- •Радиоэлектроника
- •Печатается по рекомендации Методического совета и по решению Редакционно-издательского совета гоу впо «Хакасский государственный университет им. Н. Ф. Катанова»
- •Предисловие
- •Лабораторная работа 1 Исследование выпрямительных схем и сглаживающих фильтров
- •Ход работы
- •Контрольные вопросы
- •Содержание отчета
- •Лабораторная работа 2 Исследование электронных ламп
- •Ход работы
- •Контрольные вопросы
- •Содержание отчета
- •Лабораторная работа 3 Исследование биполярного транзистора
- •Ход работы
- •Контрольные вопросы
- •Содержание отчета
- •Лабораторная работа 4 Исследование двухкаскадного усилителя
- •Ход работы
- •Контрольные вопросы
- •Содержание отчета
- •Лабораторная работа 5 Исследование усилителя напряжения на биполярном транзисторе
- •Ход работы
- •Контрольные вопросы
- •Содержание отчета
- •Лабораторная работа 6 Исследование избирательного усилителя
- •Ход работы
- •Контрольные вопросы
- •Содержание отчета
- •Лабораторная работа 7 Изучение нелинейных процессов. Детектирование
- •Ход работы
- •Контрольные вопросы
- •Содержание отчета
- •Лабораторная работа 8 Изучение нелинейных процессов. Амплитудная модуляция, преобразование и умножение частоты
- •Ход работы
- •Контрольные вопросы
- •Содержание отчета
- •Лабораторная работа 9 Исследование супергетеродинного приемника
- •Ход работы
- •Контрольные вопросы
- •Содержание отчета
- •Рекомендательный библиографический список
- •Приложения
- •Приборы, используемые в лабораторном практикуме Генератор г3-33
- •Работа с генератором
- •Генератор г3-102
- •Работа с генератором
- •Генератор г4-18
- •Работа с генератором в режиме непрерывной генерации
- •Работа с генератором в режиме внутренней амплитудной модуляции
- •Работа с генератором в режиме внешней амплитудной модуляции
- •Осциллограф с1-65
- •Работа с осциллографом
- •Вольтметр в7-16
- •Вольтметр в7-35
- •Методика определения h-параметров биполярного транзистора
- •Условные графические обозначения на электронных схемах*
- •Оглавление
- •Радиоэлектроника
- •Радиоэлектроника
Ход работы
Включите лабораторный щит в сеть.
Установите регуляторы напряжений Uвх иЕк в крайнее левое положение.
Установите тумблеры В1,В3,В4,В6,В9,В11в положение «Вкл»;В2иВ5– «Выкл»;В12 – «–Uвх».
Подключите к лабораторному щиту цифровой вольтметр постоянного тока Щ1516 для измерения входного напряжения
Упражнение 1. Исследование статических характеристик биполярного транзистора.
Исследуйте входные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером: Iб=f(Uбэ) при Uкэ=const.
Изменяйте входное напряжение Uвх=Uбэ, отмечайте Iвх=Iб при трех- четырех значениях Ек = Uкэ , включая случай Ек= 0.
Проделайте для каждого значения Uкэ не менее 10 – 15 измерений.
Занесите измеренные величины в таблицу и постройте графики.
Uбэ, мВ |
|
|
|
|
Iб, мкА |
|
|
|
|
|
Uкэ1, В |
Uкэ2, В |
Uкэ3, В |
Uкэ4, В |
Примечание: При измерениях удобнее выбирать значение Iб и фиксировать вызвавшее этот ток напряжение Uбэ.
Исследуйте выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером: Iк=f(Uкэ) при Iб =const.
Изменяйте напряжение Uкэ=Ек от 0 до 15 В через 1 В и измеряйте значения Iк.
Проведите измерения для токов базы от 0 до максимально возможного через 20 мкА.
Результаты измерений занесите в таблицу и постройте графики:
Uкэ, В |
|
|
|
|
|
Iк, мА |
|
|
|
|
|
Iб, мкА |
0 |
20 |
40 |
… |
max |
Исследуйте переходную характеристику биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером: Iк=f(Iб) при Uкэ=const.
Изменяйте ток базы Iб от 0 до максимально возможного через 20 мкА и измеряйте ток коллектора Iк. Проведите измерения при Uкэ=0, 5 и 10 В.
Занесите результаты измерений в таблицу и постройте графики.
Iб, мкА |
0 |
… |
max |
0 |
… |
max |
0 |
… |
max |
Iк, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uкэ=0 В |
Uкэ=5 В |
Uкэ=10 В |
Упражнение 2. Определение h-параметров биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
Определите h-параметры транзистора в схеме с общим эмиттером согласно методике, изложенной в Приложении 2. Запишите параметры точки на статических характеристиках транзистора, для которой вы определялиh-параметры.
Полученные значения h-параметров занесите в таблицу.
h11э, Ом
h12э
h21э
h22э, См
Сопоставьте экспериментально полученные h-параметры с их типовыми значениями, представленными в теоретической части лабораторной работы.
Упражнение 3. Вычисление физических параметров транзистора.
Вычислите физические параметры биполярного транзистора по следующим формулам:
rэ=h12э /h22э,
rб=h11э – [h12э(1+h21э)/h22э],
rк=(1+h21э)/h22э,
h21б=(h12э+h21э)/(1+h21э).
rб, Ом |
rк, Ом |
rэ, Ом |
h21б |
|
|
|
|