- •1.Строение поверхностных слоев твердых тел
- •2.Механические свойства
- •3.Кристаллические и аморфные твердые тела.
- •4.Основные характеристики кристаллического строения твердых тел.
- •5.Межатомные и межмолекулярные связи.
- •6.Физические адсорбция ,хемосорбция,абсорбция.
- •7.Макроотклонения от номинального геометрического профиля поверхностей.
- •8.Волнистость, шероховатость и субмикронеровностей по высоте
- •9.Профилограмма поверхности твердого тела. Основные характеристики шероховатости поверхности.
- •10.Опорная кривая профиля поверхности
- •11. Сферическая модель шероховатой поверхности
- •12.Функция распределения вершин микронеровностей по высоте
- •13.Номинальная,контурная и фактическая площади касания
- •14. Методы экспериментального определения фактической площади контакта шероховатых тел
- •15.Контактирование твердых тел. Механизм формирования фактической площади касания. Насыщенный и ненасыщенный контакты.
14. Методы экспериментального определения фактической площади контакта шероховатых тел
Оптические методы
Электронная микроскопия
Рентгеновский спектральный микроанализ
Дифракция медленных электронов
Дифракция рентгеновских лучей
Эмиссия электронов
Измерение работы выхода электронов
Оптический – наиболее распространена оптическая микроскопия полированных металлических поверхностей.
Используют металлографы и микроскопы. с помощью них можно определить плотность дислокаций, размеры и формы частиц износа.
Электронная – для изучения микрогеометрических поверхностей, характеристик кристаллографии, а также дефектов структуры.
Электронная электроскопия – метод основан на том, что электроны, ускоренные до некоторого значения энергии, обладают свойствами волны определеннной длины, причем длина волны маленькая, что обеспечивает высокую разрешающую способность. Изображение получают благодаря проходящим и отраженным лучам. ПЭМ – просвечивающие электронные микроскопы позволяют получить разрешение до 10 Å(10-4 мкм), они могут обнаружить шероховатость молекулярного порядка. Недостаток ПЭМ – необходимо снимать тонкие, прозрачные для электронов реплики (отпечатки с поверхности).
Для исследования поверхности трения удобнее использовать отражательные электронные микроскопы. изображения в таких получаются в следствие разного рассеивания электронов различными участками поверхности в зависимости от материала или рельефа.
РЭМ – растровые электронные микроскопы – изображение получается на экране электронно-лучевой трубки, разрешение хуже чем у ПЭМ(50-100 Å).
Основное преимущество электронных микроскопов от оптических – большее увеличение.
Рентгеновский спектральный анализ –поверхность облучают электронным пучком, при этом возникает ренг. излучение в виде сплошного и характеристического спектров.
Дифракция медленных электронов – поверхность облучается пучком медленных электронов с энергией менее 500 эВ. Проникающая способность пучка – несколько атомных диаметров, что позволяет исследовать именно поверхностный слой. Метод основан на изучении дифракционной картины, возникающей в результате рассеивания электронов атомами кристаллической решетки. Прибор – электронограф.
Дифракция рентгеновских лучей – принципиально не отличается от предыдущего, но более глубокая проницаемость рентгеновских лучей не позволяет исследовать тонкий поверхностный слой.
Метод эмиссии электронов - эмиссия – вылет электронов с поверхности металлов, который может быть вызван различными причинами(нагрев, световой пучок и тд). Ускоряя эмитированные элементы и пропуская их через систему нагнетательных линз, можно получить изображение объекта, наглядно характеризующее распределение энергии электронов, в том числе распределение работы выхода электронов по поверхности.
Измерение работы выхода электронов – работа выхода очень чувствительна к наличию поверхностных пленок и может быть использована для изучения кинетики образования окисных, сульфидных и других пленок. Наиболее распространен метод определения работы выхода электронов по КРП между заданной поверхностью и золотым электродом сравнения.