- •1) Биполярный транзистор, схема замещение
- •Режимы работы биполярного транзистора
- •3) Усилительный каскад с ок
- •4) Усилительный каскад с об
- •5) Генератор тока
- •6) Дифференциальный усилительный каскад
- •7) Частотные свойства, эффект Миллера
- •8) Схемы перехода к одиночному выходу
- •9) Двухкаскадный оу
- •12) Генераторы синусоидального тока
- •10) Динамические погрешности
- •11) Стабилизаторы
- •13) Выходные каскады, стабилизация тока покая, защита от перегрузок
- •14) Операционные усилители
- •15) Операционные усилители
- •19) Составной транзистор
- •20) Классификация усилителей
- •21) Классификация обратных связей
- •22) Основные параметры и типовые схемы включения операционных усилителей
- •24) Классы усиления
19) Составной транзистор
Составной транзистор (транзистор Дарлингтона) — объединение двух или более биполярных транзисторовс целью увеличения коэффициента усиления по току. Составной транзистор являетсякаскадным соединениемнескольких транзисторов, включенных по схеме с общим коллектором. Нагрузкой предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора следующего каскада, то есть транзисторы соединяются коллекторами, а эмиттер входного транзистора соединяется с базой выходного. Кроме того, может использоваться нагрузка в виде резистора. Такое соединение рассматривают как один транзистор, коэффициент усиления по току которого при работе транзисторов в активном режиме приблизительно равен произведению коэффициентов усиления первого и второго транзисторов:Составной транзистор имеет три вывода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления по току типичного составного транзистора, иногда называемый "супербетта", у мощных транзисторов равен ~1000 и у маломощных транзисторов ~50000. Это означает, что небольшого тока базы достаточно для того, чтобы составной транзистор открылся. Достоинства составного транзистора:
-Высокий коэффициент усиления по току.
Недостатки составного транзистора:
-Низкое быстродействие, особенно перехода из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевыхи усилительных схемах.
-Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер почти в два раза больше чем в обычном транзисторе и составляет для кремниевых транзисторов около 1.2 - 1.4 В (не может быть меньше, чем удвоенное падение напряжения на p-n переходе).
-Большое напряжение насыщенияколлектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0.9 В (по сравнению с 0.2 у обычных транзисторов) для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности (не может быть меньше, падение напряжения на p-n переходе плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе). Применение нагрузочного резистораR1 позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Величина резистора выбирается с таким расчётом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии создавал на резисторе падение напряжение, недостаточное для открытия транзистора VT2. Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2, тем самым уменьшается общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии. Кроме того, применение резистора R1 способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счёт форсирования закрытия транзистора VT2. В отличие от биполярных, полевые транзисторыне используются в составном включении. Объединять полевые транзисторы нет необходимости, так как они и без того обладают чрезвычайно малым входным током. Однако существуют схемы, напримерIGBT, где применяется как логика работы полевого транзистора, так и биполярного. В некотором смысле, их также можно считать составными транзисторами.
- условное обозначение
- принципиальная схема