el_-_kopia_-_kopia

«Алгебраическая сумма напряжений на сопротивлениях участков замкнутого контура равна алгебраической сумме э.д.с. источников, входящих в этот контур» это:2 «Дрейф нуля» это:1

LC-усилители работают в диапазоне:4 r- характеристическое сопртивление2 R-опротивление резистивных потерь w=0, w=бесконечность:1

w=0, w=бесконечность:1 w=0, w=бесконечность:2

А) непосредственная; Б) RC-связь; В) трансформаторная; Г) оптронная. 6 Активная мощность в линейной цепи гармонического тока имеет максимум:2 Активная мощность измеряется в:1 Активная мощность на участке цепи при

гармоническом токе определяется выражением:2

Активная мощность:2

Активными называют элементы схем, которые:2 Акцепторной называется примесь, которая создает:2 Амплитудно-частотная характеристика (АЧХ)

комплексного параметра цепи это:1 Амплитудно-частотной характеристикой электрической цепи называют:4 Амплитуды напряжений на реактивных элементах в параллельном колебательном контуре на

резонансной частоте находятся в соотношении:1 Амплитуды напряжений на реактивных элементах в последовательном колебательном контуре на резонансной частоте находятся в соотношении:1 Амплитуды токов через реактивные элементы в параллельном колебательном контуре на резонансной частоте находятся в соотношении:1 Амплитуды токов через реактивные элементы в последовательном колебательном контуре на резонансной частоте находятся в соотношении:1 Барьерную емкость в p-n- переходе создают:1 Барьерные емкости выпрямительных диодов достигают больших величин:2 Биполярный транзисторэто прибор управляемый:1

Большей добротностью обладает колебательный контур:1 Быстродействие переключения диодов Шотки определяется:2

Быстродействие переключения импульсных диодов на р-п переходе определяет:3

Вбесконечной длинной линии возникает:2

Ввыпрямительных диодах прямые токи достигают больших величин за счет:2

Вдлинной линии без потерь конечной длины режим бегущих волн возникает, когда нагрузка:1

Вдлинной линии без потерь погонные параметрыe удовлетворяют условиям:3

Вдлинной линии конечной длины возникает:1

Вдлинной линии с потерями погонные параметры удовлетворяют условиям :3

Видеальном источнике э.д.с. постоянное значение имеет1

Визолированном (равновесном) р-n- переходе выполняется соотношение:3

Вимпульсных диодах высокого быстродействия переключения достигают:5

Вколебательном контуре обязательно присутствуют:4

Влинии конечной длины при работе на согласованную нагрузку возникает режим:1

Влинии конечной длины, работающей на короткозамкнутую нагрузку, возникает режим:4

ВМДП полевом транзисторе с индуцированным каналом затвор отделен от канала:3

ВМДП полевом транзисторе с встроенным каналом затвор отделен от канала:3

Внагрузке максимальная мощность сигнала выделяется в режиме1

Вноминальном режиме варикапа его р-n- переход смещен:2

Вноминальном режиме работы p-n-переход выпрямительного диода смещен:3

Вноминальном режиме стабистора его р-n-переход смещен:1

Вполевом транзисторе с р-n переходом затвор отделен от канала:1

Вполевом транзисторе, при напряжении насыщении, смыкание канала происходит:1

Вполевом транзисторе, при напряжении отсечки, смыкание канала происходит:2

Вполевом транзисторе, при напряжении стокисток Uси (Uси нас < Uси <Uси max), смыкание канала происходит:3

Вполевых транзисторах с изолированным затвором канал отделен от затвора:3

Вполубесконечной длинной линии возникает режим:1

Вполубесконечной длинной линии возникает:3

Вполупроводниках возможно два механизма движения зарядов:1

Вполупроводнике n-типа основными свободными носителями заряда являются:1

Вполупроводнике n-типа, каждый атом примеси создает:3

Вполупроводнике р-типа основными свободными носителями заряда являются:2

Вполупроводнике р-типа, каждый атом примеси создает:4

Вполупроводниковых приборах используют следующие виды пробоя:1

Впримесном полупроводнике неосновными свободными носителями заряда называют:4

Впримесном полупроводнике основными свободными носители заряда называют:3

Втранзисторе ток коллектора Iк=9.9mА, Iб=100мкА. Найти Iэ, а, в „:1

Втранзисторе ток коллектора Iк=99mА, в=99. Найти

Iэ, а,. Iб:1

Втранзисторе ток коллектора Iк=99mА, Iб=1мА. Найти Iэ, а, в:1

Втранзисторе ток коллектора Iк=99mА, а =0.99. Найти Iэ, Iб, в:1

Втранзисторе ток эмиттера Iэ=100мА, Iб=1мА. Найти

Iк, а, в:1

Втранзисторе ток эмиттера Iэ=100мА, а=0.99,. Найти

Iк, Iб, в:2

Втранзисторе ток эмиттера Iэ=100мА, в=99,. Найти

Iк, Iб, а:2

Втранзисторе ток эмиттера Iэ=10мА, Iб=100мкА. Найти Iк, а и в:2

Втранзисторе ток эмиттера Iэ=10мА, а=0.99,. Найти

Iк, Iб, в:2

Втригонометрический ряд Фурье могут быть разложены функции:2

ВУПТ для гальванической развязке между каскадами применяется применяется связь: 1. непосредственная; 2. RC-связь; 3. трансформаторная; 4. оптронная.4

ВУПТ между каскадами применяется связь:

Вусилительном каскаде емкость в эмиттерной цепи предназначена для:5

Вусилительном каскаде коллекторное сопротивление предназначено для:1

Вусилительном каскаде паразитная емкость влияние на АЧХ Кu оказывают в диа-пазоне:2

Вусилительном каскаде рабочим считают диапазон частот:5

Вусилительном каскаде разделительные конденсаторы влияние на АЧХ Кu оказы-вают в диапазоне:1

Вусилительном каскаде эмиттерное сопротивление предназначено для:4

Вусилителях разделительные конденсаторы предназначены для:1 в цепи первого порядка.1

Вэлектротехнике под резонансом понимают не амплитудный, а фазовый потому что:1

Величина барьерной емкости зависит от:2 Величина диффузионной емкости зависит от:1 Ветвью электрической цепи называется:2

Вещественная (U1) и мнимая (U11) части гармонического напряжения с амплитудой U связаны следующим соотношением:1

Вид входной ВАХ биполярного транзистора в основном связан со свойствами р-п-перехода:1 Вид входной ВАХ биполярного транзистора связан с движением:1 Вид выходной ВАХ биполярного транзистора в

основном связан со свойствами р-п-перехода:2 Вид выходной ВАХ биполярного транзистора определяет движением:2

Внутреннее сопротивление (Ri) идеального источника тока равно.2

Внутреннее сопротивление (Ri) идеального источника эдс равно:1 Внутренние области тиристора называют:3

Волна от источника сигнала в бесконечной длинной линии распространяется в:1 Волна от источника сигнала в полубесконечной

длинной линии распространяется в:3 Входная ВАХ биполярного транзистора с ОБ при обратном смещении КП смещается влево, вследствие:2

Входная ВАХ биполярного транзистора с ОЭ при обратном смещении КП смещается вправо, вследствие:3 Входное сопротивление ИНУН равно.2

Входное сопротивление ИНУТ равно.1 Входное сопротивление ИТУН равно.2 Входное сопротивление ИТУТ равно.1

Входной сигнал электрической цепи называют:2 Входные сопротивления биполярного и полевого транзисторов находятся в соотношении:3 Входы ОУ "виртуально замкнуты", т.е.:2

