Розділ2.2.

Які ділянки ВАХ р-n переходу описують математичним рівнянням

б.

a) зону електричного пробою;

б) від зони електричного пробою до зони теплового пробою;

в) позитивну частину ВАХ;

г) негативну частину ВАХ

Яким математичним рівнянням описують ВАХ р-n переходу

a.

a)

б)

в)

г)

Як позначається випрямляючий діод

a.

a)

б)

в)

г)

Як позначається стабілітрон

б.

a)

б)

в)

г)

Як позначається варикап

в.

a)

б)

в)

г)

Як позначається світлодіод

г.

a)

б)

в)

г)

За яких умов вибираються випрямні діоди

a.

a)

, ;

б)

,;

в)

,;

г)

,

Які вирази відповідають однонапівперіодній схемі випрямляча

б.

a)

,

б) ,;

в) ,

г) ,

Які вирази відповідають двохнапівперіодній схемі випрямляча

a.

a) ,

б) ,;

в) ,

г) ,

Які вирази відповідають мостовій схемі випрямляча

в.

a) ,

б) ,;

в) ,

г) ,

Яке включення використовується для стабілітронів і стабісторів

б.

a) пряме для стабілітронів, зворотне для стабісторів;

б) пряме для стабісторів, зворотне для стабілітронів;

в) пряме;

г) зворотне

За яких умов вибираються стабілітрони

б.

a) ,;

б) ,;

в) ,;

г) ,.

Яка дільниця ВАХ є робочою для стабілітрону

в.

a) закритого p-n переходу;

б) відкритого p-n переходу;

в) електричного пробою;

г) теплового пробою.

Яка дільниця ВАХ є робочою для варикапу

a.

a) закритого p-n переходу;

б) відкритого p-n переходу;

в) електричного пробою;

г) теплового пробою

Де застосовуються варикапи

в.

a) в джерелах живлення;

б) як індикатори;

в) в коливальних контурах;

г) в дискретній техніці.

Яке включення транзистора має найбільший вхідний опір

б.

a) з загальним емітером;

б) з загальним колектором;

в) з загальною базою;

г) не залежить від включення.

Яке включення транзистора має посилення по напрузі і струму

a.

a) з загальним емітером;

б) з загальним колектором;

в) з загальною базою;

г) не залежить від включення

Яке включення транзистора використовується на високих частотах

в.

a) з загальним емітером;

б) з загальним колектором;

в) з загальною базою;

г) не залежить від включення

Яке включення транзистора не дає посилення по напрузі

б.

a) з загальним емітером;

б) з загальним колектором;

в) з загальною базою;

г) не залежить від включення.

Який режим підсилювання має найменші нелінійні спотворення

a.

a) режим А;

б) режим В;

в) режим С;

г) режим Г.

Який режим підсилювання використовується в двотактних підсилювачах потужності

б.

a) режим А;

б) режим В;

в) режим С;

г) режим D

Який параметр характеризує посилення біполярного транзистора по току

в.

a) ;

б) ;

в) ;

г) .

Який параметр характеризує вхідний опір біполярного транзистора

a.

a) ;

б) ;

в) ;

г) .

Як визначається коефіцієнт посилення по напрузі схеми з зворотнім зв’язком по току

a.

a) ;

б)

в) ;

г) .

Як визначається коефіцієнт посилення по напрузі схеми з зворотнім зв’язком по напрузі

б.

a) ;

б) ;

в) ;

г) .

Як визначається коефіцієнт посилення по напрузі емітерного повторювача

г.

a) ;

б) ;

в) ;

г) .

Як визначається вхідний опір транзистора

a.

a) ;

б) ;

в) ||||;

г) .

Як визначається вхідний опір підсилювача зі зворотним зв’язком по току

в.

a) ;

б) ;

в) ||||;

г) .

Як визначається вхідний опір підсилювача зі зворотним зв’язком по напрузі

б.

a) ;

б) ;

в) ||||;

г) .

Як визначається вхідний опір емітерного повторювача

в.

a) ;

б) ;

в) ||||;

г) .

