Билеты по дисспец 1маг 2014
.docДагестанский государственный университет
ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ
Магистерская программа –
ФИЗИКА ПОЛУПРПОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ
По направлению 210100 – ЭЛЕКТРОНИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ N 1
по дисциплине «Физика и технология электрических переходов» для магистров 1 года физического факультета.
1. Электрические переходы. Свойства контакта М-п/п.
2. ВАХ реального диода
Билет составил: доцент каф. ЭФ Курбанов М.К.
Билет рассмотрен и утвержден на заседании кафедры «29»_декабря_2014г.
Зав. кафедрой ЭФ _____________ С.А. Садыков.
Дагестанский государственный университет
ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ
Магистерская программа –
ФИЗИКА ПОЛУПРПОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ
По направлению 210100 – ЭЛЕКТРОНИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ N 2
по дисциплине «Физика и технология электрических переходов» для магистров 1 года физического факультета.
1. Понятие о р-n-переходе. Определение и классификация р-n- переходов
2. Механизмы пробоя р-n-перехода.
Билет составил: доцент каф. ЭФ Курбанов М.К.
Билет рассмотрен и утвержден на заседании кафедры «29»_декабря_2014г.
Зав. кафедрой ЭФ _____________ С.А. Садыков.
Дагестанский государственный университет
ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ
Магистерская программа –
ФИЗИКА ПОЛУПРПОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ
По направлению 210100 – ЭЛЕКТРОНИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ N 3
по дисциплине «Физика и технология электрических переходов» для магистров 1 года физического факультета.
1. Энергетическая диаграмма равновесного и неравновесного р-n-перехода
2. Методы создания омических контактов М-п/проводник.
Билет составил: доцент каф. ЭФ Курбанов М.К.
Билет рассмотрен и утвержден на заседании кафедры «29»_декабря_2014г.
Зав. кафедрой ЭФ _____________ С.А. Садыков.
Дагестанский государственный университет
ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ
Магистерская программа –
ФИЗИКА ПОЛУПРПОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ
По направлению 210100 – ЭЛЕКТРОНИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ N 4
по дисциплине «Физика и технология электрических переходов» для магистров 1 года физического факультета.
1.Структура и основные параметры р-n-перехода. Понятие физического р-n-перехода, металлургического р-n-перехода.
2. Механизм инерционности диода.
Билет составил: доцент каф. ЭФ Курбанов М.К.
Билет рассмотрен и утвержден на заседании кафедры «29»_декабря_2014г.
Зав. кафедрой ЭФ _____________ С.А. Садыков.
Дагестанский государственный университет
ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ
Магистерская программа –
ФИЗИКА ПОЛУПРПОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ
По направлению 210100 – ЭЛЕКТРОНИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ N 5
по дисциплине «Физика и технология электрических переходов» для магистров 1 года физического факультета.
1. Токи через р-n-переход в равновесном состоянии.
2. Барьерная емкость
Билет составил: доцент каф. ЭФ Курбанов М.К.
Билет рассмотрен и утвержден на заседании кафедры «29»_декабря_2014г.
Зав. кафедрой ЭФ _____________ С.А. Садыков.
Дагестанский государственный университет
ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ
Магистерская программа –
ФИЗИКА ПОЛУПРПОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ
По направлению 210100 – ЭЛЕКТРОНИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ N 6
по дисциплине «Физика и технология электрических переходов» для магистров 1 года физического факультета.
-
Понятие идеального гетероперехода. Реальные гетеропереходы.Требования к материалам гетеропары.
-
Омические контакты.
Билет составил: доцент каф. ЭФ Курбанов М.К.
Билет рассмотрен и утвержден на заседании кафедры «29»_декабря_2013г. Зав. кафедрой ЭФ _____________ С.А. Садыков.
Дагестанский государственный университет
ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ
Магистерская программа –
ФИЗИКА ПОЛУПРПОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ
По направлению 210100 – ЭЛЕКТРОНИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ N 7
по дисциплине «Физика и технология электрических переходов» для магистров 1 года физического факультета.
1.Изотипные и анизотипные гетеропереходы, их энергетические диаграммы.
2. Модель идеализированного диода.
Билет составил: доцент каф. ЭФ Курбанов М.К.
Билет рассмотрен и утвержден на заседании кафедры «29»_декабря_2014г.
Зав. кафедрой ЭФ _____________ С.А. Садыков.
Дагестанский государственный университет
ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ
Магистерская программа –
ФИЗИКА ПОЛУПРПОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ
По направлению 210100 – ЭЛЕКТРОНИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ N 8
по дисциплине «Физика и технология электрических переходов» для магистров 1 года физического факультета.
-
Эффекты односторонней инжекции и сверхинжекции в гетеропереходах.
-
Сопротивление базы. Характеристики диода при высоком степени уровне инжекции.
Билет составил: доцент каф. ЭФ Курбанов М.К.
Билет рассмотрен и утвержден на заседании кафедры «29»_декабря_2014г.
Зав. кафедрой ЭФ _____________ С.А. Садыков.
Дагестанский государственный университет
ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ
Магистерская программа –
ФИЗИКА ПОЛУПРПОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ
По направлению 210100 – ЭЛЕКТРОНИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ N 9
по дисциплине «Физика и технология электрических переходов» для магистров 1 года физического факультета.
1.Ионно-плазменные технологии создания электрических переходов.
2. ВАХ идеализированного диода. Тепловой ток.
Билет составил: доцент каф. ЭФ Курбанов М.К.
Билет рассмотрен и утвержден на заседании кафедры «29»_декабря_2014г.
Зав. кафедрой ЭФ _____________ С.А. Садыков.
Дагестанский государственный университет
ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ
Магистерская программа –
ФИЗИКА ПОЛУПРПОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ
По направлению 210100 – ЭЛЕКТРОНИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ N 10
по дисциплине «Физика и технология электрических переходов» для магистров 1 года физического факультета.
-
Особенности ВАХ реального диода.
-
Диффузионные технологии формирования электрических перходов в полупроводниках.
Билет составил: доцент каф. ЭФ Курбанов М.К.
Билет рассмотрен и утвержден на заседании кафедры «29»_декабря_2014г.
Зав. кафедрой ЭФ _____________ С.А. Садыков.
Вопросы по экзамену для магистров 1курса
1. Электрические переходы. Свойства контакта М-п/п.
2. ВАХ реального диода
3. Понятие о р-n-переходе. Определение и классификация р-n- переходов
4. Механизмы пробоя р-n-перехода.
5. Энергетическая диаграмма равновесного и неравновесного р-n-перехода
6. Методы создания омических контактов М-п/проводник.
7.Изотипные и анизотипные гетеропереходы, их энергетические диаграммы.
8. Модель идеализированного диода.
9.Эффекты односторонней инжекции и сверхинжекции в гетеропереходах.
10.Сопротивление базы. Характеристики диода при высоком степени уровне инжекции.
11.Ионно-плазменные технологии создания электрических переходов.
12.ВАХ идеализированного диода. Тепловой ток.
13.Структура и основные параметры р-n-перехода. Понятие физического р-n- перехода, металлургического р-n-перехода.
14.Механизм инерционности диода.
15.Токи через р-n-переход в равновесном состоянии.
16.Барьерная емкость
17.Понятие идеального гетероперехода. Реальные гетеропереходы.Требования к материалам гетеропары.
18.Омические контакты.
19.Особенности ВАХ реального диода.
20.Газофазные эпитаксиальные технологии создания р-n-переходов в полупроводниках