Выбрать соотношение, которое характеризует связь между выходным и входными сигналами для схемы №1, приведенной на рис.11:1 Выбрать соотношение, которое характеризует связь

между выходным и входными сигналами для схемы №2, приведенной на рис.11:2 Выбрать соотношение, которое характеризует связь

между выходным и входными сигналами для схемы №3, приведенной на рис.11:5 Выбрать соотношение, которое характеризует связь

между выходным и входными сигналами для схемы №4, приведенной на рис.11:4 Выбрать соотношение, которое характеризует связь

между выходным и входными сигналами для схемы №5, приведенной на рис.11:6 Выбрать соотношение, которое характеризует связь

между выходным и входными сигналами для ОУ, работающего в режиме малого сигнала:1 Выбрать соотношение, которое характеризует связь между выходным и входны-ми сигналами для ОУ, работающего в режиме большого сигнала:5 Выводы биполярного транзистора называют:3 Выводы диодного симистора называют:4 Выводы диодного тиристора называют:4 Выводы полевого транзистора называют:5 Выводы триодного симистора называют:6 Выводы триодного тиристора называют:5

Выходное напряжение дифференцирующей RL-цепи при постоянном напряжении Е на входе равно:3 Выходное напряжение интегрирующей RC-цепи при постоянном напряжении Е на входе равно:1 Выходное напряжение интегрирующей RL-цепи при постоянном напряжении Е на входе равно:1 Выходное сопротивление ИНУН равно.1 Выходное сопротивление ИНУТ равно.1 Выходное сопротивление ИТУН равно.2 Выходное сопротивление ИТУТ равно.2 Выходной сигнал электрической цепи называют:1 Выходной ток и управляющий сигнал в полевом транзисторе связаны соотношением:3 Выходной ток полевого транзистора создают:4

Выходной ток при работе биполярного транзистора в активном режиме равен:1 Выходной ток при работе биполярного транзистора в инверсном режиме равен:4

Выходной ток при работе биполярного транзистора в режиме насыщения равен:3 Выходной ток при работе биполярного транзистора в режиме отсечки равен:2

Гальваническую развязку между каскадами обеспечивает межкаскадная связь:5 Генератор вырабатывает гармонические колебания:1

Годограф (АФХ) передаточной функции Ku(w) = - 1 + jwRC располагается на комплексной плоскости в четвертях:5

Годограф (АФХ) передаточной функции Ku(w) = *- а+j(dw – (wc)-1)] располагается на комплексной плоскости в четвертях:5

Годограф (АФХ) передаточной функции Ku(w) = *а+j(dw – (wc)-1)+ располагается на комплексной плоскости в четвертях:3

Годограф (АФХ) передаточной функции Ku(w) = 1 – jwRC располагается на комплексной плоскости в четвертях:5

Годограф (АФХ) передаточной функции Ku(w) = 1/(1

–jwRC) располагается на комплексной плоскости в четвертях:1

Годограф (АФХ) передаточной функции Ku(w) = 1/(1 + jwRC) располагается на комплексной плоскости в четвертях:5

Годограф (АФХ) передаточной функции Ku(w) = 1/*а+j(dw – (wc)-1)+ располагается на комплексной плоскости в четвертях:3

Годограф (АФХ) передаточной функции Ku(w) = 1/*-а- j(dw – (wc)-1)+ располагается на комплексной плоскости в четвертях:5

Годограф (АФХ) передаточной функции Ku(w) =[( dw

–(wc)-1) – jwRC+ располагается на комплексной плоскости в четвертях:4

Годограф (АФХ) передаточной функции Ku(w) =*( dw

–(wc)-1) +jwRC+ располагается на комплексной плоскости в четвертях:2

Годограф передаточной функции Ku(w = (-1 + jwC)-1 располагается на комплексной плоскости в четвертях:5

Годограф передаточной функции Ku(w) = (-1 - jwRC)- 1 располагается на комплексной плоскости в четвертях:2

Годограф передаточной функции Ku(w) = 1 + jwRC располагается на комплексной плоскости в четвертях:1

Годограф передаточной функции Ku(w) = jwC /(1 + jwC) располагается на комплексной плоскости в четвертях:1

Годограф передаточной функции Ku(w) = jwRC /(-1 - jwRC) располагается на комплексной плоскости в четвертях:5

Годограф передаточной функции Ku(w) = jwRC /(1 - jwRC) располагается на комплексной плоскости в четвертях:2

Годограф передаточной функции Ku(w) = jwRC /(-1 + jwRC) располагается на комплексной плоскости в четвертях:5

Годограф передаточной функции Ku(w) =(- 1 - jwRC) располагается на комплексной плоскости в четвертях:5

Годограф это:2

Движение зарядов под действием градиента концентрации называется:2 Движение зарядов под действием сил электрического поля называется:1

Двухполюсник представляет собой электрическую цепь, которая имеет:1 действием сил электрического поля называется:2

Действующее значение переменного периодического напряжения u(t) определяется соотношением:2 Действующие значения переменного тока либо напряжения это:2

Диапазон длин волн называют видимым когда:2 Диапазон длин волн называют инфракрасным если:1 Диапазон длин волн называют ультрафиолетовым когда:3

Диапазон длин волн наиболее эффективно излучаемый ОЭП связан:1 Диапазон длин волн наиболее эффективно поглащаемый ОЭП связан с:1

Диапазон частот, в котором коэффициент передачи по напряжению и коэффициент затухания в идеальных фильтрах равны единице, называют:3 Динистор имеет структуру:3

Дифференциальный усилитель должен усиливать сигнал2

Диффузионную емкость в p-n переходе создают:3 Длинную линию называют неоднородной если:1 Длинную линию называют однородной если:2 Для анализа сигнала с бесконечно большой энергией применяют4

Для барьерной и диффузионной емкостью р-n перехода справедливо соотношение:1

Для дифференцирующей RC-цепи записать КЧХ коэффициента передачи по напряжению:2 Для дифференцирующей RC-цепи определить

значения переходной характеристики при t=+0 и t=есконечность:3

Для дифференцирующей RC-цепи определить коэффициент передачи по напряжению на частотах Для дифференцирующей RL-цепи записать КЧХ коэффициента передачи по напряжению:2

Для дифференцирующей RL-цепи определить коэффициент передачи по напряжению на частотах Для дифференцирующей RL-цепи определить коэффициент передачи по напряжению на частотах Для дифференцирующей RL-цепи значения переходной характеристики при t=+0 и t=есконечность: равны:3

Для интегрирующей RC-цепи записать КЧХ коэффициента передачи по напряжению:4

Для интегрирующей RC-цепи значения переходной характеристики при t=+0 и t=есконечность равны:1 Для интегрирующей RC-цепи определить коэффициент передачи по напряжению на частотах w=0, w=бесконечность:2

Для интегрирующей RL-цепи записать КЧХ коэффициента передачи по напряжению:4 Для независимых узлов схемы на рис. записать уравнения по 1-ому закону Кирхгофа.3

Для расчета электрической цепи методом токов ветвей необходимо и достаточно составить уравнений:3 Для расчета электрической цепи методом узловых

потенциалов необходимо и достаточно составить уравнений:2 Для создания выпрямляющего контакта на переходе

металл-полупроводник должно выполняться условие:2 Для создания омического контакта металла с

полупроводником должно выполняться соотношение:1 Для схемы приведенной на рис. рассчитать через

Rн2

Для схемы приведенной на рис.4 рассчитать через

Ri:1

Для схемы рассчитать i1.1 Для схемы рассчитать i2.3 Для схемы рассчитать i3.4

Для элементов соединенных параллельно общим является:1 Для элементов соединенных последовательно

