Призначення транзисторів:

1^й елемент – матеріал.

2^й елемент – підклас напівпровідникового прилада.

Т – біполярні транзистори, П – польові.

3^й елемент – призначення приладу (якісні та частотні параметри).

4^й та 5^й елементи – номер розробки технологічного типу (від 01 до 99).

6^й елемент – ділення технологічного типу приладу на параметричні групи (від А до Я).

ГТ115А – германієвий, низькочастотний, малої потужності, номер розробки 15 група А.

Призначення при граничній частоті передачі струму.

Розсіюємо потужність, Вт	До 3 МГц (низькочастотні)	До 30 МГц (середньочастотні)	> 30 МГц (високочастотні)
До 0,3(мала) До 1,5(середня) > 1,5(велика)	101…199 401…499 701…799	201…299 501…599 801…899	301…399 601…699 901…999

Експлуатаційні параметри транзисторів – мах допустима потужність Р_{к мах}; мах допустимий струм I_{к мах}; мах допустима напруга U_{ке мах}, U_{кб мах}, мах частота підсилення по струму.

Статичні характеристики для деяких біполярних транзисторів.

Статичні характеристики біполярного транзистора КТ104В [6]

Статичні характеристики біполярного транзистора КТ201Д [6]

Статичні характеристики біполярного транзистора КТ203А [6]

Статичні характеристики біполярного транзистора КТ312А [6]

Статичні характеристики біполярного транзистора КТ361Е [6]

Статичні характеристики біполярного транзистора КТ603В [6]

2.3 Приклад розрахунку

3.1 Дано:

Транзистор типу КТ201Д;

Е_к = 12 В;

R_н =300 Ом;

ΔІ_б = 0,3 мА.

3.2. Побудуємо навантажувальну пряму (рис. 3.1.) по двох точках, які визначимо із рівняння навантажувальної прямої.

При І_к = 0 → U_ке = Е_к = 12 В. Отримуємо точку А.

При U_ке = 0 → І_к = Е_к / R_н = 12/ 300 = 40мА. Отримуємо точку Б.

Відмітимо т. А і т. Б на вихідний характеристиці транзистора і з’єднаємо їх прямою лінією.

Рис. 3.1. Статичні характеристики біполярного транзистора КТ201Д [6]

3.3. Побудуємо точку спокою Р та визначимо її параметри:

І_кР = 8 мА;

І_бР’ = 0,3 мА;

U_кеР = 9,5 В;

U_беР’ = 0,83 В.

3.4. Визначимо h-параметри транзистора в точці спокою по схемі із ЗЕ.

3.5. h₁₁- вхідний опір транзистора:

h₁₁ = ΔU_вх / ΔІ_вх при U_вих = const. (3.1)

Перенесемо робочу точку Р із вихідної характеристики на вхідну при І_Б = 0,3 мА. Так як вхідні характеристики, зняті при U_ке ≠ 0В майже збігаються, а в довіднику приведена характеристика для U_ке = 5В, то використаємо цю характеристику [3-5]. Отримаємо точку Р^1. Для знаходження h₁₁ побудуємо на вхідній характеристиці додаткову точку М. Тоді:

h_11е = (U_беР’ – U_беМ) / (І_БР’ – І_БМ) при U_ке = const.

h_11е = (0,83 – 0,8) / (0,3 ∙ 10^-3 – 0,2∙ 10^-3) = 300 Ом при U_ке =5 В.

3.6. Коефіцієнт зворотнього зв’язку за напругою визначають по формулі:

h₁₂ = ΔU_вх / ΔU_вих при при І_б = const; (3.2)

Для цього на вхідній характеристиці побудуємо додаткову точку Х при І_б = const.

h₁₂ = (U_БЕР¹ – U_БЕХ)/ (U_КЕР¹ – U_КЕХ) при при І_б = 3мА;

h₁₂ = (0,83 – 0,67) /(5-0) =0,032

3.7. Коефіцієнт передачі по струму визначають по формулі:

h₂₁ = ΔІ_вих / ΔІ_вх при U_ке = const. (3.3)

Для знаходження h₂₁ побудуємо на вихідній характеристиці додаткову точку N. Тоді:

h₂₁ = (І_кN – І_кР) / ΔІ_б при U_ке = const;

h₂₁ = (17,5 ∙ 10^-3 – 7,5∙ 10^-3) / 0,3∙ 10^-3 = 23,3 при U_ке = 9,5 В

3.8. Знайдемо вихідну провідність h₂₂.

Для знаходження h₂₂ побудуємо на вихідній характеристиці додаткову точку F. Тоді:

h₂₂ = ΔІ_вих / ΔU_вих при І_вх = const; (3.4)

h₂₂ = (І_кF – І_кР)/ (U_кеF – U_кеР) при І_б = const;

h_22е = (8,5 ∙ 10^-3 – 7,5 ∙ 10^-3) / (12,6 – 9,5) = 0,32 мСм.

9. Визначимо:

• коефіцієнт підсилення за струмом:

К₁= І_вих / І_вх = І_кР / І_БР¹ = 7,5∙ 10^-3 /0,3∙ 10^-3 = 25; (3.5)

• за напругою К_U:

К_U = U_вих / ΔU_вих = U_кР / U_БР¹ = 9,5 /0,83 = 11,4; (3.6)

• за потужністю К_Р:

К_Р = К₁ ∙ К_U. (3.7)

3.10. Приведемо порівняльний аналіз схем ввімкнення транзистора із ЗЕ, ЗК, ЗБ.

Елементарні підсилювальні каскади являють собою однокаскадні осередки. До таких каскадів на біполярних транзисторах відносять каскади із загальним емітером (ЗЕ), загальним колектором (ЗК) і загальною базою (ЗБ). Схема ЗЕ забезпечує як підсилення напруги, так і підсилення струму. Каскад за схемою з ЗК (емітерний повторювач) повторює на виході вхідну напругу, але із-за підсилення струму забезпечує підсилення потужності. Схема ЗБ повторює на виході струм, що надходить у вхідне коло каскаду (повторювач струму). Підсилення потужності в цьому каскаді забезпечується за рахунок підсилення напруги. Найбільше підсилення потужності має схема із ЗЕ [2-4].