gotovo
.docxЕнергетичні стани електрона в ізольованому атомі від енергетичних станів таких же атомів в кристалі відрізняються:
У кристалах замість однакового для всіх N атомів рівня виникають N дуже близьких рівнів, які не співпадають (утворюється енергетична смуга - енергетична зона).
1.
Заборонена енергетична зона в ТТ - це:
Енергетична зона в ТТ, в якій електрони перебувати не можуть.
Валентна зона - це енергетична зона в ТТ:
Яка при Т=0К максимально заповнена валентними електронами.
Зона провідності - це енергетична зона в ТТ:
Яка при Т=0К повністю заповнена валентними електронами.
Носіями зарядів у власних напівпровідниках є:
Електрони і дірки.
Основними носіями зарядів у напівпровідниках р-типу є:
Дірки.
Основними носіями зарядів у напівпровідниках n-типу є:
Електрони.
Неосновними носіями зарядів у напівпровідниках р-типу є:
Позитивно і негативно заряджені іони.
Неосновними носіями зарядів у напівпровідниках n-типу є:
Позитивно і негативно заряджені іони.
Який вираз відноситься до концентрації електронів у власному напівпровіднику n-типу:
Який вираз відноситься до концентрації електронів у напівпровіднику р-типу:
Який вираз відноситься до концентрації електронів у власному напівпровіднику ?
Який вираз відноситься до концентрації електронів у металах:
Домішки , які є джерелом електронів, називаються:
Донорами.
Домішки , які є джерелом дірок, називаються:
Акцепторами.
Енергетичні рівні домішок, які є джерелом дірок, називаються:
Акцепторними.
Енергетичні рівні домішок, які є джерелом електронів, називаються:
Донорними.
Напівпровідники з дірковою провідністю називаються:
р- типу.
Напівпровідники з електронною провідністю називаються:
n- типу.
Метал (при 0К) за зонною теорією – це:
Речовина з відсутньою забороненою зоною.
Напівпровідник (при 0К) за зонною теорією – це:
Речовина із шириною забороненої зони .
Діелектрик (при 0К) за зонною теорією – це:
Речовина із шириною забороненої зони .
Що таке зона провідності для металів одновалентних металів (при 0 К)?
Зона заповнена на половину
Що таке зона провідності для металів двовалентних металів (при 0 К)?
Повністю пуста зона.
Енергетичні стани електрона в ізольованому атомі від енергетичних станів таких же атомів в кристалі відрізняються:
У ізольованих N атомів є однакові N енергетичних рівнів.
За зонною теорією тверде тіло є провідником струму, коли є:
Вільні енергетичні рівні.
Де розташований рівень Фермі у власному напівпровіднику при Т=0К?
Посередині забороненої зони.
Де згідно рисунку розташовуються дозволені енергетичні зони ?
1.
2.
3.
Де згідно рисунку у власному напівпровіднику розташовується рівень Фермі при 0 К?
.
2.
Яка зонна діаграма відповідає одновалентному металу:
Яка зонна діаграма відповідає напівпровіднику?:
Яка зонна діаграма відповідає діелектрику:
За зонною теорією тверде тіло є провідником струму, коли є:
Вільні носії заряду.
Вільні енергетичні рівні.
Носії заряду та вільні енергетичні рівні.
Де розташований рівень Фермі у власному напівпровіднику при Т=0К?
Поблизу нижнього рівня зони провідності.
Поблизу верхнього рівня валентної зони.
Посередині забороненої зони.
Де згідно рисунку у власному напівпровіднику розташовується валентна енергетична зона ?:
3.
Зонна діаграма для напівпровідника p – типу :
Напівпровідники n- типу – це напівпровідники з домішкою, валентність якої:
На одиницю більша, ніж валентність основних атомів.
Напівпровідники n- типу – це напівпровідники з домішкою, валентність якої:
На одиницю більша, ніж валентність основних атомів.
Домішки , які є джерелом електронів, називаються:
Донорами.
Домішки , які є джерелом дірок, називаються:
Акцепторами.
Енергетичні рівні домішок, які є джерелом дірок, називаються:
Акцепторними.
Енергетичні рівні домішок, які є джерелом електронів, називаються:
Донорними.
Напівпровідники з дірковою провідністю називаються:
р- типу.
Напівпровідники з електронною провідністю називаються:
n- типу.
Які носії заряду називаються неосновними
Електрони в напівпровіднику p – типу.
Що таке робота виходу електронів із металу - це:
Робота, яку потрібно здійснити електрону, щоб перейти на сусідній енергетичний рівень.
Яка домішка призводить до виникнення електронної провідності в Ge
Ga.
In.
Яка домішка призводить до виникнення діркової провідності в Si
P.
При контакті метал-напівпровідник p – типу з Ам>Ан/п утворюється:
Контактний шар збіднений дірками (запірний шар)
Контактний шар збагачений електронами (антизапірний шар).
На рисунку показано контакт двох різних металів і напрям струму в колі. Що відбуватимесь із спаєм 1 і 2 А1 < А2?
1 – нагріватимес.
.2 – охолоджуватимесь.
Надання металу надлишкового позитивного заряду:
Збільшує потенціальну енергію
Робота виходу із речовини у вакуум описується виразом:
Термоелектрорушійна сила описується виразом:
На рисунку показано контакт двох різних металів і напрям струму в колі.
Що відбуватимесь із спаєм 1 і 2 при А1 > А2 і заданому напрямі струму:
1 – охолоджуватимесь.
2 – нагріватимесь.
Вольт-амперна характеристика p – n переходу має вигляд:
Надання металу надлишкового негативного заряду:
Зменшує потенціальну енергію.
Напрям зовнішнього електричного поля, який зменшує потенціальний бар’єр p – n переходу називається:
Зворотним.
Напрям зовнішнього електричного поля, який збільшує потенціальний бар’єр p – n переходу називається:
Пропускним.
Внутрішня контактна різниця потенціалів проявляється у:
р-n переходах.
Від чого залежить внутрішня контактна різниця потенціалів:
Від різниці робіт виходу електрона.
Від чого залежить зовнішня контактна різниця потенціалів:
Від різниці енергій Фермі.
Що таке ЗБАГАЧЕННЯ в контактних явищах:
Випадок, коли в приповерхневій області контакту основних носіїв заряду більше, ніж неосновних.
Що таке ВИСНАЖЕННЯ в контактних явищах:
Випадок, коли в приповерхневій області контакту основних носіїв заряду менше, ніж неосновних.
В чому суть ефекту Зеєбека:
У виникненні електрорушійної сили в колі, складеному з різних речовин, коли контакти мають різну температуру.
В чому суть ефекту Пельтьє:
У поглинанні теплоти при проходженні струму через контакт в колі складеному з різних речовин.
Нагрівання чи охолодження контакту у випадку прояву ефекту Пельтьє залежить від:
Різниці робіт виходу.
За зонною теорією тверде тіло є провідником струму тоді, коли є:
Вільні енергетичні рівні.
Є два метали з різними термодинамічними роботами виходу. При цьому . Як метали зарядяться, коли їх привести в контакт:
Перший позитивно, другий негативно.
Контакт двох металів добре проводить струм, тому що:
Метали мають велику концентрацію носіїв заряду.
Товщина контакту дуже мала.
Рівень Фермі установлюється на одному рівні.
Різна робота виду.
Вказати, в яких речовинах область приповерхневого просторового заряду максимальна (по довжині) при утворенні контакту з металом:
Метал.
Напівпровідник з концентрацією носіїв заряду 1019м-3.
Напрям зовнішнього електричного поля, який зменшує потенціальний бар’єр p – n переходу називається.
Зворотним.
Термоелектрорушійна сила описується виразом:
Кількість теплоти, яка виділяється у спаї при явищі Пельтьє є:
При контакті метал-напівпровідник n – типу з Ам<Ан/п утворюється контактний шар:
Збагачений дірками (антизапірний шар).
При контакті метал-напівпровідник р – типу з Ам<Ан/п утворюється контактний шар:
Збіднений електронами (запірний шар)
Як визначається рухливість електронів
Питома електропровідність металів за класичною теорією визначається:
Питома електропровідність металів за квантовою теорією визначається:
Що таке α у виразі ?:
Термічний коефіцієнт опору.
Що таке у виразі ?
Опір при t=00С.
Що таке R у виразі ?
Опір при t0С
Що таке t у виразі ?
Температура.
Опір у власному напівпровіднику при зростанні температури
Спадає за лінійним законом.
Опір у напівпровіднику р-типу при зростанні температури:
Спадає за експоненціальним законом.
Провідність при зростанні температури у напівпровіднику р-типу:
Зростає за лінійним законом.
Провідність при зростанні температури у напівпровіднику n-типу:
Зростає за експоненціальним законом.
Провідність при зростанні температури у власному напівпровіднику:
Зростає за лінійним законом.
Зростання провідності у власному напівпровіднику при зростанні температури пояснюється:
Збільшенням кількості електронів.
Зростання провідності у напівпровіднику n-типу при зростанні температури пояснюється:
Збільшенням кількості дірок.
Зростання провідності у напівпровіднику р-типу при зростанні температури пояснюється:
Зменшенням кількості дірок.
Надпровідність це явище:
Падіння опору речовини до нуля при критичній температурі.
Критична температура в температурній залежності електропровідності речовини– це температура при якій:
Зменшується провідність.
Що таке дрейфовий струм у напівпровіднику:
Струм, який виникає в результаті хаотичного руху електричних зарядів.
Густина дрейфового струму у напівпровіднику в загальному випадку описується виразом
Електронна провідність у напівпровіднику виникає за рахунок електронів збуджених із:
Валентної зони на домішковий рівень.
Діркова провідність у напівпровіднику виникає за рахунок електронів збуджених із:
Домішкових рівнів в зону провідності.
Власна провідність у напівпровіднику виникає за рахунок електронів збуджених із:
Валентної зони в зону провідності.
Яку енергію можна визначити із залежності для домішкових напівпровідників р-типу:
Енергію активації напівпровідника з електронною провідністю.