общим является:2

Добротность Q, полоса пропускания S и резонансная частота f0 контура связаны соотношением:1 Донорной называется примесь, которая создает:1 Дырки являются основными носителями заряда в полупроводнике:2 Если напряжение на индуктивности линейно

возрастает во времени, то напряжение на ней изменяется по закону:2 Если напряжение на конденсатор возрастает во

времени линейно, то ток через нее изменяется по закону:3 Если напряжение на конденсаторе во

времени постоянно, то ток через нее изменяется по закону:4 Если напряжение на конденсаторе возрастает по

квадратичному закону, то ток через нее изменяется по закону:1 Если ток через индуктивность линейно возрастает во

времени, то напряжение на ней изменяется по закону:3 Если ток через конденсатор возрастает во времени

линейно, то напряжение на нем изменяется по закону:2

Если ток через конденсатор протекает во времени постоянный, то напряжение на нем изменяется по закону:1 За положительное направление напряжения

принято направление:1 За положительное направление неизвестного

напряжения или тока выбирают направление:1 За положительное направление э.д.с. принято направление:2 Зависимость между током и напряжением на

выводах элемента называют:1 Задача анализа цепи состоит в отыскании:2

Задача синтеза цепи состоит в отыскании:1 Закон коммутации в электрической цепи с емкостью имеет следующий вид:2 Закон коммутации в электрической цепи с

индуктивностью записываются в виде:1 Закон Ома в комплексной форме для емкости:4 Закон Ома в комплексной форме для индуктивности:2 Закон Ома в комплексной форме для сопротивления:1

Записать аналитическое выражение переходной характеристики дифференцирующей RC-цепи:3 Записать аналитическое выражение переходной характеристики дифференцирующей RL-цепи:3 Записать аналитическое выражение переходной характеристики интегрирующей RC-цепи:5 Записать аналитическое выражение переходной характеристики интегрирующей RL-цепи:5 Записать выражение для гармонического напряжения с частотой 150Гц, комплексная амплитуда которого2 Записать выражение для гармонического

напряжения с частотой 50Гц, комплексная амплитуда которого1 Записать выражение для коэффициента передачи по напряжению:2

Записать выражение для коэффициента усиления усилителя по напряжению:3 Записать комплексную амплитуду гармонического

напряжения u(t)=311cos(2п100t -п/4).2

Записать комплексную амплитуду гармонического напряжения u(t)=3cos(2п100t - п/4).2

Записать уравнение по методу узловых потенциалов для узла А схемы на рис.2 Записать уравнения по методу контурных токов для данной схемы3

Записать уравнения по методу контурных токов для схемы.1 Записать уравнения по методу токов ветвей для данной схемы3

Записать условие включения диодного тиристора:1 Записать условие включения триодного тиристора:4 Записать условие выключения диодного тиристора:5 Записать условие выключения триодного тиристора:5 Записать условие самовозбуждения автогенератора:2

Записать условие согласования источника сигнала с нагрузкой по критерию выделения в нагрузке максимальной мощности1 Записать условие согласования источника сигнала с

нагрузкой по критерию получения на нагрузке максимального напряжения.4 Записать условие согласования источника сигнала с

нагрузкой по критерию получения на нагрузке максимальной мощности напряжения.4 Записать условие согласования источника сигнала с нагрузкой по критерию получения на нагрузке максимальной мощности4 Записать условие стационарных автоколебаний:1

Записать условия баланса амплитуд и баланса фаз:1 Запишите второй закон Кирхгофа (для контура J1).5 Запишите первый закон Кирхгофа (для узла А).2 Затвор в полевом транзисторе с индуцированным каналом выполнен из:1

Затвор в полевом транзисторе с р - n переходом выполнен из:3

Значения переходной характеристики при t=+0 и t=бесконечность для интегрирующей RL-цепи равны:1

Идеализированные элементы цепи :4

Избирательность колебательного контура определяется:1 Импульсный диод в схемах выполняет роль:1

Инерционные свойства биполярного транзистора связаны с:3 Инжекция связана с движением носителей заряда1

Искажения сигналов в усилителях состоят:1 Искажения создаваемые импульсным усилителем оценивают:2 Искажения усилительного каскада в области

больших времен создают:3 Искажения усилительного каскада в области больших времен состоят :2

Искажения усилительного каскада в области малых времен создают:4 Искажения усилительного каскада в области малых времен состоят:1

Ккакой группе фильтров относятся схемы, приведенные на рисунках:1

Ккакой группе фильтров относятся схемы, приведенные на рисунках:2

Ккакой группе фильтров относятся схемы, приведенные на рисунках:3

Ккакой группе фильтров относятся схемы, приведенные на рисунках:4

Кпервичным параметрам длинной линии относятся:1 Как определяется среднепериодическое значение

переменного напряжения u(t)4

Как рассчитывается комплексный коэффициент передачи N-звенного фильтра если звенья одинаковы, обладают комплексным коэффициентом передачи Ki(jw), но не согласованы по напряжениям.3 Как связаны гармонические ток и напряжение на индуктивности.2

Какая нагрузка длинной линии называется согласованной.1

Какие положительные качества имеет компаратор с положительной ОС по сравнению с компаратором без ОС:1 Каким свойством обладают индуктивные элементы схем.4

Каким свойством обладают реактивные элементы схем.3 Каким свойством обладают резистивные элементы схем.1

Каким условиям должны обладать сопротивление источника сигнала Ri и сопротивление нагрузки Rн, чтобы добротность последовательного контура была максимальной.1 Каким условиям должны обладать сопротивление

источника сигнала Ri и сопротивление нагрузки Rн, чтобы добротность параллельного контура была максимальной.3 Каков характер переходной

Каков характер переходной характеристики в цепи второго порядка.4 Каково назначение колебательных контуров1

Каково распределение амплитуд напряжения по длине линии без потерь в режиме бегущих волн.1 Каково распределение амплитуд напряжения по длине линии без потерь в режиме стоячих волн3 Каково распределение амплитуд напряжения по длине линии без потерь в режиме смешанных волн.2 Колебательным контуром называется цепь:2

Компаратор изменяет свое состояние, когда исследуемый сигнал сравнивается с:2 Компараторы это устройства, которые предназначенные для:2

Комплексная амплитуда напряжения на катушкe индуктивности с индуктивным сопротивлением XL =10 Ом при заданном токе через индуктивность iL=12sin(wt+q) равна:5

Комплексная амплитуда напряжения на сопротивлении R =10 Ом при заданном токе i=15sin(™t+‰) равна:4

Комплексная амплитуда тока через конденсатор с емкостным сопротивлением Xc=10 Ом при мгновенном значении напряжения на нем uс=20sin(wt+q) равна:4

Комплексное сопротивление двухполюсника есть…3

Комплексной амплитуды сигнала s(t)=Am cos(wt+q) записывается так:4 Комплексным параметром электрической цепи называют:1

Комплексным параметром цепи называют:4 Контуром электрической цепи называют:1 Коэффициент бегущей волны (КБВ) и коэффициент отражения по напряжению рu в линии в режиме бегущих волн равны:4 Коэффициент бегущей волны (КБВ) и коэффициент

отражения по напряжению рu в линии разомкнутой на конце равны:3 Коэффициент бегущей волны (КБВ) и коэффициент

отражения по напряжению рu в линии нагруженной на волновое сопротивление равны:4 Коэффициент бегущей волны (КБВ) и коэффициент отражения по напряжению рu в линии в режиме бегущих волн равны:4 Коэффициент бегущей волны (КБВ) и коэффициент

