3.5 Зависимость коэффициента усиления от режима работы транзистора

− коэффициент усиления в схеме с ОБ (≈ 1);

− коэффициент усиления в схеме с ОЭ.

Зависимость от напряжения на коллекторном переходе.

За счёт уменьшения тока базы происходит увеличение коэффициента . При приближении к зоне лавинного пробоя концентрация носителей заряда в базе увеличивается за счёт подтока их из коллекторного перехода. В результате ток базы может уменьшаться вплоть до нуля. Коэффициент в области, близкой к лавинному пробою коллекторного перехода, будет стремиться к бесконечности.

В зоне лавинного пробоя может произойти явление инверсии тока базы. Т. е. ток из базовой цепи поменяет своё направление.

Зависимость от тока эмиттера:

В области малых токов наиболее заметно явление рекомбинации носителей заряда при прямом включении. По мере увеличения тока эмиттера роль рекомбинации в p-n-переходе снижается. За счёт этого увеличивается коэффициент . Кроме того, при увеличении тока через эмиттерный переход увеличивается концентрация в базе неосновных носителей заряда. Возникает дополнительное поле, облегчающее переход носителей из эмиттера в коллектор.

3.6 Малосигнальные параметры транзисторов (система “h-параметров”)

В большинстве случаев транзистор работает в схемах, в которых на большом постоянном напряжении наложены небольшие переменные напряжения. Переменные составляющие малы по сравнению с постоянными составляющими. Транзистор можно рассматривать как линейный четырёхполюсник, имеющий входные и выходные цепи.

За положительное направление тока принимают направление втекающего тока. Можно составить системы из двух уравнений.

Система “z-параметров”:

(3.5)

В качестве параметров рассматривают z, имеющие размерность сопротивления.

(3.6)

В качестве параметров рассматривают y, имеющие размерность проводимости.

“z-параметры”:

Режим холостого хода (ХХ) тяжело “организовать” для выходной цепи, и легко – для входной.

“y-параметры”:

Чтобы найти эти параметры, необходимо обеспечить режим короткого замыкания (КЗ). В соответствующую цепь нужно зашунтировать сопротивление. Сделать это тяжело для входной цепи, и легко – для выходной.

Для биполярных транзисторов используется совмещённая система параметров – система “h-параметров”.

Режим ХХ по входной цепи.

Режим КЗ по выходной цепи.

(3.7)

где − входное сопротивление:=при= 0 (при КЗ выходной цепи);

− коэффициент обратной связи по входной цепи, который показывает, как влияет выходная цепь на входную: = при= 0;

= при = 0;

− выходная проводимость при режиме ХХ по входной цепи:=при= 0.

Различают системы “h-параметров” для схем ОБ и ОЭ.

Малосигнальные параметры относятся к дифференциальным параметрам, показывают малое приращение какой-то величины.

; .