Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Основные понятия кристаллохимии

.pdf
Скачиваний:
50
Добавлен:
19.03.2016
Размер:
640.12 Кб
Скачать

 

 

 

 

21

 

 

 

 

 

синте тиче ск ие

– полученны е человеком

в

лабораторны х или

заводских

условия х – кристаллы .

 

 

 

 

 

 

 

 

П о

степени

структурного

 

соверш енства

различают

монокристал л иче ские и п ол ик ристал л иче ск ие тверды е тела.

 

М онокр ис т

а лла м и

назы ваются

отдельны е

крупны е кристаллы , для

всего объема

которы х

сох раняется

строго

определенны й

порядок

расположения и чередования

структурны х

единиц

относительно заранее

вы бранногоф иксированногонаправления .

 

 

 

 

 

Е сли

твердое вещ ество

представля ет собой

агрегат (конгломерат)

х аотически ориентированны х

мелких

монокристаллов разного размера и,

зачастую,

неправильной ф ормы – его назы вают поликр ис т а лличес ким . В

свою очередь, эти мелкие монокристаллы ,

ф ормирующ ие поликристалл,

назы вают кр ис т

а ллит а м и,

кр ис т а лличес ким и

зер на м и или

блока м и.

И ногда эти кристаллические зерна в

вещ естве могут иметь ту или иную

преимущ ественную ориентацию, и в этом случае говоря т, чтокристаллимеет

т екс т у р у или я вля ется т екс т

у р ир ова нным .

С ледует особо отметить,

что свойства на границах раздела отдельны х

кристаллитов сущ ественны м образом отличаются отвеличинтех же свойств,

измеренны х в объеме. Г раницы

раздела х арактеризуются

более вы сокими

значения ми х имического потенциала и,

вследствие этого,

я вля ются

более

реакционноспособны ми.

Н апример,

границы

раздела отличаются

повы ш енны ми концентрация ми

посторонних

примесны х

атомов, а также

различного рода деф ектов

кристаллической

структуры 1.

Н есоверш енства

кристаллической структуры (деф екты ) посвоим размерам деля тся на:

 

а)

объе мные

пр еципит а т ы или

вклю чения посторонней

ф азы ,

м икр от р ещ ины, м икр опор ы, с вир л-дефект ы;

 

 

 

 

б) д вуме рные – с ет ки пр им ес ных а т ом ов,

двой никовыегр а ницы,

линии

с лоев р ос т а , вицина ли, с вободна яповер хнос т

ькр ис т

а лла и другие,

 

в)

л ине йные – различного рода дис лока ции – отсутствие атомны х или

ионны х рядов,

вы званны е

обры вом

атомны х

плоскостей

внутри

кристаллической структуры ;

 

 

 

 

 

 

1 П одробное рассмотрение причин возникновения , природы и основны х закономерностей поведения точечны х , линейны х и объемны х деф ектов проводится в заключительны х главах курсапокристаллох имии.

 

22

г) точе чные ва ка нс ии,

пр им ес ныеа т ом ы, а т ом ы в м еж доу злиях и

а нт ис т р у кт у р ные деф екты

– вы званны е наруш ением периодичности

кристаллической структуры наатомном уровне.

3.2. П О Н Я Т И Е О РЕ АЛ Ь Н О М И И Д Е АЛ Ь Н О М КРИ С Т АЛ Л АХ

Таким образом, становится очевидны м ф акт присутствия различного роданесоверш енств в структуре реальносущ ествующ егокристалла. С тепень несоверш енства реального кристалла тем вы ш е, чем больш е условия его ростаотличались оттермодинамически равновесны х .

