2014_velichko
.pdfБИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК К ГЛАВАМ 3 и 4
1.Уманский Я.С. Кристаллография, рентгенография и электронная мик-
роскопия / Я.С. Уманский, Ю.А. Скаков, А.Н. Иванов и др. – М.: Металлургия, 1982. – 631 с.
2.Вудраф Д. Современные методы исследования поверхности / Д. Ву-
драф, Т. Делчар. – М.: Мир, 1989. – 568 с.
3.Фелдман Л. Основы анализа поверхности и тонких пленок / Л. Фелд-
ман, Д. Майер. – М.: Мир,1989. – 342 с.
4.Гоулдстейн Дж. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. Том 1 / Дж. Гоулдстейн, Д. Ньюбери, П. Эчлини и др.; пер.
сангл. – М.: Мир, 1984. – 305 с.
5.Оура К. Введение в физику поверхности / К. Оура, В.Г. Лившиц, А.А. Саранин и др. – М.: Наука, 2006. – 490 с.
6.Ильин А.М. Электростатический анализатор для параллельного потока заряженных частиц / А.М. Ильин, И.А. Ильина. – Патент на изобретение № 2327246; опубл. 20.06.2008.
7.http://sibsauktf.ru/courses/surface/APPARAT/apparat.htm
8.Фридрихов С.А. Физические основы электронной техники: учебник для вузов / С.А. Фридрихов, С.М. Мовнин. – М.: Высшая школа, 1982. – 608 с.
9.Еловиков С.С. Электронная спектроскопия поверхности и тонких пленок: учеб. пособие / С.С. Еловиков. – М.: Изд-во МГУ, 1992. – 94 с.
10.Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / под ред. Д. Бриггса, М.П. Сиха. – М.: Мир, 1987. – 600 с.
11.Определение концентрации Ge в эпитаксиальных пленках SixGe1-x/Si методом оже-спектроскопии. Описание лабораторной работы / сост. Максимов Г.А., Николичев Д.Е., Канышина М.В. – Н. Новгород: Изд-во Нижегородского гос. ун-та, 2002 – 40 с.
12.Surface and Thin Film Analys: Principles, Instrumentation, Applications – Edited by H. Bubert and H. Jenett-WILEY-VCH Verlag GmbH, 2002. – 352 p.
13.Мурашов С.В. Использование метода оже-спектроскопии для анализа степени окисления поверхности. Ckp.lab2.phys.spbu.ru (или www.ngpedia.ru)
14.Черепин В.Т. Методы и приборы для анализа поверхности: справочник / В.Т. Черепин, М.А. Васильев. – Киев: Наукова думка, 1982. – 299 с.
15.Еловиков С.С. Оже-электронная спектроскопия – Соросовский обра-
зовательный журнал. – Т.7. – № 2. – 2001. – С. 82–88.
221
16.www.centremisis.ru
17.http://shark007.narod.ru/
18.Балоян Б.М. Наноматериалы. Классификация, особенности свойств,
применение и технологии получения: учеб. пособие / Б.М. Балоян, А.Г. Колмаков, М.И. Алымов, А.М. Кротов. – М.: Международный университет природы, общества и человека «Дубна», Филиал «Угреша», 2007. – 124 с.
19.Эгертон Р.Ф. Физические принципы электронной микроскопии / Р.Ф. Эгертон. – М.: Техносфера, 2010. – 304 с.
20.Гоулдстейн Дж. Растровая электронная микроскопия и рентгенов-
ский микроанализ. В 2 кн. Кн. 2 / Дж. Гоулдстейн, Д. Ньюбери, П. Эчлин, Д. Джой, Ч. Фиори, Ф. Лифшин; пер. с англ. – М.: Мир, 1984. – 348 с.
21.Каули Дж. Физика дифракции / Дж. Каули. – М.: Мир, 1979. – 431 с.
22.Синдо Д. Аналитическая просвечивающая электронная микроскопия /
Д. Синдо, Т. Оикава. – М.: Техносфера, 2006. – 256 с.
23.Векилова Г.В. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. Часть 3 / Г.В. Векилова, А.Н. Иванов. – М.: МГИСиС, 2007. – 41 с.
24.Хирш П. Электронная микроскопия тонких кристаллов / П. Хирш,
А. Хови и др.; пер с англ. – М.: Мир, 1968. – 561 с.
25.Mark De Graef. Introduction to Conventional Transmission Electron Microscopy. – Cambridge University Press, 2003. –741 p.
26.David B. Williams, C. Barry Carter. Transmission Electron Microscopy.
A Textbook for Materials Science. – Second edition Springer, 2009. – 832 p.
27. Филимонова Н.Н. Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур «полупроводник на диэлектрике»: дисс. … канд. техн. наук / Н.Н. Филимонова. – Новосибирск, 2011. – 234 с.
28. www.physchem.msu.ru
222
ОГЛАВЛЕНИЕ |
|
Глава 1. Методы определения электрофизических параметров |
|
полупроводников.............................................................................. |
3 |
Методы измерения удельного сопротивления полупроводников................... |
3 |
Источники погрешностей при измерении удельного сопротивления |
|
полупроводников.................................................................................................. |
4 |
Двухзондовый метод............................................................................................. |
6 |
Четырехзондовый метод....................................................................................... |
7 |
Эффект Холла...................................................................................................... |
10 |
Теоретические основы эффекта Холла........................................................ |
11 |
Коэффициент Холла для двух типов носителей......................................... |
14 |
Экспериментальные методы определения эффекта Холла. Двух- |
|
контактный метод.......................................................................................... |
16 |
Метод Ван дер Пау........................................................................................ |
18 |
Измерение коэффициента термоЭДС ............................................................... |
20 |
Теоретическое введение................................................................................ |
20 |
Экспериментальное исследование коэффициента термоЭДС .................. |
23 |
Расчет параметров полупроводника по измеренным значениям ........... |
25 |
Измерение теплопроводности полупроводников....................................... |
27 |
Абсолютный метод определения коэффициента теплопроводности....... |
28 |
Относительный метод определения коэффициента теплопроводно- |
|
сти................................................................................................................... |
29 |
Импульсный метод определения коэффициента теплопроводности....... |
30 |
Исследование МДП-структур методом высокочастотных вольтфарад- |
|
ных характеристик (ВВФХ) ............................................................................... |
33 |
Теория метода................................................................................................ |
33 |
Экспериментальные методы измерения C-V-характеристик.................... |
37 |
Определение параметров МДП-структур на основе анализа C–V- |
|
характеристик................................................................................................ |
39 |
Определение времени жизни неравновесных носителей заряда................... |
42 |
Теоретическое введение................................................................................ |
42 |
223 |
|
Метод измерения времени жизни по релаксации фотопроводимо- |
|
сти на СВЧ..................................................................................................... |
46 |
Библиографический список.................................................................................. |
48 |
Глава 2. Анализ структурного и элементного состава кристаллов |
|
методами ионной спектрометрии............................................... |
50 |
Общие сведения.................................................................................................. |
50 |
Физические основы метода резерфордовского обратного рассеяния |
|
ионов.................................................................................................................... |
51 |
Рассеяние ионов низких энергий....................................................................... |
57 |
Распределение элементов по глубине............................................................... |
58 |
Вторичная ионная масс-спектрометрия (ВИМС)............................................. |
60 |
Каналирование .................................................................................................... |
69 |
Библиографический список.................................................................................. |
75 |
Глава 3. Методы электронной спектроскопии........................................... |
76 |
Классификация методов..................................................................................... |
76 |
Физические основы методов электронной спектроскопии. Энергети- |
|
ческий спектр электронов.................................................................................. |
78 |
Глубина выхода электронов......................................................................... |
81 |
Неупругие электрон-электронные взаимодействия................................... |
86 |
Экспериментальное оборудование. Общие характеристики электрон- |
|
ных спектрометров в электронной спектроскопии......................................... |
90 |
Анализаторы задерживающего поля (АЗП)................................................ |
92 |
Достоинства и недостатки АЗП ................................................................... |
94 |
Отклоняющие электростатические анализаторы (дисперсионные) ........ |
97 |
Анализатор типа «цилиндрическое зеркало» (АЦЗ) .................................. |
99 |
Разрешающая способность......................................................................... |
102 |
Концентрический полусферический анализатор (ПСА).......................... |
103 |
127º-й секторный цилиндрический анализатор........................................ |
106 |
Электронная оже-спектроскопия..................................................................... |
107 |
Физические основы оже-спектроскопии. Механизм эмиссии оже- |
|
электронов.................................................................................................... |
107 |
Система обозначений оже-переходов........................................................ |
109 |
Энергия оже-электронов............................................................................. |
111 |
Глубина выхода оже-электронов............................................................... |
112 |
Экспериментальное оборудование для ЭОС............................................ |
114 |
Электронная пушка для ЭОС..................................................................... |
114 |
224
Анализаторы энергии электронов для ЭОС.............................................. |
|
115 |
