Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

l23_2014_04_16

.pdf
Скачиваний:
10
Добавлен:
16.04.2015
Размер:
869.62 Кб
Скачать

Лекция 23 (16.04.2014)

Электроны в гетероструктурах

1.Введение в оптику полупроводников. Межзонное поглощение

2.Внутризонное поглощение

3.Экситоны

Литература:

1. М. Кардона, “Основы физики полупроводников”.

2.Chuang, S.L. (2009). Physics of photonic devices. 2nd edn. John Wiley & Sons, Hoboken, New Jersey.

3.Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус, Симметрия и деформационные эффекты в

полупроводниках.

4. А.И. Ансельм, “Введение в теорию полупроводников”.

Переход происходит с выполнением ЗАКОНА СОХРАНЕНИЯ КВАЗИИМПУЛЬСА

kC kV

 

вектор обратной решетки

 

 

 

kV

kC и kV

 

kC

 

лежат в первой зоне Бриллюена

 

 

Длина волны поглощаемого света велика по сравнению с постоянной решетки:

0,

kC kV

Благодаря этому разность kC kV мала и при взятии интеграла по объему одной элементарной ячейки ей можно пренебречь.

Тогда Блоховские амплитуды в конечном и начальном состояниях можно считать ортогональными (дипольное приближение)[см. Бонч-Бруевич и

Калашников, стр. 644]:

 

d

3

ru*C,kC uV,kV

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

e

 

 

Pvc

 

A0 d

3

 

*

 

 

 

 

 

A0

 

m c

 

ruC,kC e uV,kV

m c

epcv , где

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i d

3

*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

pcv

 

 

 

 

- матричный элемент оператора импульса

 

ruC,kC

uV,kV

Матричный элемент перехода прямо пропорционален матричному элементу оператора импульса, вычисленному на Блоховских амплитудах состояний валентной зоны и зоны проводимости

Вероятность оптического перехода определяем используя "золотое правило" и интегрируя по волновому вектору начального (или конечного) состояния (без учета спина).

 

 

2

 

V eA 2

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

WCV

( )

 

 

 

 

 

0

 

 

d3k

epcv k

 

 

 

C k

V k

 

 

 

2

3

 

 

 

 

 

 

m0c

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Эта формула определяет для объема кристалла число переходов V C в единицу времени, для которых выполняется закон сохранения энергии и закон сохранения квазиимпульса.

Коэффициент поглощения

Затухание интенсивности света при распространении вдоль оси x:

I ~

 

2

2

 

x

E

 

~ e c

e x, где

2 - коэффициент поглощения

с

Вычислим коэффициент поглощения света в кристалле

I(x) I0e x

dI(x)

I(x) - уменьшение интенсивности света

 

 

dx

Коэффициент поглощения света, падающего нормально на поверхность,

равен отношению количества поглощенных фотонов за единицу времени в единице объема к количеству фотонов, проходящих через единицу поверхности в единицу времени (плотность потока).

Плотность потока фотонов в плоской световой волне равна Nphv Nph cn с и n - скорость света в вакууме и коэффициент преломления среды, Nph - количество фотонов в единице объема.

 

W n

 

1 e2

d

k

 

 

 

2

 

 

 

 

( ) 2VN c

m2cn

 

epˆcv

 

C (k) V (k)

 

CV

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

ph

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

A0

 

 

2 Nph

 

 

 

при этом мы учли:

 

 

 

и учли спин, умножив все на два

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Законы дисперсии в окрестности экстремума (в общем случае для анизотропных масс):

 

 

2

 

 

k

1

k

01

2

 

 

k

2

k

 

02

2

 

 

k

3

k

03

2

C k C k0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

mc1

 

 

 

 

mc2

 

 

 

 

 

 

mc3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

k

1

k

01

2

 

 

k

2

k

02

2

 

k

3

k

03

2

V k V k0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

m

 

 

 

 

 

 

m

 

 

 

 

 

 

 

m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V1

 

 

 

 

 

 

V2

 

 

 

 

 

 

 

V3

 

 

 

Здесь оси 1, 2, 3 направлены вдоль главных осей эллипсоидов,mci1 и mvi1 - компоненты тензоров обратных эффективных масс электронов и дырок.