отражения по напряжению рu в линии разомкнутой на конце равны:3 Коэффициент усиления ОУ (Коу) ? 1 в интервале частот:2

Коэффициент, показывающий долю активной мощности от полной мощности, называется:3 Коэффициентом бегущей волны называется:2 Коэффициентом отражения по напряжению называется1 Коэффициентом стоячей волны называется:4

Максимальная амплитуда напряжения на нагрузке выделяется в режиме согласования:2 Мгновенная мощность знакопеременна на участке цепи2

Мгновенная мощность на участке цепи может иметь значения:4 Мгновенная мощность на участке цепи

определяется соотношением:1 Мгновенная мощность отрицательна в любой момент времени на участке цепи:1

Мгновенная мощность положительна в любой момент времени на участке цепи:3 Мгновенное напряжение на катушке индуктивности

с индуктивным сопротивлением XL =10 Ом при токе через индуктивность iL=12sin(wt+q) равно:2 Мгновенное напряжение на проводимости G =10 Cм при заданном токе i=12sin(wt+q) равно:1 Мгновенное напряжение на сопротивлении R =10 Ом при заданном токе i=12sin(™t+‰).1 Мгновенный ток через конденсатор с емкостным сопротивлением Xc=10 Ом при мгновенном значении напряжения на нем uс=20sin(wt+q) равен:1 Между барьерной и диффузионной емкостью при обратном смещении р-n перехода справедливо

соотношение:2

Между барьерной и диффузионной емкостью, при прямом смещении р-n перехода, справедливо соотношение:1

Между действующим (U) и амплитудным (Um) значениями гармонического сигнала справедливо соотношение:3 Между индуктивно связанными элементами связь:2

Между прямым Rпр и обратным Rобр сопротивлениями у выпрямительного диода выполняется соотношение:5 Метод расчета электрических цепей основанный на

принципе суперпозиции называется:4 Механизм движения зарядов в полевом МДП транзисторе с встроенным каналом:1 Механизм движения зарядов в полевом МДП транзисторе с индуцированным каналом:1 Механизм движения зарядов в полевом транзисторе с р-n переходом:1 Многокаскадный усилитель состоит из двух

однотипных каскадов с коэффициентом усиления по напряжению Кu =20 и верхней граничной частотой fв=14,1кГц, для каждого из них. Рассчитать коэффициент усиления и верхнюю граничную частоту многокаскадного усилителя.3 Многокаскадный усилитель состоит четырех однотипных каскадов с коэффициентом усиления по напряжению Кu =10 и верхней граничной частотой fв=20кГц, для каж-дого из них. Рассчитать

коэффициент усиления и верхнюю граничную частоту многокаскадного усилителя.3 Многокаскадный усилитель состоит четырех однотипных каскадов. Его коэффициент усиления по напряжению Кu =104 , а верхняя граничная частота fв=10кГц. Рассчи-тать коэффициент усиления и верхнюю граничную частоту каждого из каскадов.3 Модуль комплексного коэффициента передачи электрической цепи определяется следующим выражением2 На вход дифференциального усилителя

воздействуют два сигнала Uвх1, Uвх2. Какой сигнал называется дифференциальным и какой – синфазным.2 На вход цепи воздействует гармоническое

напряжение Ecoswt. Рассчитать амплитуду выходного напряжение при w=0:2

На вход цепи воздействует гармоническое напряжение Ecoswt. Рассчитать амплитуду выходного напряжение при w=01

На вход цепи воздействует гармоническое напряжение Ecoswt. Рассчитать амплитуду выходного напряжение при w=бесконечность2 На вход цепи воздействует гармоническое напряжение Ecoswt. Рассчитать амплитуду выходного напряжение при w=0:1

На вход цепи воздействует гармоническое напряжение Ecoswt. Рассчитать амплитуду выходного напряжение при w=бесконечность:1 На вход цепи воздействует гармоническое напряжение Ecoswt. Рассчитать амплитуду выходного напряжение при w=бесконечность.1 На вход цепи воздействует гармоническое напряжение Ecoswt. Рассчитать амплитуду выходного напряжение при w=бесконечность.1 На вход цепи воздействует гармоническое напряжение Ecoswt. Рассчитать амплитуду выходного напряжение при w=01

На вход цепи воздействует гармоническое напряжение Ecoswt. Рассчитать амплитуду выходного напряжение при w - бесконечность:1

На вход цепи воздействует ступенчатое напряжение. Рассчитать вы ходное напряжение при t=бесконечность:2

На вход цепи воздействует ступенчатое напряжение. Рассчитать вы ходное напряжение при t=бесконечность.1

На вход цепи воздействует ступенчатое напряжение. Рассчитать выходное напряжение при t =+0:4

На вход цепи воздействует ступенчатое напряжение. Рассчитать выходное напряжение при t=+0:2

На вход цепи воздействует ступенчатое напряжение. Рассчитать выходное напряжение при t=бесконечность:1

На вход цепи воздействует ступенчатое напряжение. Рассчитать выходное напряжение при t=+0:1

На вход цепи воздействует ступенчатое напряжение. Рассчитать выходное напряжение при t=бесконечность:1

На вход цепи воздействует ступенчатое напряжение. Рассчитать выходное напряжение при t=+0.1

На вход цепи воздействует ступенчатое напряжение. Рассчитать выходное напряжение при t=бесконечность.4

На вход цепи воздействует ступенчатое напряжение. Рассчитать выходное напряжение при t=+0.1

На вход цепи с операторной передаточной функцией вида Кu(p)=1/(1+p‡) воздействует гармонический сигнал s1(t)=Acos(wt). Записать отклик:2 На выходных ВАХ показать область насыщения:2

На выходных ВАХ показать область пробоя:3 На выходных ВАХ показать область, где полевой транзистор работает как, переменное сопротивление (крутая область):1

На каком законе основан метод контурных токов.2 На каком законе основан метод узловых потенциалов.1 На конце линии без потерь – сопротивление равное

волновому. Если амплитуда падающей волны в сечении нагрузки равна 5В, а начальная фаза равна нулю,то амплитуда и начальная фаза отраженной волны в этом сечении равна:1

На конце линии без потерь – холостой ход. Если амплитуда падающей волны в сечении нагрузки равна 5В, а начальная фаза равна нулю,то амплитуда и начальная фаза отраженной волны в этом сечении равны:2 Назвать выводы полупроводникового диода2

Назвать физическим процесс, которым определяется участок аб2 Назвать физическим процесс, которым определяется участок бв1

Назвать физическим процесс, которым определяется участок гд4 Назвать физическим процесс, которым определяется участок де3

Назвать физическим процесс, которым определяется участок кл5 Назвать физическим процесс, которым определяется участок мн6

Наибольшим коэффициентом усиления по мощности обладает биполярный транзистор, включенный по схеме:2 Наибольшим коэффициентом усиления по току

обладает биполярный транзистор, включенный по схеме3 Наилучшей стабильностью по частоте обладают генераторы:3

Наименьшим коэффициентом усиления по току обладает биполярный транзистор, включенный по схеме:1 Напряжение на каждом из реактивных элементах

последовательного колебательного контура на резонансной частоте равно:

Напряжение на участке цепи это:3 Нарисовать схему включения по постоянному току

биполярного транзистора р-п-р-типа в активном режиме по схеме ОЭ и показать направления токов:3 Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора n-р-n-типа в активном режиме по схеме ОЭ и показать направления токов:2 Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора р-n-р-типа по схеме ОБ в активном режиме и показать направления токов:3 Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора n-р-n-типа по схеме ОБ в активном режиме и показать направления токов:4 Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора n-р-n-типа по схеме ОК в активном режиме и показать направления токов:3 Нарисовать схему включения по постоянному току биполярного транзистора р n-р-типа по схеме ОК в активном режиме и показать направления токов:1 Нарисовать схему замещения цепи при t = бесконечность.2

Нарисовать схему замещения цепи при t=+0.2 Нарисовать схему замещения цепи при t=+0.3 Нарисовать схему замещения цепи при t=+0.3 Нарисовать схему замещения цепи при t=+0:3 Нарисовать схему замещения цепи при t=бесконечность.2

Нарисовать схему замещения цепи при t=бесконечность.2

Нарисовать схему замещения цепи при t=бесконечность.3

Нарисовать схему замещения цепи при w – бесконечность1

Нарисовать схему замещения цепи при w=0.2 Нарисовать схему замещения цепи при w=0.2 Нарисовать схему замещения цепи при w=0.2 Нарисовать схему замещения цепи при w=0.3 Нарисовать схему замещения цепи при w=0:2 Нарисовать схему замещения цепи при w=бесконечность.2

Нарисовать схему замещения цепи при w=бесконечность.3

Нарисовать схему замещения цепи при w=бесконечность:3

Нарисовать схему замещения цепи при w=бесконечность:3

Нарисовать схему замещения цепи при ступенчатом входном сигнале когда t = +0.1

Нарисовать схему замещения цепи при ступенчатом входном сигнале, когда t- - бесконечность.2 Независимыми называют узлы, которые:2 Независимыми называются контура, которые:2 Носители заряда, определяющие тепловой ток коллекторного перехода возникают за счет:5 Обратная задача при анализе цепи состоит в отыскании:4 Обратные токи в выпрямительных диодах большой

мощности достигают больших величин:2 Обратные токи р-n перехода имеют малую величину:4 Общим для последовательного участка

электрической цепи является :2 Одностороннюю проводимость диода характеризует соотношение:5 Операторный (операционный) метод анализа электрических цепей основан на:4 Операционный усилитель 140УД6 имеет

внутреннюю однополюсную частотную коррекцию, Коу=105, частота единичного усиления f1=1МГц. Определить верхнюю граничную частоту схемы усилителя, показанной на рис.2 Операционный усилитель 140УД6 имеет

внутреннюю однополюсную частотную коррекцию, Коу=105, частота единичного усиления f1=1МГц. Определить верхнюю граничную частоту операционного усилителя.1 Операционный усилитель 140УД6 имеет

внутреннюю однополюсную частотную коррекцию, Коу=105, частота единичного усиления f1=1МГц. Определить ко-эффициент усиления ОУ на частоте

100кГц.4

Основная причина зависимости параметров биполярного транзистора от температуры связана с:5

Основное достоинство дифференциального усилительного каскада:1 Основное назначение трансформатора:2

Основные недостатки усилителя мощности класса А:2

Основные свойства линейных цепей:1 Основными параметрами четырехполюсника называют:2 Основными уравнениями четырехполюсника

называют уравнения, которые устанавливают связь, между:1 Особенность избирательных усилителей:1

Особенность импульсных (широкополосных) усилителей:2 Откликом линейной цепи на гармоническое воздействие является:4

Отношение энергии к величине перемещаемого заряда это:1 Отражения отсутствуют в2

Отрицательная обратная связь в усилителях:4 Падение напряжения на участке цепи это:1 Падение напряжения на участке цепи, содержащем два и более последовательно соединенных сопротивления, равно:1 Пассивными называют элементы схем, которые:1 Первопричиной появления процесса

самовозбуждения в автогенераторе являются:4 Передаточными параметрами называют:1 Передачу сигнала через фильтр характеризуют:3 Переменные во времени ток и напряжение на емкости связаны соотношением:3 Переменные во времени ток и напряжение на индуктивности связаны соотношением:4

Переходной процесс в электрической цепи связан:1 Переходные процессы в линейных электрических цепях второго порядка описываются:4 Переходные процессы в линейных электрических цепях первого порядка описываются:2 Переходный процесс установления тока в электрической цепи первого порядка описывается выражением2 Перечислить основные параметры для усилителей мощности:1

Перечислить свойства, которыми обладает идеальный операционный усилитель:1

Площади эмиттерного (Sэп) и коллекторного (Sкп) переходов в биполярном транзисторе связаны соотношением:3 Под согласованием четырехполюсника по мощности

по входу и выходу понимают1 Под термином «длинная линия» понимают:1

Под термином «цепи с распределенными параметрами» понимают:1 Под термином «цепи с сосредоточенными параметрами» понимают:2

Под термином амплитудный резонанс понимают:2 Под фазовым резонансом для цепи с комплексным сопротивлением Z=R+jX понимают:1

Под шириной спектра сигнала понимают:4 Под эквивалентными преобразованиями электрических цепей понимают:1

Подсчитать эквивалентное входное сопротивление цепи2 Показать графики выходные ВАХ биполярного

транзистора в схеме с ОЭ:4 Показать графики выходные ВАХ биполярного транзистора в схеме с ОЭ:1

Показать автогенератора с индуктивной обратной связью:1 Показать амплитудную характеристику компаратора

с положительной ОС:2 Показать амплитудную характеристику

компаратора, схема которого приведена на рисунке:1 Показать амплитудную характеристику

компаратора, схема которого приведена на рисунке:3 Показать амплитудную характеристику

компаратора, схема которого приведена на рисунке:4 Показать амплитудную характеристику

компаратора, схема которого приведена на рисунке:5 Показать амплитудную характеристику

компаратора, схема которого приведена на рисунке6.3 Показать амплитудную характеристику

компаратора, схема которого приведена на рисунке:5 Показать амплитудную характеристику

компаратора, схема которого приведена на рисунке:3 Показать амплитудную характеристику

компаратора, схема которого приведена на рисунке:5 Показать амплитудную характеристику

компаратора, схема которого приведена на рисунке:1 Показать АЧХ идеального ФВЧ .3

Показать АЧХ реального ФВЧ .4 Показать АЧХ режекторного фильтра.5 Показать АЧХ ФНЧ (идеального). 1 Показать АЧХ ФНЧ (реального).2 Показать ВАХ диода с учетом объемного сопротивления области базы:2 Показать ВАХ диодного симистора:5 Показать ВАХ диодного тиристора:3

Показать ВАХ идеального выпрямительного диода1 Показать ВАХ обращенного диода6 Показать ВАХ реального выпрямительного диода2 Показать ВАХ стабилитрона3 Показать ВАХ триодного симистора:6 Показать ВАХ триодного тиристора:4 Показать ВАХ туннельного диода5

Показать временную диаграмму сигнала на выходе ФВЧ при подаче на вход последовательности прямоугольных импульсов.2 Показать временную диаграмму сигнала на выходе

ФНЧ при подаче на вход последовательности прямоугольных импульсов.1 Показать временную диаграмму сигнала на выходе

частотно - избирательного фильтра при подаче на вход последовательности прямоугольных импульсов.3

Показать выражение для барьерной емкости р-n перехода:5 Показать выражение для ВАХ диода:1

Показать выражение для второго закона Кирхгофа.1 Показать выражение для диффузионной емкости р- n перехода:6

Показать выражение для напряжения на участке цепи7 Показать выражение для обратной ветви ВАХ диода:3

Показать выражение для первого закона Кирхгофа.2 Показать выражение для прямой ветви ВАХ диода:7 Показать выражение для тока:6 Показать выражение закона Ома.8