Детекторы для РФЭС и ЭОС...................................................................... |
|
119 |
Применение ЭОС. Количественный анализ................................................... |
|
119 |
Химический анализ. Химические сдвиги.................................................. |
|
119 |
Послойный анализ....................................................................................... |
|
121 |
Оже-анализ. Качественный анализ............................................................ |
|
122 |
Количественный анализ.............................................................................. |
|
124 |
Спектроскопия характеристических потерь энергии электронами |
|
|
(СХПЭЭ) ............................................................................................................ |
|
128 |
СХПЭЭ глубоких уровней.......................................................................... |
|
130 |
Экспериментальное оборудование для СХПЭЭ глубоких уровней ....... |
132 |
|
Количественный анализ СХПЭЭ............................................................... |
|
133 |
Возбуждение межзонных электронных переходов.................................. |
|
134 |
Возбуждение плазмонов............................................................................. |
|
134 |
СХПЭЭ высокого разрешения ................................................................... |
|
137 |
Методы фотоэлектронной спектроскопии...................................................... |
|
140 |
Физические основы. Фотоэлектрический эффект.................................... |
|
140 |
Экспериментальное оборудование ФЭС. Источники.............................. |
|
142 |
Анализаторы ФЭС....................................................................................... |
|
145 |
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия............................................ |
|
147 |
Физические принципы РФЭС. Энергия связи и влияние |
конечных |
|
состояний..................................................................................................... |
|
147 |
Применение РФЭС. Количественный анализ. Энергия связи элек- |
|
|
тронов........................................................................................................... |
|
151 |
Химический анализ..................................................................................... |
|
153 |
Химические сдвиги..................................................................................... |
|
154 |
Ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия (УФЭС)...................... |
157 |
|
Применение УФЭС для исследования зонной структуры....................... |
158 |
|
Глава 4. Методы электронной микроскопии............................................ |
|
163 |
Физические принципы работы электронной микроскопии. Взаимо- |
|
|
действие электронного пучка с веществом ................................................... |
|
164 |
Упругое рассеяние....................................................................................... |
|
165 |
Неупругое рассеяние................................................................................... |
|
167 |
Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) ..................................... |
|
171 |
Физические принципы работы ПЭМ......................................................... |
|
171 |
Экспериментальное оборудование. Оптическая схема |
и принцип |
|
действия ПЭМ.............................................................................................. |
|
171 |
225
Электронная пушка..................................................................................... |
173 |
Электронная оптика.................................................................................... |
176 |
Предельное разрешение электронного микроскопа и дефекты |
|
электронных линз........................................................................................ |
179 |
Формирование изображения в электронном микроскопе. Дифрак- |
|
ционный контраст ....................................................................................... |
182 |
Дифракционный контраст в монокристаллах........................................... |
185 |
Фазовый контраст в ПЭМ........................................................................... |
188 |
Режим микродифракции............................................................................. |
189 |
Подготовка образцов для ПЭМ.................................................................. |
193 |
Сканирующая электронная микроскопия (SEM – Scanning electron |
|
microscopy или РЭМ) ........................................................................................ |
200 |
Физические принципы работы СЭМ......................................................... |
201 |
Глубина проникновения электронов в твердое тело................................ |
201 |
Формированиеизображениявсканирующей электронноймикроскопии....... |
205 |
Контраст изображения во вторичных электронах.................................... |
205 |
Контраст изображения в отраженных электронах................................... |
207 |
Кристаллографический и магнитный типы контрастов........................... |
208 |
Режим наведенного тока и потенциальный контраст.............................. |
209 |
Подготовка образцов для СЭМ.................................................................. |
210 |
Экспериментальное оборудование. Оптическая схема и принцип дей- |
|
ствия СЭМ......................................................................................................... |
213 |
Детектор вторичных электронов (SE) ....................................................... |
215 |
Детекторы обратных электронов (BSE) .................................................... |
217 |
Библиографический список к главам 3 и 4........................................................ |
221 |
226
Величко Александр Андреевич Филимонова Нина Ивановна
МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ И НАНОЭЛЕКТРОННЫХ МАТЕРИАЛОВ И СТРУКТУР
Часть II
Учебное пособие
Редактор И.Л. Кескевич
Выпускающий редактор И.П. Брованова
Корректор И.Е. Семенова
Дизайн обложки А.В. Ладыжская Компьютерная верстка Н.В. Гаврилова
Налоговая льгота – Общероссийский классификатор продукции Издание соответствует коду 95 3000 ОК 005-93 (ОКП)
Подписано в печать 10.10.2014. Формат 60 × 84 1/16. Бумага офсетная Тираж 150 экз. Уч.-изд. л. 13,25. Печ. л. 14,25. Изд. 287/13. Заказ № 1162
Цена договорная
Отпечатано в типографии Новосибирского государственного технического университета
630073, г. Новосибирск, пр. К. Маркса, 20
227