Подставляем - получаем:

 

1 e

2

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

2

 

ki k0,i

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

epcv k

 

 

 

 

 

i

 

 

 

 

 

m2cn d

 

k

 

 

2

 

i

( Eg )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C k0 V k0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Здесь Eg

- ширина запрещенной зоны

 

1

m 1

m 1

- приведенные компоненты тензора

i

Ci

Vi

обратных эффективных масс

 

 

 

Вблизи экстремума зон не только закон дисперсии, но и матричные элементы оператора импульса можно разложить в ряд по k k0 :

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

epcv

(k) epcv

(k0)

 

 

epcv

(k)

 

 

k k0

...

 

 

 

 

 

k

 

 

k k0

 

 

 

Разрешенные оптические переходы: epcv(k0) 0

Для таких переходов обычно пренебрегают зависимостью матричного элемента от квазиимпульса (ограничиваются первым членом разложения). Тогда вычисление коэффициента поглощения сводится просто к расчету плотности состояний уровней между которыми происходят оптические переходы.

 

1 e

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

2

ki

k0,i

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

epcv k0

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

m2cn

 

 

 

d

 

k

 

 

2 i

 

 

i

 

 

 

 

( Eg )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ki

k0i

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

замена переменных:

 

 

 

 

ki

'

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dk'dk'

dk' 4 k'2 dk'

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

2

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 e

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

2

 

 

 

epcv k0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k'

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4 k' dk'

 

 

 

 

( Eg )

 

 

 

 

 

 

m2cn

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

x 2k'2

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4e2 1 2 3

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

2

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

epˆcv k0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

x 2dx x ( Eg )

 

2

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

m0cn

 

 

 

 

 

 

 

 

f

 

 

 

 

 

 

 

X

 

d

f

 

X

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

определение дельта-функции:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4e2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 1 2 3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

1/2

 

 

 

1/2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

epˆcv

 

k0

 

 

 

 

 

Eg

a Eg

 

 

m2cn 3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент поглощения равен нулю, если энергия поглощаемого фотона меньше ширины запрещенной зоны и прямо пропорционален Eg , если энергия фотона превышает Eg.

 

(E)

 

 

m3 2

 

 

E1 2

- плотность состояний 3-мерной частицы с

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 2 3

 

 

квадратичной дисперсией

 

Выражение для имеет вид:

 

C Eg , где

межзонные

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

переходы при

 

 

 

 

2

 

 

 

1 2 3

1 2

 

сохранении

 

(E)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

- комбинированная

квазиимпульса:

 

 

2 3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

плотность состояний

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

прямые переходы

С ~

 

 

 

- сила осциллятора

 

epˆcv

k0

 

 

 

 

 

 

~

 

Eg

край фундаментального поглощения

Eg

энергия кванта

Запрещенные оптические переходы: epcv (k0) 0

Существуют кристаллы (например, закись меди - Cu2O), для которых значение матричного элемента перехода в экстремальной точке равно нулю.

Это не значит, что при Egпоглощение отсутствует, но форма края поглощения имеет другой вид.

В этом случае разложение матричного элемента оператора импульса

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

epcv

(k) epcv

(k0)

 

 

epcv

(k)

 

 

k k0

...

 

 

 

 

 

k

 

 

k k0

 

 

 

начинается со второго члена

Процедура, аналогичная проделанной выше для разрешенных переходов дает (для изотропного тензора о.э.м.) (см. Ансельм, Гл. VII, п. 2):

 

2e2

2 5 2

 

 

 

 

 

 

2

 

 

2

 

3m

cn

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

ˆ

 

 

 

2

3/2

3/2

 

 

 

 

 

epcv 0

 

 

 

Eg

 

b Eg

 

k

 

 

 

 

 

 

 

Исследуя экспериментально зависимость ( ) , можно установить тип перехода - разрешенный или запрещенный и определить ширину запрещенной зоны для прямых переходов.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]