Що таке дрейф нуля підсилювача

в.

a) зміна вхідної напруги в залежності від навколишньої температури;

б) напруга, яка необхідно прикласти між входами підсилювача для отримання нуля на виході;

в) зміна напруги на виході при відсутності сигналу на вході;

г) зміна напруги при наявності зворотного зв’язку

Що таке напруга зсуву операційного зсуву

б.

a) зміна вхідної напруги в залежності від навколишньої температури;

б) напруга, яка необхідно прикласти між входами підсилювача для отримання нуля на виході;

в) зміна напруги на виході при відсутності сигналу на вході;

г) зміна напруги при наявності зворотного зв’язку

Якими параметрами характеризується ідеалізована модель операційного підсилювача

в.

a) К_U 0, R_вх;

б) К_U , R_вх0;

в) К_U , R_вх;

г) К_U 0, R_вх0

Як визначається коефіцієнт посилення при інвертуючому включенні операційного підсилювача

г.

a)

б)

в)

г)

Як визначається коефіцієнт посилення при неінвертуючому включенні операційного підсилювача

a.

a)

б)

в)

г)

Як визначається коефіцієнт посилення диференційного операційного підсилювача

в.

a)

б)

в)

г)

Як визначається коефіцієнт посилення інтегруючого операційного підсилювача

б.

a)

б)

в.

г)

Як визначається коефіцієнт посилення при диференційному включенні операційного підсилювача

в.

a)

б)

в)

г)

Як визначається коефіцієнт посилення підсилювача з негативним зворотним зв’язком

б.

a)

б)

в)

г)

Як визначається коефіцієнт посилення підсилювача з позитивним зворотним зв’язком

a.

a)

б)

в)

г)

Як визначається умова балансу амплітуд в генераторах

a.

a) ;

б) ;

в) ;

г) .

Як визначається умова балансу фаз в генераторах

б.

a) ;

б) ;

в) ;

г) .

Які умови генерування гармонічних коливань в генераторах

в.

a) баланс амплітуд повинен виконуватись на одній частоті;

б) баланс фаз повинен виконуватись на смузі частот;

в) баланс амплітуд і баланс фаз повинні виконуватись на одній частоті;

г) баланс амплітуд і баланс фаз повинні виконуватись на смузі частот

Як визначається частота гармонійних коливань в LC генераторах з індуктивністю трьох точки

a.

a)

б)

в)

г)

Як визначається частота гармонійних коливань в LC генераторах з ємністю трьох точки

б.

a)

б)

в)

г)

Визначити активний опір послідовного коливального контуру і його смугу пропускання, якщо індуктивність контуру L=10^-4 Гн, ємність C=100 пФ, добротність Q=100.

a) R=10 Ом; П=16 кГц.

б) R=100 Ом; П=160 кГц.

в) R=20 Ом; П=10 кГц.

г) R=10 кОм; П=16 кГц.

Визначити активний опір паралельного коливального контуру і його смугу пропускання, якщо індуктивність контуру L=10^-4 Гн, C=100 пФ, добротність Q=100.

a) R=10 Ом; П=16 кГц.

б) R=100 кОм; П=16 кГц.

в) R=100 Ом; П=160 кГц.

г) R=1 кОм; П=160 кГц.

Визначити ємність паралельного коливального контуру і його смугу пропускання, якщо індуктивність контуру L=10^-4 Гн, резонансна частота f=1 МГц, активний опір контуру R=10кОм.

a) С=150 пФ; П=16 кГц.

б) С=100 пФ; П=64 кГц.

в) С=250 пФ; П=64 кГц.

г) С=300 пФ; П=16 кГц.

Визначити ємність послідовного коливального контуру і його смугу пропускання, якщо індуктивність контуру L=10^-4 Гн, резонансна частота f=1 МГц, активний опір контуру R=10 Ом.

a) С=150 пФ; П=16 кГц.

б) С=150 пФ; П=64 кГц.

в) С=250 пФ; П=64 кГц.

г) С=250 пФ; П=16 кГц.