Тем не менее, при изучении основны х закономерностей строения и

симметрии кристаллических тел

используют поня тие об

идеа льном

кр ис т а лле – абсолютно лиш енном

каких -либо наруш ений в

трех мерно-

периодическом упорядоченном строении. Э то понятие - в больш ей степени

научная абстрак ция, подобно понятию об ид е ал ь ных газах или ид е ал ь ных растворах. В действительности, структуру, незначительноотличающ уюся от

идеальной, кристаллы

могут иметь

лиш ь при

температурах ,

близких к

абсолютному

нулю,

когда тепловы е

колебания

атомов

становя тся

практически незаметны ми.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В дальнейш ем

в

рамках

учебного курса кристаллох имии будет

использоваться

именно

модель

ид е ал ь ного

к ристал л а, отвлеченная

от

кинетических

я влений

и

деф ектов

строения

и

рассматриваемая

как

пространственная структура, усредненная вовремени.

 

 

 

3.3. М АКРО С КО П И Ч Е С КИ Е

П РИ ЗН АКИ

КРИ С Т АЛ Л О В

 

 

С ущ ествует два взаимодополня ющ их

подх ода при изучении кристал-

лических

тел

мик роск оп иче ск ий

и

макроск оп иче ский. П ервы м

в

историческом

плане

при

изучении

кристаллов

бы л макроскопический

подх од,

поскольку

для

рассмотрения

строения

кристаллов

на

микроскопическом уровне требовалось специальное оборудование, которое

поя вилось

только в

начале Х Х

века.

П ри изучении кристаллох имии

первоначально происх одит знакомство

с макроскопическим

подх одом,

поскольку

он более

доступен и

нагляден при изучении

симметрии

кристаллических тел. В рамках макроскопического методаможноотвлечься от микроскопической неоднородности кристаллов, от трех мерной периодичности расположения структурны х единиц и присутствия тех или

 

23

 

 

ины х деф ектов. Э тот прием

позволя ет рассматривать

кристалл как

м а т ер иа льный конт ину у м сп л ошную од нород ную мате риал ь ную

сре д у.

3.3.1. П РИ ЗН АК О Д Н О РО Д Н О С Т И

 

 

П оня тие макроскопической

однородности означает,

что

в любы х

участках кристаллическоговещ ествавсесвойстваеготождественны . В каком бы месте кристалла мы не вы резали одинаково ориентированны й образец некоторой ф ормы и размеров (рис. 4), егоф изико-х имические свойствабудут одинаковы . С амо поня тие макроскопического измерения подразумевает, что экспериментведется над такими длинами L, поверх ностями S, объемами V кристалла, когда перестает проявляться дискретно-атомное строение и микропериодичность этогостроения, т.е. когдаL >> a, S >> a2, V >> a3 , где a - наибольш ий изпериодов реш етки кристалла. Д ля больш инствакристаллов a ≤ 1 нм.

У словию однородности вещ ества, прежде всего, подчиняются свойства,

имеющ ие ск ал ярное

выраж е ние .

С амы ми

важны ми

среди

них

являются

х имический

 

качественны й

и

количественны й

состав,

плотность,

теплоемкость и ф азовое состояние.

И зкакогобы

микроучастка идеального

кристалла

(объемом

не менее а3) мы

не взяли пробу,

она даст тот же

одинаковы й

результат при

х имическом анализе. Г оворя

об

измерении

скалярного свойства кристалла

F,

следует иметь

в

виду,

что оно

производится

при ф иксированны х

термодинамических условиях : давлении

p, температуре T и, в общ ем

случае,

при

определенны х

внеш них

воздействия х .

Т аким

образом, понятие

кристаллической

однородности

означаетнезависимость исследуемогосвойстваF при перех оде отизмерения в точке A скоординатами (х; у; z) клюбой другой точке Aскоординатами

(х+ х; у+ у; z+ z).

F (х; у; z) = F (х + х; у + у; z + z)

(3.1)

Д ругими словами, однородность есть инвариантность свойств относительно произвольного переноса начала координат в кристаллическом вещ естве. И сключением я вля ется поведение поверх ности и прилегающ их кней слоев.

П оня тие

макроскопической однородности можно

расш ирить и

использовать

применительно к реальному кристаллу.

