3

Вопросы для подготовки к зачёту

по дисциплине" Электротехнике и электронике"

1. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства.

2. Сущность динамического режима работы. Электронные приборы. Динамические характеристики.

3. Связь статических и динамических параметров электровакуумных приборов.

4. Емкости p-n-перехода.

5. Переходные процессы в p-n-переходе. Импульсные диоды.

6. Поглощение света полупроводниками. Физические принципы работы фотоэлектрических приборов.

7. Излучение света полупроводниками. Физические принципы работы излучающих приборов.

8. Режим усиления гармонического сигнала в схемах на биполярных транзисторах и его параметры.

9. Особенности работы биполярных транзисторов в импульсном режиме.

10. Общая характеристика ключевого режима работы биполярных транзисторов.

11. Переходные процессы в транзисторном ключе (на биполярных транзисторах).

12. Цели и задачи микроминиатюризации.

13. Общая классификация ИМС.

14. Классификация цифровых ИМС.

15. Статические параметры и характеристики цифровых ИМС.

16. Динамические и интегральные параметры цифровых ИМС.

17. Устройство, принцип действия базового логического элемента ТТЛ.

18. Система условных обозначений цифровых ИМС.

19. Обеспечение устойчивой работы цифровых ИМС.

20. Классификация и основные параметры ЗУ.

21. Элементы памяти статических ОЗУ.

22. Элементы памяти динамических ОЗУ.

23. Масочные ПЗУ.

24. Однократно программируемые ПЗУ.

25. Общие принципы построения и применения ПЛМ.

26. Принципы построения ПМЛ.

27. Многократно-программируемые ПЗУ с электрической записью и стиранием информации.

28. Основные параметры ПЗУ.

Перечень

практических вопросов к зачёт по дисциплине

«ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА»

1. В ключе на транзисторе структуры n-p-n задано U_пит, R_к, , R_б. Определить значение напряжения высокого уровня U¹ для обеспечения состояния ключа "включено", если известно U_пор, U⁰.

2. Рассчитать схему включения светодиода АЛ307А, если известно U_пит, постоянное прямое напряжение светодиода U_пр, постоянный прямой ток I.

3. В ключе на транзисторе структуры n-p-n заданы U_пит, R_к, , U_вх= U¹, U_пор. Определить величину сопротивления R_б, обеспечивающего состояние ключа "включено".

4. Усилительный каскад на транзисторе ГТ322А включен по схеме с общим эмиттером и с фиксированным напряжением базы: заданы U_пит, R_к, I_бm. Изобразить схему каскада, построить активную рабочую область транзистора, рассчитать K_I, K_U, R_вх, R_вых .

5. Рассчитать время задержки отпирания t_зд.о транзисторного ключа, управляемого прямоугольными импульсами с начальным уровнем U⁰ и амплитудой U_m. Заданы параметры схемы: C_э, C_к, R_б, U_пор.

6. Рассчитать время перехода при включении t^0,1 транзисторного ключа, управляемого прямоугольными импульсами с начальным уровнем U⁰ и амплитудой U_m. Заданы параметры схемы: U_бэн, R_б, U_пит, R_к, , _нар.

7. В усилительном каскаде на транзисторе ГТ322А, собранном по схеме с ОЭ и ФТБ заданы U_пит, R_к. Построить активную рабочую область транзистора, рассчитать элементы схемы.

8. Расшифровать условное обозначение заданной ИМС.

9. Построить передаточную характеристику ЛЭ, если заданы U⁰_пор; U¹_пор; U¹_вых; U_Л.

10. Для элемента ТТЛ определить нагрузочную способность n, если задано I⁰_вых.max, U⁰_пор, U⁰_пом.

11. Для элемента ТТЛ определить I_вых, если к его выходу подключено n одинаковых ЛЭ и после подключения: заданы U⁰_вых, U¹_вых.

12. Усилительный каскад собран на транзисторе КП302А. Заданы напряжение U_пит, R_c, U_зи0, U_зиm. Рассчитать значение S_d, K_U.