Показать выражение мгновенной мощности3 Показать график АЧХ коэффициента усиления избирательного усилителя8 Показать график АЧХ коэффициента усиления усилителя низких частот7

Показать график АЧХ коэффициента усиления усилителя постоянного тока.5 Показать график АЧХ коэффициента усиления широкополосного усилителя6

Показать график переходной характеристики избирательного усилителя.4 Показать график переходной характеристики усилителя низких частот.3

Показать график переходной характеристики усилителя постоянного тока.1 Показать график переходной характеристики широкополосного усилителя.2

Показать графики входных ВАХ биполярного транзистора в схеме с ОЭ:3 Показать графики выходные ВАХ биполярного транзистора в схеме с ОБ:2

Показать диаграмму напряжения на выходе RCцепи при подаче на вход последовательности прямоугольных импульсов напряжения:2

Показать диаграмму напряжения на выходе RC-цепи при подаче на вход последовательности прямоугольных импульсов напряжения:1

Показать диаграмму напряжения на выходе RL-цепи при подаче на вход последовательности прямоугольных импульсов напряжения:2

Показать диаграмму напряжения на выходе RL-цепи при подаче на вход последовательности прямоугольных импульсов напряжения:1

Показать диаграмму тока в RC-цепи при подаче на вход послед. прямоугольных импульсов напряжения:2

Показать диаграмму тока в RC-цепи при подаче на вход послед.и прямоугольных импульсов напряж.:2 Показать диаграмму тока в RL-цепи при подаче на вход послед.и прямоугольных импульсов напряж.я:1 Показать диаграмму тока в RL-цепи при подаче на вход послед. прямоугольных импульсов напряж.:1 Показать запись второго закона Кирхгофа в комплексной форме:2 Показать запись закона Ома в комплексной форме.3

Показать запись законов коммутации для реактивных элементов:1 Показать запись первого закона Кирхгофа в комплексной форме:1

Показать какие из схем приведенных на рис. эквивалентны.3 Показать каскадное соединение четырехполюсников:5

Показать кулон-вольтную характеристику варикапа4 Показать малосигнальную физич.схему замещения биполярного транзистора с ОБ:2 Показать малосигнальную физич. схему замещения биполярного транзистора с ОЭ:3

Показать малосигнальную формаль. схему замещения биполярного транзистора с ОБ:4 Показать малосигнальную формаль. схему замещения биполярного транзистора с ОЭ:4 Показать на ВАХ участок с отрицательным сопротивлением7 Показать на выходных ВАХ биполярного

транзистора ВАХ область насыщения.1

Показать на выходных ВАХ биполярного транзистора ВАХ область пробоя.3 Показать на выходных ВАХ биполярного транзистора активную (линейную) область.2

Показать на рис.11 схему дифференциального усилителя:4 Показать на рис.11 схему интегрирующего усилителя:5

Показать на рис.11 схему неинвертирующего усилителя:2 Показать на рис.11 схему дифференцирующего усилителя:3

Показать на рис.11 схему инвертирующего усилителя:1 Показать непроводящий ток участок ВАХ обращенного диода6

Показать обратную ветвь ВАХ диода1 Показать параллельно-параллельное соединение четырехполюсников:2 Показать параллельно-последовательное

соединение четырехполюсников:4

Показать передаточную ВАХ n-канального полевого транзистора с р- n переходом:1

Показать передаточную ВАХ МДП полевого транзистора с встроенным n –каналом:5 Показать передаточную ВАХ МДП полевого транзистора с встроенным р –каналом:4 Показать передаточную ВАХ МДП полевого транзистора с индуцированным р –каналом:3 Показать передаточную ВАХ МДП полевого транзистора с индуцированным n –каналом:6

Показать передаточную ВАХ полевого р-канального транзистора с р- n переходом:2

Показать П-образную схему замещения:2 Показать последовательно-параллельное соединение четырехполюсников:3 Показать последовательно-последовательное соединение четырехполюсников:1

Показать проводящий ток участок ВАХ обращенного диода5 Показать прямую ветвь ВАХ диода2

Показать рабочий участок ВАХ стабилитрона3 Показать рабочий участок ВАХ стабистора2 Показать рабочий участок ВАХ туннельного диода3 Показать соотношение для синусоидального переменного тока, которое содержит ошибку:4 Показать схему автогенератора с мостом Вина:2 Показать схему автогенератора с отрицательным дифференциальным сопротивлени-ем:3 Показать схему включения СИД:2 Показать схему включения фотодиода в

фотогальваническом режиме и направление фототока:5 Показать схему включения фотодиода в

фотодиодном режиме и направление фототока:2 Показать схему двухвходового инвертирующего компаратора (рис.1):3 Показать схему двухвходового неинвертирующего компаратора (рис.1):2

Показать схему дифференцирующего усилителя3 Показать схему замещения биполярного транзистора Эберса-Молла: 1 Показать схему инвертирующего усилителя и

записать выражение его коэффициента усиления по напряжению.1 Показать схему компаратора с положительной

обратной связью (рис.1):5 Показать схему мультивибратора:4

Показать схему неинвертирующего усилителя и записать выражение его коэффици-ента усиления по напряжению:2 Показать схему одновходового инвертирующего компаратора (рис.1):3

Показать схему одновходового неинвертирующего компаратора (рис.1):4 Показать схемы генераторов гармонических колебаний:3

Показать схемы генераторов прямоугольных импульсов:6 Показать Т-образную схему замещения:1

Показать ток в цепи при подаче на вход единичного ступенчатого напряжения.4 Показать условно-графическое обозначение имеет динистор7

Показать условно-графическое обозначение имеет диодный симистор9 Показать условно-графическое обозначение имеет триодный симистор:10

Показать условное обозначение n – р - n транзистора1 Показать условное обозначение диод-диодного оптрона5

Показать условное обозначение диод-тиристорного оптрона:7 Показать условное обозначение диод-

транзисторного оптрона:6 Показать условное обозначение МДП полевого

транзистора с встроенным р –каналом7 Показать условное обозначение МДП полевого транзистора с встроенным n –каналом:3 Показать условное обозначение МДП полевого транзистора с индуцированным р –каналом:5 Показать условное обозначение МДП полевого транзистора с индуцированным n –каналом:8 Показать условное обозначение полевого

транзистора с управляющим р - n переходом и n – каналом4 Показать условное обозначение полевого

транзистора с управляющим р - n переходом и р – каналом:6

Показать условное обозначение р - n - р транзистора2 Показать условное обозначение СИД: 2

Показать условное обозначение статически индукционного транзистора (СИТ):9 Показать условное обозначение фотодиода:1

Показать условное обозначение фоторезистора:8 Показать условное обозначение фототиристора:4 Показать условное обозначение фототранзистора:3 Показать участок теплового пробоя диода6 Показать участок, на котором преобладает барьерная емкость6 Показать участок, на котором преобладает диффузионная емкость2

Показать элементы цепи положительной обратной связи для генератора по схеме 1:3 Показать элементы цепи положительной обратной связи для генератора по схеме 2:2

Показать элементы цепи положительной обратной связи для генератора по схеме 3:5 Показать элементы цепи положительной обратной связи для генератора по схеме 4:2

Показать условно-графическое обозначение имеет тиристор8 Полевой МДП транзистора с встроенным каналом

может работать в режиме:3 Полевой МДП транзистора с индуцированным каналом может работать в режиме:1

Полевой транзистор это прибор управляемый:2 Полевой транзистор, работая на начальном (крутом) участке выходной ВАХ, можно использовать:4 Полная мощность измеряется в:2 Полная фаза колебаний синусоидальной величины определяются следующим выражением3 Полную мощность на участке цепи при гармоническом токе рассчитывают по соотношению:1

Полосой затухания для идеального фильтра называют диапазон частот в котором:2 Полосой пропускания для идеального фильтра называют диапазон частот в котором:1

Полупроводник n-типа имеет электропроводность:2 Полупроводник р-типа имеет электропроводность:4

Постоянная времени интегрирующей RC-цепи определяется выражением3

Постоянная времени интегрирующей RL-цепи определяется выражением3 Появление тока в электрической цепи обусловлено:3

Прежде чем определить токи ветвей электрической цепи в методе контурных токов предварительно находят:2 Прежде чем определить токи ветвей электрической

цепи в методе узловых потенциалов предварительно находят:1 Преимущества двухтактной схемы усилителя по сравнению с однотактной: 1

При изготовлении полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов) применяются полупроводниковые материалы:1

При обратном смещение р-n перехода ток создают:2

При обратном смещении р-n- перехода выполняется соотношение:4 При параллельном соединении сопротивлений их

суммарное сопротивление:3 При подключении резистора параллельно с

конденсатором паралл. Колебатель.контура его добротность:3 При подключении резистора параллельно с

конденсатором последовател.колебатель. контура его добротность:3 При подключении резистора последовательно с

элементами последовател. Колебатель. контура его добротность:3

При последовательном соединении элементов суммарный ток через них равен:2

При прямом смещение р-n- перехода ток создают:1 При прямом смещении р-n- перехода выполняется соотношение:2 При работе стабилитрона в номинальном режиме

р-n - переход смещен:2

При работе транзистора в активном режиме р-n переходы смещены так:3

При работе транзистора в инверсном режиме р-n переходы смещены так:4

При работе транзистора в режиме насыщения р-n переходы смещены так:1

При работе транзистора в режиме отсечки р-n переходы смещены так:2 При спектральном анализе электрических цепей и сигналов применяется:1

Приборы, излучающие свет называют:1 Приборы, преобразующие свет в электрический сигнал называют:2 Приборы, преобразующие электрический сигнал в

световой, а затем свет в электрический сигнал назыв.:3 Примесь, создающая дырки назыв.1

Примесь, создающая электроны назыв.2 Принцип работы полевого МДП транзистора с встроенным каналом состоит в:2 Принцип работы полевого МДП транзистора с индуцированным каналом состоит в:2

Принцип работы полевого транзистора с р- n переходом состоит в:1

Принцип работы светоизлучающего диода:3 Принцип работы фотодиода в режиме фотоэлемента:4 Принцип работы фотодиода в фотодиодном режиме:1

Принцип работы фотосопротивления:1 Принципы построения схем избирательных усилителей:3 Причина нелинейных искажений в усилителях:2

Причина фазовых искажений в усилителях:3 Причина частотных искажений в усилителях:1 Причины дрейфа нуля в усилителях постоянного тока:1

Пробоем р-n перехода называют:1 Пробоем транзистора называют:1

Процесс исчезновения свободных электронов и дырок в полупроводнике i-типа назыв.:1 Процесс образования свободных электронов и дырок в полупроводнике i-типа назыв.:2

Прямые токи р-n перехода могут достигать больших величин:5

Р-n переход в диоде располагается в области:3 Рабочим режимом работы полевого транзистора с р- n переходом является режим когда:2

Разница между активными и пассивными элементами электрической цепи:2 Разность потенциалов на выводах участка цепи это:1 Рассчитать входное сопротивление цепи2

Рассчитать выражение для комплексной амплитуды напряжения на ветви состоящей из последовательного соединения R и C, на частоте f=1/(2п) кГц, если R=1кОм, C=1мкФ, при токе1 Рассчитать выражение для комплексной амплитуды напряжения на ветви состоящей из последовательного соединения R и L, на частоте f=1/(2п) кГц, если R=1кОм, L =1Гн, при токе1 Рассчитать выражение для напряжения на ветви состоящей из последовательного соединения R и C, на частоте f=1/(2п) кГц, если R=1кОм, C=1мкФ, при токе1 Рассчитать выражение для напряжения на ветви

состоящей из последовательного соединения R и L, на частоте f=1/(2п) кГц, если R=1кОм, L =1Гн, при токе1 Рассчитать коэффициент усиления и верхнюю

граничную частоту для схемы приве-денной на рис. , где DA1, DA2-140УД6 (140УД6 имеет внутреннюю однополюсную частотную коррекцию, Коу=105, частота единичного усиления f1=1МГц).1 Рассчитать на частоте 1/(2†) кГц сопротивление последовательного соединения R и C, если R=1кОм , C=1мкФ:2

Рассчитать, на частоте 1/(2п) кГц, сопротивление последовательного соединения R и L, если R=1кОм , L=1Гн.1

Рассчитывается комплексный коэффициент передачи N-звенного фильтра, если звенья одинаковы, обладают комплексным коэффициентом передачи Ki(jw) и согласованы по напряжениям:1 Реактивная мощность в линейной цепи гармонического тока имеет максимум:3 Реактивная мощность измеряется в:3 Реактивная мощность на участке пригармоническом токе определяется выражением:3

Реактивная мощность на участке пригармоническом токе определяется выражением:3

Реактивная мощность:1

Реактивными называют элементы схем, которые:3 Реальный индуктивно связанный элемент называется:2 Режим работы усилителя, при котором без

искажения усиливаются обе полувол-ны входного сигнала:1 Режим работы усилителя, при котором каждый из

полупериодов входного сигнала усиливается отдельным активным элементом, а выходной сигнал получают их суммированием, называется режимом:2 Резонанс в параллельном колебательном контуре

называется резонансом:1 Резонанс в последовательном колебательном контуре называется резонансом:2

Сувеличением числа однотипных усилительных каскадов диапазон рабочих частот многокаскадного усилителя:2

Сувеличением числа однотипных усилительных каскадов коэффициент усиления многокаскадного усилителя:1 Сдвиг фаз между током и напряжением на активном

сопротивлении при синусоидальном токе равен (в градусах)3 Сдвиг фаз между током и напряжением на катушке

индуктивности при синусоидальном токе равен (в градусах)1 Сдвиг фаз между током и напряжением на

конденсаторе при синусоидальном токе равен (в градусах):2 Сигнал, дискретный по времени и произвольный по

величине, называется:2 Сигнал, квантованный по уровню и сущ. через

заданные промежутки времени, т.е.– дискретный по времени, назыв.:4

Сигнал, непрерывный во времени и дискретный по величине, назыв.:3 Сигнал, непрерывный во времени и произвольный по величине, наз.:1

Симистор имеет структуру4 Скорость изменения электрического заряда в единицу времени это:2

Скорость спада в полосе задержания фильтра определяется как:1 Собственные колебания медленнее затухают в колебательном контуре:1

Собственный (чистый) полупроводник имеет электропроводность:4 Сопротивление параллель. контура на резонансной частоте:4

Сопротивление последователь. колеб. контура на резонанс. частоте:1 Сопротивления параллель.контура на частоте

больше резонансн. имеет характер:3 Сопротивления параллель. контура на частоте меньше резонанс. имеет характер:2 Сопротивления последователь.контура на частоте больше резонансной имеет характер:2 Состояние компаратора определяется величиной:2

Спектр непериодического сигнала имеет характер:4 Спектр периодического сигнала имеет характер:1 Спектральную плотность S(jw) по известному операторному представлению S(p) сигнала находят из соотношения:1 Среднее значение мгновенной мощности за период

