- •12. Обозначение, какого прибора приведено на рисунке.
- •40. Обозначение какого прибора приведено на рисунке.
- •51. Обозначение какого прибора приведено на рисунке.
- •60. Обозначение какого прибора приведено на рисунке.
- •6.2 Рубежный контроль 2
- •38. Какую функцию выполняет данная схема?
- •57. Интегральные микросхемы на моп транзисторах относятся к:
- •58. Фотодиод работает на основе. . .
- •66. В этой схеме выход выполняет операцию:
- •Какой операционный усилитель?
- •82. Какой операционный усилитель?
- •83. Какую операцию выполняет транзистор vt1?
Рубежный контроль 1
1. Какой полупроводник является собственным?
2. В каком случае полупроводниковый диод не пропускает ток
3. Для чего применяется схема эквивалентности транзистора?
4. Обозначение, какого прибора приведено на рисунке.
5. Какое соединение транзистора дает наиболее эффективную работу
6. К какому типу усилителей относится операционный усилитель?
7. Удельное сопротивление кремния при комнатной температуре:
8. Электронно-дырочный переход создается:
9. Активный режим работы биполярного транзистора, когда.
10. Инжекция носителей это:
11. Основным элементом выпрямителя является:
12. Обозначение, какого прибора приведено на рисунке.
13. Основными носителями тока в примесных полупроводниках являются:
14. Вольтамперная характеристика выпрямительного диода:
15. Биполярные транзисторы имеют:
16.Активный режим работы биполярного транзистора, когда.
17. Коэффициент усиления в схеме с ОЭ:
18. МДП- транзистор с индуцированным каналом это:
А) В) С) Д) Е)
19. Механизм возникновения собственной проводимости:
20. Число свободных электронов в металлах при комнатной температуре:
21. Коэффициент передачи эмиттерного тока характеризует:
22. Биполярные транзисторы отличаются от полевого транзистора:
23. Достоинство схемы с ОЭ состоит в:
24. Обозначение какого прибора приведено на рисунке.
25. Какие параметры транзистора являются проводимостью
26. Запрещенная зона-
27. Активный режим p-n-p транзистора в схеме с ОЭ
А) В) С) Д) Е)
28 . Удельное сопротивление германия при комнатной температуре:
29. Контактная разность потенциалов равна:
30. Основным элементом усилителя является:
31. Параметр h11 биполярного транзистора определяет:
32. Какие особенности полупроводников можно наблюдать при постоянной температуре
33. Что называется модуляцией слоя базы биполярного транзистора
34. Отличие полевого транзистора от биполярного состоит в:
35. Графическое изображение для n-p-n транзистора дискретного:
А) В) С) Д) Е)
36. Уравнение нагрузочной прямой.
37. Биполярный транзистор это:
38. Коэффициент усиления в схеме с ОК:
39. Связь между атомами в полупроводнике:
40. Обозначение какого прибора приведено на рисунке.
41. В области р- n – перехода появится пространственный заряд, если:
42. Параметр h21 биполярного транзистора определяет:
43. Фотодиод работает на основе. . .
44. Основные носители зарядов это:
45. Полный ток p-n перехода равен:
46. Коэффициент передачи тока эмиттера в схеме с ОБ:
47. МДП транзистор это:
48. Режим отсечки в схеме с ОЭ для p-n-p транзистора:
А) В) С) Д) Е)
49. Отличие полевого транзистора от МДП транзистора
50. Какие факторы приводят к увеличению концентрации электронов в полупроводниках n- типа
51. Обозначение какого прибора приведено на рисунке.
52. При каком соединении транзистора повышается его термостабилизация.
53. Какой вид обратной связи (ОС) применяется в усилителях?
54. Коэффициент передачи тока базы в схеме с ОЭ.
55. Формирование p-n прехода происходит в результате:
56. Диффузионный ток p-n перехода равен:
57. Пороговое напряжение для Ge и SI:
58. Первый закон Кирхгофа для транзистора:
59. Чем различается МДП транзистор от МОП транзистора?
60. Обозначение какого прибора приведено на рисунке.
61. В каком соединении транзистора коэффициент усиления по току меньше единицы.
62. Дрейфовой ток диода показывает:
63. Режим насыщения для p-n-p транзистора в схеме с ОЭ:
А) В) С) Д) Е)
64. Входное сопротивление схемы с ОК:
65. Биполярный транзистор это:
66. Электронно-дырочный переход создается:
67. Эмиттер- это какая часть транзистора?
68. Вольт-амперная характеристика диода имеет вид:
69. Механизм возникновения собственной проводимости:
70. Входное сопротивление схемы с ОЭ:
71. Формирование p-n прехода происходит в результате:
72. Биполярный транзистор это:
73. Схема с (ОЭ) общим эмиттером для n-p-n транзистора :
А) В) С) Д) Е)
74. Какому состоянию электронного ключа соответствует режим отсечки транзистора?
75. Прямое включение p-n перехода это:
76. Туннельный диод это
А) В) С) Д) Е)
77. p-n переход в отсутствии питания находится в состоянии:
78. Проводимость n-типа создается:
79. Из каких частей состоит транзистор?
80. Основная зона-
81. Валентная зона –
82. Как обозначается на схемах выпрямительный диод?
А) В) С) Д) Е)
83. Эмиттер- это часть транзистора -
84. Что называют полупроводниковым диодом?
85. МДП транзистор это:
86. Отличие полевого транзистора от биполярного состоит в: