- •Конспект лекций
- •Энергетическая диаграмма твердого тела выглядит:
- •Ширина запрещенной зоны влияет на электропроводность:
- •2 Внутреннее строение полупроводников
- •2.1 Примесная проводимость полупроводника
- •2.1.1 Донорная (электронная) проводимость
- •Большое количество положительных ионов
- •2.1.2 Акцепторная (дырочная) проводимость
- •Большое количество отрицательных ионов
- •2.2.2 Диффузионный ток
- •3 Контактные явления
- •3.1 P-n переход
- •3.1.1Обратное включение p-n перехода
- •3.1.2 Прямое включение p-n перехода
- •3.1.3 Вольт-амперная характеристика перехода. Выпрямляющий и омический контакты
- •3.2 Емкости p-n перехода
- •Диффузионная емкость
- •3.3 Пробой p-n перехода
- •Обратная ветвь вах при пробое:
- •Виды пробоев:
- •3.3.1 Тепловой пробой
- •3.3.2 Электрический пробой
- •Механизм туннельного пробоя:
- •4 Внутренний и внешний фотоэффект
- •4.1 Внутренний фотоэффект
- •4.2 Внешний фотоэффект
- •5 Пьезоэффект
- •6 Параметры диодов, транзисторов
- •Обозначение:
- •6.1 Буквенно-цифровое обозначение (бцо) диодов бцо диодов содержит 4 элемента:
- •6.2 Буквенно-цифровое обозначение стабилитронов бцо стабилитронов состоит из четырех элементов:
- •6.3 Бцо транзисторов
- •7 Лазеры
- •7.1 Принцип работы лазера
- •7.2 Особенности лазерного излучения
- •7.3 Лазеры на гетероструктурах
- •Применение гетеропереходов:
- •7.4 Применение лазеров
- •Литература
3.2 Емкости p-n перехода
Барьерная емкость
p n
do
do – толщина перехода
В p-n переходе имеется разность концентраций: в p-области много дырок, а в n-области их мало, в n-области много электронов, а в р-области их мало. Наличие разности концентраций приводит к диффузии: дырки из р-области переходят в n-область, в обратном направлении движутся электроны. В результате диффузии в р-области появляются избыточные (не скомпенсированные) отрицательные ионы примеси, и она заряжается отрицательно. В n-области появляются избыточные положительные ионы примеси, и она заряжается положительно. Возникает разность потенциалов – потенциальный барьер.
Данный переход можно рассматривать, как плоский конденсатор, обкладками которого являются p-и n-области, а диэлектриком – приконтактная область, имеющая повышенное сопротивление. Емкость такого конденсатора называется барьерной, т.к. она обусловлена наличием потенциального барьера.
–q +q
В равновесном состоянии перехода, т.е. когда ЕВНЕШН=0, барьерная емкость зависит от площади p-n перехода, диэлектрической проницаемости полупроводника и толщины запирающего слоя:
, где
- относительная и абсолютная диэлектрическая проницаемость.
При подаче обратного напряжения толщина перехода возрастает (обкладки конденсатора как бы раздвигаются), а, следовательно, емкость этого конденсатора уменьшается:
, где
- барьерная емкость перехода при наличии обратного напряжения;
- барьерная емкость перехода при отсутствии внешнего напряжения;
- потенциальный барьер перехода при отсутствии внешнего напряжения;
UОБР - обратное напряжение, подаваемое на переход.
Диффузионная емкость
При прямом включении перехода возникает еще одна емкость – диффузионная.
Прямое напряжение, подаваемое на переход, обеспечивает более интенсивный процесс диффузии основных носителей заряда в соседние области. Это приводит к тому, что пришедшие в большом количестве в соседние области заряды не успевают прорекомбинировать с зарядами противоположного знака и накапливаются, образуя объемные заряды. Чем больше прямое напряжение, тем больше величина этих объемных зарядов.
p n
ОНЗ + +
_ _ Ө ОНЗ + +
_ _
ЕВН
ЕВНЕШН
о о
UПР
Изменение объемного заряда в зависимости от приложенного прямого напряжения характеризует емкость, называемая диффузионной (т.к. обусловлена диффузией ОНЗ) и определяемая формулой:
или , где
- изменение прямого напряжения;
- изменение объемного заряда.