Визначити ємність і опір резистора фільтра нижніх частот на RC елементах, встановленого по ланцюгах живлення від промислової частоти f=50 Гц, якщо коефіцієнт передачі по постійному струму рівний 0,99, а опір навантаження рівний 1 кОм.

a) R=10 Ом; С=160 мкФ.

б) R=100 Ом; С=320 мкФ.

в) R=100 Ом; С<160 мкФ.

г) R=10 Ом; С320 мкФ.

До складу паралельного коливального контуру входить змінний конденсатор ємністю С=40-360 пФ. В скільки разів зміниться діапазон резонансних частот, якщо в контур ввести постійний конденсатор ємністю С=40 пФ.

a) .

б) .

в) .

г) .

До складу паралельного коливального контуру входить змінний конденсатор ємністю С=25-160 пФ. Нижня резонансна частота контуру 2 МГц. Якою стане верхня частота контуру, якщо в контур ввести постійний конденсатор ємністю С=15 пФ.

a) f=1,6 МГц.

б) f=3 МГц.

в) f=4 МГц.

г) f=0,5 МГц

До складу послідовного коливального контуру входить конденсатор ємністю С=100 пФ Резонансна частота контуру 1 Мгц. Якою стане резонансна частота контуру, якщо паралельно цьому конденсатору включити конденсатор ємністю С=300 пФ.

a) f=160 кГц.

б) f=500 кГц.

в) f=640 кГц.

г) f=250 кГц.

На вхід підсилювача із зворотним зв'язком по струму з резисторами R₁=100 кОм, R₂=2 кОм, R_Э=100 Ом, R_К=1 кОм, транзистором з h₂₁=100 і напругою живлення 10 В подано змінну напругу амплітудою 3 В. Найти амплітуду вихідного сигналу.

a) U=5 В.

б) U=30 В.

в) U=3 В.

г) U=0,3 В.

На вхід підсилювача із зворотним зв'язком по напрузі з резисторами R₁=5 кОм, R_ОС=200 кОм, R_К=1 кОм, транзистором з h₂₁=100 і напругою живлення 12 В подано змінну напругу амплітудою 0,1 В. Найти амплітуду вихідного сигналу.

a) U=6 В.

б) U=4 В.

в) U=3 В.

г) U=10 В

Визначити вхідний опір і коефіцієнт посилення по напрузі підсилювача із зворотним зв'язком по струму, якщо h₂₁=100, R₁=100 кОм, R₂=6 кОм, Rэ=60 Ом, Rк=3 кОм.

a) =3 кОм;=50.

б) =6 кОм;=50.

в) =3 кОм;=-50.

г) =6 кОм;=-40

Визначити вхідний опір і коефіцієнт посилення підсилювача із зворотним зв'язком по напрузі, якщо h₁₁=100 Ом, R₁=5 кОм, Rос= 200 кОм, Rк=3 кОм.

a) =5 кОм;=50.

б) =5,1 кОм;=40.

в) =5 кОм;=-50.

г) =5,1 кОм;=-40.

Для підсилювача із зворотним зв'язком по напрузі з резисторами R₁=10 кОм, Rос=200 кОм, і h₂₁=100 і робочим діапазоном частот 100 Гц – 10 кГц розрахувати розділову ємність.

a) С=160 пФ.

б) С=16 мкФ.

в) С<160 нФ.

г) С0,16 мкФ.

Для підсилювача із зворотним зв'язком по струму з резисторами R₁=100 кОм, R₂=2 кОм, R_Э=20 Ом, транзистором з h₂₁=100 і робочим діапазоном частот 100 кГц – 1 Мгц розрахувати розділову ємність.

a) С160 мкФ.

б) С1600 пФ.

в) С<160 нФ.

г) С=16 мкФ

На вхід підсилювача із зворотним зв'язком по напрузі з резисторами R₁=5 кОм, R_ОС=100 кОм, R_К=1 кОм, транзистором з h₂₁=100 і напругою живлення 12 В подано змінну напругу амплітудою 0,1 В. Найти амплітуду вихідного сигналу.

a) U=6 В.

б) U=4 В.

в) U=2 В.

г) U=0,3 В.