- •Министерство образования и науки рф
- •1.2.Статические характеристики биполярных транзисторов.
- •1.3.Динамические характеристики транзистора.
- •1.4.Полевые транзисторы.
- •1.4.1.Транзистор с управляющим «p-n» переходом.
- •1.4.2.Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы).
- •2 Описание лабораторного стенда
- •3.1. Изучение полупроводниковых транзисторов.
- •4.6.Снять статические характеристики полевых транзисторов.
- •5.Содержание отчета.
- •6.Варианты заданий для выполнения лабораторной работы.
- •7.Вопросы к зачету по лабораторной работе.
Министерство образования и науки рф
Марийский государственный технический университет
Исследование статических и динамических характеристик полупроводниковых транзисторов
Методические указания для выполнения лабораторных работ по дисциплине «Электроника»
Йошкар – Ола
2011 год
Лабораторная работа №2
Исследование статических и динамических характеристик
полупроводниковых транзисторов
Полупроводниковые транзисторы
В зависимости от принципа действия полупроводниковые транзисторы делятся на две группы: биполярные и униполярные (полевые).
1.1.Биполярные транзисторы.
Биполярным транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими «p-n» переходами. Биполярные транзисторы различаются по структуре. В зависимости от чередования областей различают «p-n-p» и «n-p-n» транзисторы.
Рис. 1. Биполярные транзисторы типа «p-n-p» (а) и «n-p-n» (б).
Транзисторы также подразделяются по частоте, по мощности и по другим признакам. В зависимости от материала транзисторы делятся на германиевые (ГТ или 1T) и кремниевые (КТ или 2T). В биполярных транзисторах управление происходит током.
Важнейшим параметрами любого транзистора являются дифференциальный коэффициент передачи тока из эмиттера в коллектор α и дифференциальный коэффициент передачи тока из базы в коллектор β.
приUкэ –const(обычно α=0,9÷0,99),
при Uкэ –const
Усилители на транзисторах характеризуются коэффициентом усиления по току KI, по напряжениюKVи по мощности KP.
Различают три схемы включения транзисторов: с общей базой ОБ, с общим эмиттером ОЭ и с общим коллектором ОК (эмиттерный повторитель).
Рис. 2. Схема включения транзисторов с общей базой.
Рис. 3. Схема включения транзисторов с общим эмиттером.
т.к.
Рис. 3. Схема включения транзисторов с общим коллектором.
Наиболее распространенная схема является схема с ОЭ. Она обеспечивает усиление по току и по напряжению. Схема с ОК обеспечивает усиление только по току и по мощности. Применяется для согласования тока коллектора, имеет большое входное сопротивление и небольшое выходное.
1.2.Статические характеристики биполярных транзисторов.
Статические характеристики представляют собой графические зависимости между токами, протекающими в цепях транзистора, и напряжениями на его выходах. Эти характеристики используются в расчетах и при анализах электронных схем. Различают входные и выходные характеристики. Характеристики приводят в справочниках или снимаются экспериментальным путем.
Статические характеристики для схем с ОЭ приведены на рис.3.
Рис. 3. Входная характеристика Iб=f(Uбэ) приUкэ-const(а),
выходная характеристика Iк=f(Uкэ) приIб-const(б).
Входная характеристика отражает зависимость тока базы Iбот напряжения на входе базыUбэ, Iб=f(Uбэ) приUкэ-const.
Выходная характеристика отражает зависимость тока коллектора IКот напряженияUкэ,Iк=f(Uкэ) приIб-const.
На выходной характеристике можно выделить три зоны:
1 – зону отсечки I
2 – режим усиления II
3 – режим насыщения III