель этих характеристик.

4.Как выглядят выходные характеристики транзистора по схеме с ОБ и ОЭ? Приведите кусочно-линейную модель этих характеристик.

5.Объясните эквивалентную схему входной цепи биполярного транзистора.

6.Объясните эквивалентную схему выходной цепи биполярного транзистора.

7.Что называют гибридными параметрами транзистора? Как определить их графо-аналитическим методом?

8.Прицедите эквивалентную схему биполярного транзистора,

использующую h-параметры.

9. Объясните работу установки для исследования биполярных

транзисторов.

10. Объясните графики, построенные по экспериментальным данным.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК Электронные приборы: Учебник для вузов / В.Н.Дудин,

Н.А.Аваев, В.П.Демин и др.; под ред. Г.Г.Шишкина - 4е изд.,

перераб. и доп. - М: Энергоатомиздат, 1989.-496 с.

Фролкин В.Т., Попов Л.Н. Импульсные и цифровые устройства: Учеб. пособие для вузов. - М.: Радио и связь, 1992.-

336с.

Полупроводниковые приборы: Справочник / В. И. Галкин,

АЛ.Булычев, П.М.Лямин.- Мн.: Беларусь, 1994.-347с.