- •Т.И.Данилина
- •Технология тонкопленочных
- •Микросхем
- •Учебное пособие
- •1. Введение
- •2. Получение рисунка интегральных схем
- •2.1. Фотолитография
- •2.2. Способы экспонирования
- •2.3. Фотошаблоны и технология их получения
- •2.4. Оптические эффекты при фотолитографии
- •2.5. Методы и технология формирования рисунка
- •3. Технологические основы пленочной
- •3.1. Термическое испарение в вакууме
- •3.2. Ионно-плазменное распыление
- •4. Элементы тонкопленочных интегральных
- •4.2. Тонкопленочные резисторы
- •4.2.1. Выбор материалов
- •5. Типовые технологические процессы
- •6. Области применения тонких пленок
- •6.1. Тонкие пленки в технике свч
- •6.2. Тонкослойные оптические покрытия
- •6.2.1. Просветляющие покрытия для видимой и инфракрасной областей спектра.
- •6.2.2. Отражающие покрытия для вакуумного ультрафиолетового излучения.
- •6.2.3. Диэлектрические многослойные пленочные системы
- •7 Методические указания по самостоятельной работе студентов.
- •7.1 Методические указания по выполнению контрольных работ.
- •7.2 Примеры решения задач.
- •7.3 Задачи для самостоятельного решения.
- •7.4. Задания к контрольной работе №2
- •Приложение 1 Основные физические постоянные
- •Соотношения между единицами измерения
- •Периодическая система элементов
- •Приложение 3 Параметры металлов и полупроводников
Федеральное агентство по образованию
ТОМСКИЙ государственный УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ
УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)
Т.И.Данилина
Технология тонкопленочных
Микросхем
Учебное пособие
Томск 2006
СОДЕРЖАНИЕ
распылением …..………….………………..……
4.3.1. Параметры тонкопленочных конденсаторов ….…. 4.3.2. Диэлектрические материалы …………………….. 4.3.3. Выбор материала обкладок ……………………….
6.2.1.Просветляющие покрытия для видимой и инфракрасной областей спектра 6.2.2. Отражающие покрытия для вакуумного ультрафиолетового излучения 6.2.3. Диэлектрические многослойные пленочные системы
Литература Приложение 1 Приложение 2 Приложение 3 |
5 7 7 14 17 28
33 39 39 39 40 41 44 49 52 54 62 64 64 67 74 80
81 85 85 85 87 91 92 92 95 99 99 101 102 103 105
109 118 118 125 125
128 129 132
134 139 141
144 145 146 147 |
1. Введение
Современный этап развития радиоэлектроники характеризуется широким применением интегральных микросхем (ИМС) во всех радиотехнических схемах. Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых радиоэлектронной аппаратурой.
В микроэлектронике используются два основных вида интегральных микросхем: пленочные и полупроводниковые ИМС. Пленочные ИМС создаются на диэлектрической подложке путем послойного нанесения пленок различных материалов с одновременным формированием из них микроэлементов и их соединений. Полупроводниковые ИМС создаются путем локального воздействия на микроучастки полупроводникового монокристалла и придания им свойств, соттветствующих функциям микроэлементов и их соединений.
Комбинации этих технологий позволили создать гибридные и совмещенные ИМС, которые компенсируют некоторые недостатки, имеющиеся у пленочных и полупроводниковых ИМС.
В настоящее время микроэлектронные устройства, изготовленные с использованием гибридных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона (ГИС СВЧ) определяют в большой степени техническую и экономическую эффективность приемопередающих систем цифровой радиосвязи, радиолокации и радионавигации.
Внедрение методов тонкопленочной технологии в процесс травления ГИС СВЧ позволит повысить точность изготовления при очень малых размерах элементов с распределенными параметрами.
Возрастающие требования к характеристикам ГИС СВЧ и увеличению частотного диапазона до сотен гигагерц заставляют разработчиков постоянно совершенствовать как конструкции, так и технологию.
Тонкопленочные технологии находят широкое применение в микро – и наноэлектронике для изготовления изделий магнито - , крио - , опто – электроники и для получения широкого круга оптических покрытий различного назначения.
Учебное пособие представляет собой конспект лекций по дисциплине "Технология тонкопленочных микросхем" для студентов специальности 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника" и имеет методические указания по самостоятельной работе студентов.
Учебное пособие содержит разделы по получению рисунка ИМС, по технологическим основам пленочной микроэлектроники, элементам тонкопленочных ИМС, в том числе ГИС СВЧ, а также по технологиям и свойствам оптических покрытий.
Учебное пособие снабжено приложениями, необходимыми для выполнения контрольных работ и индивидуальных заданий.