синусоидального тока в цепях с идеальными емкостями и индуктивностями равно2 Средняя мощность равна нулю на участке цепи:2 Стрелка для положительного направления

переменного тока, значения которого могут быть положит. и отриц., показ.:1 Схема устройства приведенная на рисунке называется:1

Схемы (модели) реальных элементов, составленные из идеализированных элементов называют:1 Схемы замещения состоят из элементов:1 Схемы, на которых отражаются только важнейшие

части цепи и основные связи между ними назыв.:3 Схемы, на которых с помощью УГО показаны все элементы, вход.е в реальную цепь и порядок их соедин. между собой назыв.:2 Темновой ток в ОЭП связан с движ. носителей заряда:2

Теория четырехполюсников позволяет проводить анализ цепи, если известны:1 Термин «абсолютная расстройка колеб. контура» означает:1 Термин «обобщенная расстройка колеб.контура» означает:3

Термин «относительная расстройка колеб.контура» означает:2 Тиристор имеет структуру:3 Тиристор предназначен для:2

Ток стока, при напряж. насыщения, равен:2 Ток стока, при напряж. отсечки, равен:1 Узел электрической цепи это:1

Указать носители заряда, которыми опр. обратная ветвь ВАХ диода:2 Указать носители заряда, которыми опр. прямая ветвь ВАХ диода:1

Указать свойство р-n перехода, которое используется в выпрямительных диодах:1 Указать свойство р-n перехода, которое используется в обращенных диодах:8 Указать свойство р-n перехода, которое используется в стабилитронах:5

Указать свойство р-n перехода, которое используется в стабисторах:7

Указать свойство р-n перехода, которое используется в туннельных диодах:6 Указать свойство, которое используется в диодах Шотки:6 Указать соотношение между барьерной и

диффузионной емкостью в варикапе:2 Указать условно-графическое обознач. варикапа:5 Указать условно-графическое обознач. выпрямительного диода:1

Указать условно-графическое обознач. двуханодного стабилитрона:3 Указать условно-графическое обознач. диода Шотки:4

Указать условно-графическое обознач. обращенного диода:7 Указать условно-графическое обознач. стабилитрона:2

Указать условно-графическое обознач. туннельного диода:6 Усилители постоянного тока предназначены:3

Усилительные параметры а и б„ при увеличении напряжения на коллекторном переходе:1 Усилительные параметры а и б при увеличении величины коллекторного тока:3 Условие режима короткого замыкания четырехполюсника на входе3 Условие режима короткого замыкания четырехполюсника на выходе:4

Условие режима холостого хода четырехполюсника на входе:1 Условие режима холостого хода четырехполюсника на выходе2

Условие самовозбуждения автогенератора переходит в условие стационарных автоколебаний:1 Условие самовозбуждения автогенератора

переходит в условие стационарных автоколебаний:2 Фазово-частотной характеристикой электрической цепи называют:4 Фазовый сдвиг между напряжением и током на

резонансной частоте на входе последовательного колебательного контура:1 Фазовый сдвиг между напряжением и током на

резонансной частоте на входе параллельного колебательного контура:1 Физическую схему замещения транзистора составляют:1

Фильтры электрических сигнала предназначены для:1 Фильтры, которые выделяют высокочастот.

составляющие сигнала, называются:2 Фильтры, которые выделяют низкочастот. составляющие сигнала, называются:1

Фильтры, которые выделяют сигнал только в опр. диапазоне частот, называются:3 Фильтры, которые подавляют сигналы в заданном диапазоне частот, называются:4 Формальную схему замещ. транзистора составляют:2 Фотоны имеют электрический заряд:3

Характер переход. харак-ки (апериодический, колебательный, критический) зависит от1 Характер сопротив. Послед. контура на частоте равной резонансной:1 Характер сопротив. Послед. контура на частоте, меньше резонансной:3

Характеристическое сопротив. Колебатель. контура показывает:2 Цвет излучаемый ОЭП связан:1

Частицы – носители заряда в оптической цепи называют:3 Частота автоколебания генератора по схеме 1опред. из выражения:2

Частота автоколебания генератора по схеме 2 опред.из выражения:4 Частота автоколебания генератора по схеме 3 опред. из выражения:3

Частота автоколебания генератора по схеме 4 опред. из выражения:6 Частота среза (граничная частота) фильтра это:1

Частотная избирательность усилителей харак-ся:1 Частотной харак-ой электрической цепи назыв.:4 Частотные харак-ки цепи представляют собой:1 Чему равны коэф. бегущей волны (КБВ) и коэф. отражения по напряжению рu в линии в режиме стоячих волн.3 Чему равны коэф. бегущей волны (КБВ) и коэф.

отражения по напряж. рu в линии короткозамкнутой на конце.5

Чему равны коэф.т бегущей волны (КБВ) и коэф.нт отражения по напряж.рu в линии нагруженной на реактивное сопротивление.4 Чему равны коэф. бегущей волны (КБВ) и коэф.

отражения по напряж. рu в линии в режиме смешанных волн.1 Чему равны коэф. бегущей волны (КБВ) и коэф.

отражения по напряж. рu в линии нагруженной на резистивное сопроти. больше волнового.1 Чему равны коэф.т бегущей волны (КБВ) и коэф. Отраж.по напряж. рu в линии нагруженной на резистивное сопротив. меньше волнового.1 Чему равны коэф. бегущей волны (КБВ) и коэф. Отраж. по напряж. рu в линии нагруж. на комплексное сопротив..1 Четырехполюсник представляет собой электрическую цепь, которая имеет:4

Четырехполюсники назыв. пассивными, если они:1 Четырехполюсники считают эквивалентными, если они:2 Число независ.х контуров опред. из соотношения:3

Число независ. контуров опред. из соотношения:3 Число независ. узлов опред. из соотношения:2 Число пар основных уравнений четырехполюсника:3 Число пар-ов и частотных хар-тик двухполюсника равно:2 Число пар-ов и частотных хар-

тик четырехполюсника равно:2 Число частотных хар-тик электрической цепи:2

Что называют параметром элемента электрической цепи.3 Чтобы при введении ООС ОУ не самовозбуждался,

спад АЧХ Коу должен состав-лять:1 Ширина проводящей части канала полевого

транзистора по его длине, когда Uсток-исток= 0:1 Ширина проводящей части канала полевого транзистора по его длине, когда Uсток-исток > 0:3 ЭДС (электродвижущая сила) это:1 Эквивалентное сопротив. трех параллельно

соединен. резисторов с одинак. Сопротив., равным 3 Ома, равно:4 Эквивалентное сопротив. цепи, состоящей из двух

резисторов соедин. параллельно к которым подключены три послед. соединенных резисторов по 10 Ом каждый, равно:3

Электрическая мощность это:4

Электрическая цепь представляет собой:3

Электрический заряд это:2 Электрический потенциал это:1

Электрический ток под действием градиента концентрации назыв.:1 Электрический ток под Экстракция связана с движ. носителей заряда:2

Электрический ток это:1

Электроны яв-ся основ.носителями заряда в полупроводнике:1 Элементы, учитыв. Неоснов.е преобр-ния энергии в реальном эл-те назыв.:2

Энергия запасен. сопротивлением равна:1 Энергия, запасен. емкостью равна.4 Энергия, запасен. индуктивностью равна.2

Эффект в результате кот-го, неоснов. носители проходя через р-n- переход становятся основ-ми назыв.:3 Эффект в результате кот-го, основ. носители проходя

через р-n-переход стан-ся неосн-ми назыв.:2 Эффект связан. с модуляцией ширины базы назыв.:1