 

Т огда

следует

рассматривать больш ие, чем в идеальном кристалле, длины

L >> b,

площ ади

S >> b2 и объемы V >> b3 , где b – среднее расстояние междудеф ектами того или иногорода. Э топозволяетусреднить влияние деф ектов. Т акой подх одв

24

ряде случаев имеет смы сл для объя снения и описания свойств реального кристалла.

П оня тие макроскопической однородности реальны х кристаллов в настоя щ ее время применя ется нетольков теории кристаллох имии, нотакже

Рис. 4. И дентичность свойств кристалла в элементарны х объемах A и A’, иллюстрирующ ая признакоднородности кристаллов.

имеет важное практическое содержание. О днородность почти всегда я вляется основны м критерием качествасинтетических кристаллов - будь то оптические, полупроводниковы е, сегнетоэлектрические или ины е кристаллы . П ри этом в зависимости оттех ническогоназначения кристаллапринимаются

25

во внимание конкретны е показатели требуемой однородности, например, по

примеся м, блочности, дислокация м.

 

 

П ри этом необх одимо отметить,

что современная

кристаллох имия

обладает богаты м

арсеналом методов

локального микроанализа состава и

деф ектов строения

с разреш ением до деся ты х долей

нанометра, что

позволя ет перейти от усредненного описания однородности при условии L

>>b клокальномуописанию неоднородностей надлинах L < b.

Поня тие макроскопической однородности в том виде, как оно бы ло изложеновы ш е, применимоне толькоккристаллам, нотакже и кжидкостя м, аморф ны м телам и газам.

3.3.2. П РИ ЗН АК АН И ЗО Т РО П И И КРИ С Т АЛ Л О В

М ногие свойства кристаллических тел, например, теплопроводность, диэлектрическая и магнитная восприимчивость, показатель преломления светаи др., сущ ественнозавися тотнаправления , поотнош ению ккоторому они определены . Э то явление, в равной степени, справедливо также применительноктензорны м свойствам1.

Е сли свойство вещ ества не изменя ется в зависимости отнаправления , или другими словами, описание этого свойства не зависит от ориентации системы координат, тоговоря т, чтовещ ествоизотроп но в отнош ении этого свойства. Ж идкости и газы изотропны относительновсех свойств, в товремя как кристаллы - в отнош ении лиш ь нескольких свойств. Е сли же имеется зависимость свойств отнаправления , тоописание их зависитоториентации системы координат, и такая зависимость назы вается анизотроп ие й. В се

кристаллы в отнош ении х отя бы нескольких свойств

обя зательно

анизотропны .

 

Анизотропия проя вля ется уже во внеш ней ф орме многих

кристаллов,

например, в их удлиненности или пластинчатости. О нанаглядновы является

вмех анических свойствах , в частности, спайности - способности некоторы х

1Т ензоры – математические величины особогорода, сочетающ ие свойства векторны х величин и матриц, в каждой системе координат описы ваются несколькими числами, причем закон преобразования этих величин при

перех оде от одной системы координат к другой более сложен, чем у векторов.

 

 

 

 

26

 

 

 

 

 

 

кристаллов

легко раскалы ваться

вдоль

определенны х

плоскостей.

Д еф ормационны е

я вления в

кристаллах

также

сущ ественно завися т от

направления .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В соответствии с принципом однородности (рис. 4) можно некоторое

свойство F отнести к произвольной точке. В ы брав теперь любое начало

координат, анизотропию в

простейш ем

случае

можно представить

как

ориентационную

зависимость этого свойства,

т. е. зависимость

F

от

направления n , вдоль которогооноопределя ется .

 

 

 

 

 

 

r

r

 

 

 

 

 

(3.2)

 

 

F(n1) ¹ F(n2 )

 

 

 

 

 

Н аглядное описание анизотропии некоторы х

свойств дает построение

указательны х

поверх ностей

(рис.

5), величина радиус-вектора которы х

соответствуетзначению измеряемогосвойства F.

 

 

 

 

Н еобх одимо

отметить,

что

анизотропия

свойственна

не

только

монокристаллам.

О на сох раня ется

в кристаллических текстурах ,

присущ а

жидким кристаллам, природны м и синтетическим полимерны м вещ ествам.

3.3.3. П РИ Н Ц И П С И М М Е Т РИ И

П оня тие о симметрии – одно из наиболее обобщ ающ их ф ундаментальны х поня тий ф изики и естествознания в целом – пронизы вает всю кристаллох имию и лежитв ее основе. Сим м ет р ия– этонаиболее общ ая

закономерность, присущ ая строению

и

свойствам

кристаллического

вещ ества. С имметрия я вля ется с вой с т вом

с вой с т в кристаллов.

С уть симметрии заключается в возможности произвести преобразование

объекта,

совмещ ающ его его с самим собой в новом положении. И наче это

можно

сф ормулировать как возможность

произвести

преобразование

системы координатобъектатак, чтоотносительноновой системы координат онописы вается точнотакже, какотносительноисх одной.

Сим м ет р ией

на зыва ет с я с пос обнос т

ь т ела с овм ещ а т ьс я с с а м им

с обой в р езу льт а т

еопр еделенных с им м ет

р ичес ких пр еобр а зова ний .

Ф орма кристаллов, их структура и свойства описы ваются ф ункция ми, завися щ ими от координат и (или) направлений. Н а рис. 5 изображен эллипсоидФ ренеля для двух осногокристалла. Т акой эллипсоидсовмещ ается с собой при отражении в любой изкоординатны х плоскостей. В каждом октанте ф ункция F, описы вающ ая скорость распространения света в кристалле, имеетнепреры вноизменя ющ иеся значения. О днакоее значения в

27

определенны х точках поверх ности в каждом изоктантов, аименнов точках , отличающ их ся переменой знакалюбой координаты , равны друг другу:

F (x, y, z) = F ( −x, y, z) = F ( x, y, z) = ... = F (−x, y, z)

(3.3)

Рис. 5. Э ллипсоидФ ренеля общ еговидадля скорости распространения светав двух осном кристалле.

Т аким образом, коне чный симме тричный объе к т в трех мерном пространстве - это такой объект, которы й может бы ть совмещ енс самим собой посредством операций поворотаи (или) отражения .

П риведенны е примеры показы вают (и это справедливо для поня тия симметрии в самом ш ироком смы сле), что сущ ественны не конкретны е

значения

аргументов, для которы х симме триче ск и равны значения ф ункции

F, описы вающ ей тотили иной объект, то или иное его свойство, анал ичие

зак ономе рных соотноше ний между аргументами, оп ре д е л е нного

закона их

п ре образования, к

которому инвариантна

рассматриваемая

ф ункция .

Ф ункция F с им м ет

р ична , если она инва р иа нт

на к преобразованию всех

или части своих переменны х . П усть x, y, z – аргументы ф ункции, аx1, y1, z1,

.... xn, yn, zn – преобразованны е аргументы этой ф ункции, тогдасоотнош ение:

28

 

F (x, y, z) = F (x1, y1, z1) = F (xn, yn, zn)

(3.4)

я вляется условием симметрии (инвариантности) данной ф ункции.

 

О бъект (или описы вающ ая его ф ункция ) может х арактеризоваться

несколькими разны ми преобразованиями или, как ещ е говоря т, операция ми симметрии. С овокупность преобразований симметрии любого объекта с математической точки зрения я вля ется груп п ой. П реобразования симметрии могут бы ть и такие, при которы х аргументы меня ются бесконечно мало: тогдагруппасодержитбесконечноечислоопераций.

И зучая симметрию объекта, следует иметь в виду, какая именно симметрия - каких свойств, по каким признакам, рассматривается в данном случае. О тносительноразличны х свойств и наразном уровне рассмотрения -

макроскопическом

или

микроскопическом,

чисто геометрическом

или

ф изическом,

в

статике или динамике -

объект может иметь различную

симметрию

и

описы ваться различны ми

группами

симметрии. П ри

этом

имеется определенная соподчиненность,

иерарх ия

соответствующ их

групп

симметрии.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

С точки

зрения симметрии

можно заново сф ормулировать поня тие

кристаллической

однородности

и

анизотропии.

О днородность -

независимость

свойств

кристаллического

вещ ества

от вы бора

точки

измерения - спозиций симметрии я вляется инвариантностью поотнош ению кпроизвольному, параллельномусебе переносу. Анизотропия же кристаллов

- зависимость свойств

от направлений

-

сама проявляется в рамках

симметрии,

поскольку

ф ункции, описы вающ ие такие свойства,

сами

я вля ются симметричны ми.

 

 

 

 

 

 

Та ким

обр а зом ,

кр ис т

а лличес кое

вещ ес т

во

по

с воим

м а кр ос копичес ким пр изна ка м

м ож но

опр еделит ь

ка к

однор одну ю

анизот р опну ю с им м ет р ичну ю м а т ер иа льну ю с р еду .

3.3.4.О Г РАН Е Н И Е КРИ С Т АЛ Л О В

Кроме свойств однородности и анизотропии кристаллическое вещ ество в силусимметрии своеговнутреннегостроения обладаетещ е одним наиболее

наглядны м макроскопическим свойством: кристаллы

в процессе роста при

равновесны х

условия х

приобретают естественную

ф орму правильны х

многогранников сплоскими гранями (рис. 6, 7).

 

П ри

рассмотрении

этого

макроскопического свойства соверш ается

перех од

от

кристаллического

вещ ества как непреры вной среды к

29

кристаллическому индивидууму – конечному телу, построенному изтакого вещ ества. Здесь сущ ественную роль играет взаимодействие поверх ности кристалла с внеш ней средой, изкоторой онобразовался или в какую бы л перенесен.

Рис. 6. И деальная ф ормакристаллакварцаи егооси симметрии.

Н еобх одимо отметить,

что огранение кристаллического индивидуума

происх одитв рамках вы полнения принципов однородности,

анизотропии и

симметрии, однако не я вля ется их следствием.

Как и эти три принципа,

огранение

кристалла представля ет

собой

проя вление

правильного

внутреннего

атомного,

ионного

или

молекуля рного строения

кристаллическоговещ ества.

30

 

Кристалл растеттаким образом,

что частицы вещ естваизокружающ ей

среды отклады ваются на его граня х .

Г рани нарастают параллельно самим

себе. В процессе ростаменя ются площ ади граней, их ф орма,

какие-тограни

могут вы тесняться соседними и зарастать, но взаимны й

наклон граней

остается неизменны м. П одобны е

же правильно ограненны е поверх ности

возникаюти в процессах , обратны х

росту– при растворении или сублимации

Рис. 7. Коллекция синтетических монокристаллов:

1, 2 - кварц SiO2; 3 - триглициносульф ат(NH2CH2COOH)3H2SO4; 4 - дигидроф осф аткалия KH2PO4; 5 - ф торидлития LiF;

6 - иодатлития LiIO3; 7 - α - иодноватая кислота(α -HIO3);

8- алюмокалиевы е квасцы KAl(SO4)2×12H20;

9- рубинAl2O3+0,05%Cr, вы ращ енны й для часовой промы ш ленности;

10- лазерны й рубинAl2O3 + 0,05% Cr;

11- гранатY3Al5O12; 12 - ниобатлития LiNbO3; 13 - кремний Si;

14 - лейкосапф ирAl2O3.

кристаллов. Т аким образом, необх одимо подчеркнуть, что в процессе роста кристаллавследствие неизменности наклонаграней относительнодруг друга углы междугранями также остаются неизменны ми.