2. Описание лабораторного стенда

2.1. Принципиальная схема исследования транзистора включенного по схеме с ОЭ приведена на рис. 3.5 и на мнемосхеме стенда.

2.2. Приборы, используемые в работе:

- цифровой вольтметр В727 или В716А;

- миллиамперметр М2015 или аналогичный для измерения тока I_К;

- микроамперметр Ф195 для измерения тока I_Б;

- источник питания, содержащий генератор тока ГТ для регулирования тока базы и генератор напряжения ГН2 для установки и регулирования напряжения коллектор-эмиттер U_КЭ.

2.3. Подключение стенда к специализированному источнику питания осуществляется с помощью соединительных проводов, расположенных в верхней части стенда и имеющих соответствующую маркировку «ГТ» и «ГН2». При подключении источников необходимо соблюдать полярность «» и «», указанную на соединительных проводах.

2.4. Подключение измерительных приборов производится в соответствии со схемой и с соблюдением полярности.

3. Порядок выполнения работы

3.1. Включить цифровой вольтметр и микроамперметр Ф195, и прогреть в течении 23 минут.

3.2. Собрать схему для снятия семейства входных ВАХ транзистора (рис. 3.2, а).

3.2.1. Включить измерительные приборы в соответствующие гнёзда стенда, соблюдая полярность:

а) микроамперметр РА1 (Ф195) подключить к гнёздам Х₁ и Х₂;

б) миллиамперметр РА2 (M2015) подключить к гнёздам Х₇ и Х₈;

в) цифровой вольтметр подключить к гнёздам Х₅ и Х₆, при измерении U_БЭ или к гнёздам Х₉ иХ₁₀ при измерении напряжения U_КЭ;

г) генератор тока ГТ и генератор напряжения ГН2 подключаются с помощью соединительных проводов стенда к соответствующим клеммам источника питания лабораторной установки с соблюдением полярности, указанной на клеммах и соединительных проводах. Регуляторы источников питания ГТ и ГН2 установить в крайнее левое положение.

3.3. Включить источник питания.

3.4. Снять входные характеристики транзистора I_Б = f(U_БЭ) при U_КЭ = 0 в следующей последовательности.

3.4.1. Снять входную ВАХ при U_КЭ1 = 0, для чего:

а) отключить соединительные провода от источника ГН2 и провод «+» ГН2 подключить к клемме Х₉, закоротив тем самым коллектор транзистора, при этом величина U_КЭ = 0;

б) изменяя регуляторами ГТ величину тока I_Б от 0 до 100 мкА согласно табл. 3.1, контролировать напряжение U_БЭ (предел измерения вольтметра установить «1 В»);

в) результаты измерений занести в табл. 3.1.

Таблица 3.1

	IБ, мкА	0	10	20	40	50	60	80	100
UКЭ1 = 0	UБЭ1
UКЭ2 = 3В	UБЭ2
UКЭ3 = 8В	UБЭ3

3.4.2. Снять входную ВАХ при U_КЭ2 = 3 В, для чего:

а) подключить соединительные провода ГН2 к источнику питания ГН2;

б) переключить вольтметр для измерения U_КЭ (информационный щуп вольтметра переставить из гнезда Х₅ в гнездо Х₉, а предел измерения вольтметра поставить в положение «10 В»);

в) регуляторами ГН2 установить U_КЭ2 = 3 В;

г) переключить вольтметр для измерения напряжения U_БЭ (предел измерения «1 В»);

д) изменяя ток I_Б от 0 до 100 мкА (см. табл. 3.1), измерять величину U_БЭ при U_КЭ = const = 3 В. Результаты измерений занести в табл. 3.1.

3.4.3. Снять входную ВАХ при U_КЭ3 = 8 В. Все измерения выполняются аналогично п. 3.4.2.

3.5. Снять выходные (коллекторные) характеристики транзистора I_К = f(U_КЭ) при I_Б = const, результаты измерений занести в табл. 3.2.

Таблица 3.2

IБ, мкА	UКЭ, В	UКЭmin	1	2	4	6	8	10	12
10	IК1, мА
30	IК2, мА
50	IК3, мА
60	IК4, мА
80	IК5, мА
100	IК6, мА

Измерения проводить в следующем порядке.

3.5.1. Предел измерений цифрового вольтметра поставить в положение «10 В» и подключить к клеммам Х₉, Х₁₀ для измерения напряжения U_КЭ.

3.5.2. Регулятором ГТ установить ток базы I_Б = 10 мкА, затем регуляторы «грубо» и «точно» источника ГН2 поставить в крайнее левое положение и тем самым установить U_КЭmin, после чего измерить величину I_К.

3.5.3. Изменяя величину U_КЭ в соответствии с табл.3.2, измерять коллекторный ток I_К. Результаты измерений занести в табл. 3.2.

3.5.4. Устанавливая требуемую величину I_Б в соответствии с табл. 3.2 снять семейство коллекторных характеристик, согласно п. 3.5.2. и 3.5.3.

3.6. По результатам измерений построить входные I_Б = f(U_БЭ) и выходные I_К = f(U_КЭ) характеристики.

3.7. На выходной ВАХ построить линию нагрузки в соответствии с уравнением U_ВЫХ = U_КЭ = E_К  I_КR_К, приняв E_К =12 В, R_К = 4 кОм. При этом линия нагрузки пересекает оси I_К и U_КЭ соответственно в точках 3 мА и 12 В (см. рис. 3.2, б). На линии нагрузки выбрать положения рабочих точек: в активном режиме РТ «A»; в режиме насыщения РТ «H»; в режиме отсечки РТ «O». Рабочую точку «А» транзистора в активном режиме выбирают в средней части участка, а РТ «Н» и РТ «О» на концах линии нагрузки.

3.8. Для выбранного положения рабочей точки выполнить дополнительные построения на входных и выходных характеристиках и определить hпараметры транзистора, аналогично рис. 3.4. Расчётhпараметров произвести для РТ «А» в активном режиме.