Яку енергію можна визначити із залежності для домішкових напівпровідників n-типу:
Енергію активації напівпровідника з дірковою провідністю.
Яку енергію можна визначити із залежності для власних напівпровідників:
Ширину забороненої зони власного напівпровідника.
Провідність напівпровідника називається власною, коли провідність здійснюється за рахунок:
Електронів в зоні провідності.
Внутрішній фотоефект – це явище:
Зміни енергетичного положення носіїв заряду речовини під дією світла.
Вказати, в яких речовинах область приповерхневого просторового заряду максимальна (по довжині) при утворенні контакту з металом:
Напівпровідник з концентрацією носіїв заряду 1019м-3.
Генерацією носіїв заряду у власному напівпровіднику називається процес:
Приєднання діркою електрона і утворення нейтрального атома.
Утворення пари електрон – дірка.
Утворення електронів
Утворення дірок.
Рекомбінацією носіїв заряду у власному напівпровіднику називається процес:
Утворення електронів
Утворення дірок.
Який механізм електропровідності у власних напівпровідниках ?:
Електронний.
Дірковий.
Електронний і дірковий
Що таке дифузійний струм у напівпровіднику:
Струм обумовлений зовнішнім електричним полем.
Струм, який виникає в результаті дифузії в неоднорідних напівпровідниках.
Залежність електропровідності у власному напівпровіднику від температури зображена на рисунку:
Надпровідність це явище:
Падіння опору речовини до нуля при критичній температурі.
Який з графіків відповідає явищу надпровідності?:
Який з графіків відповідає залежності опору металів від температури (при не дуже низьких температурах)?:
В чому полягає явище дифузії
Це зростання провідності власному напівпровіднику при нагріванні.
Що таке дрейфовий струм у напівпровіднику:
Струм, який виникає в результаті дифузії в неоднорідних напівпровідниках.
Густина струму у напівпровіднику загальному випадку описується виразом:
?
Чому діелектрики не проводять струм при звичайних умовах ?
У них велика ширина забороненої зони.
Чим пояснюється збільшення сили струму через напівпровідник при збільшенні температури:
Зменшенням концентрації носіїв заряду.
Який процес називається генерацією носіїв заряду у власному напівпровіднику?:
Процес утворення пари електрон – дірка.
Співвідношення між рухливістю і коефіцієнтом дифузії для дірок є:
Електронна провідність у напівпровіднику виникає за рахунок електронів збуджених із:
Валентної зони на домішковий рівень.
Діркова провідність у напівпровіднику виникає за рахунок електронів збуджених із:
Домішкових рівнів в зону провідності.
Власна провідність у напівпровіднику виникає за рахунок електронів збуджених із:
Валентної зони в зону провідності.
Провідність напівпровідника називається власною, коли провідність здійснюється за рахунок:
Дірок у валентній зоні .
Внутрішній фотоефект – це явище:
Зміни енергетичного положення носіїв заряду речовини під дією світла.
Квантова статистика – це:
Розділ статистичної фізики, що досліджує системи, які складаються з великої кількості частинок.
.
В чому принципова відмінність квантової статистики від класичної ?
Квантова статистика застосовується для будь-яких тотожних частинок.
Розподіл Фермі-Дірака для ферміонів за енергіями має вигляд :
Розподіл Бозе-Ейнштейна для бозонів за енергіями має вигляд :
При яких умовах до електронів в металах можна застосовувати класичну статистику
При високих температурах.
При яких умовах до електронів в металах можна застосовувати лише квантову статистику:
При дуже низьких температурах.
Електронний газ -
Сукупність електронів в атомах твердого тіла.
Куперовська пара – це:
Пара електрон-дірка.
Яка статистика застосовується для мікрочастинок з цілим спіном?:
Бозе – Ейнштейна.
Яка статистика застосовується для мікрочастинок з пів цілим спіном?:
Фермі-Дірака.
Фотон – це квазічастинка, яка є
Квантом звукових коливань.
Яка точка на графіку відповідає енергії Фермі:
D.
Рівень Фермі – це енергетичний рівень:
Імовірність, заповнення якого 0 .
Енергія Фермі – це:
Найменша енергія, яку може мати електрон при 00С.
Які мікрочастинки відносяться до квазічастинок:
Фонони.
Плазмони.
Ферміони – це мікрочастинки, які описуються статистикою
Фермі-Дірака.
Бозони – це мікрочастинки, які описуються статистикою:
Бозе – Ейнштейна.
Які мікрочастинки відносяться до бозонів:
Фотони.
Які мікрочастинки відносяться до ферміонів:
Протони.
Рівень Фермі – це енергетичний рівень:
Імовірність, заповнення якого 0,5.
Валентна енергетична зона у н/п - це:
Сама верхня зона, в якій при Т=0 К всі рівні зайняті електронами.
Густина дифузійного струму у напівпровіднику в загальному випадку описується виразом
Як записується вираз для червоної межі при дірковій фотопровідності ?
Як записується вираз для червоної межі при електронній фотопровідності ?
Як записується вираз для червоної межі при власній фотопровідності ?
Зовнішня контактна різниця потенціалів визначається:
Внутрішня контактна різниця потенціалів визначається: