LEC12. Память в ЭВМ
.pdf
НИУ ИТМО. Кафедра вычислительной техники
Информатика (2014/2015)
Группы 1100, 1101, 1103, 1105, 1106, 1652. Балакшин П.В. , Соснин В.В.
Лекция 12
Организация хранения данных в ЭВМ
2
Обеспѐчение или обеспечѐние (14:2)
1.Орфоэпический словарь (Аванесов, 1988): обеспѐчение, ! не рек. обеспечѐние.
2.Русское словесное ударение (Зарва, 2002): обеспѐчение [не обеспечѐние]
3.Словарь трудностей произношения и ударения в современном русском
языке (Горбачевич, 2002): обеспѐчение (не рекомендуется обеспечѐние)
4.Учебный словарь трудностей произношения и ударения в современном русском языке (2004, Гостеева): Обеспѐчение. Не рек. обеспечѐние
5.Современный толковый словарь русского языка (Ефремова, 2000): обеспѐчение; обеспечѐние разг.
6.Давайте говорить правильно (Вербицкая, 2008): обеспѐчение, в проф. речи обеспечѐние
обеспѐчение обеспечѐние
1.Большой толковый словарь (Кузнецов, 2009).
2.Толковый словарь (Ожегов, 1992).
3.Толковый словарь (Ушаков, 1940).
4.Морфемно-орфографический словарь (Тихонов, 2002).
5.Collins Russian Dictionary (2000).
6.Онлайн-словарь http://www.wiktionary.org
7.Онлайн-словарь http://en.bab.la
8.Онлайн-словарь http://ru.forvo.com
1.Русский орфографический словарь (Лопатин, 2004).
2.Толковый словарь (Дмитриев, 2003).
обеспѐчение
обеспѐчение, обеспечѐние
Характеристики систем памяти
1. Место расположение:
•Процессорная, т.е. на общем кристалле с ЦП (регистры, кэш-память 1-го уровня);
•Внутренняя, т.е. на системной плате (основная память [ОП], кэш-память 2-го и последующего уровня);
•Внешняя (медленные запоминающие устройства [ЗУ] большой ёмкости).
2. Ёмкость ЗУ – число бит/байт, которое можно хранить на ЗУ.
Характеристики систем памяти
3. Единица пересылки.
Для ОП единица пересылки определяется шириной шины данных, т.е. количество бит, передаваемых по линиям шины параллельно. Обычно равна длине слова.
Характеристики систем памяти
4. Метод доступа к данным:
•Последовательный доступ – ЗУ ориентировано на хранение информации в виде последовательности блоков, называемых записями. Для доступа к нужному элементу необходимо прочитать все предшествующие блоки (ЗУ на магнитной ленте);
•Прямой доступ - каждая запись имеет уникальный адрес, отражающий ее физическое размещение на носителе информации. Обращение определяется как адресный доступ к началу записи + последующий последовательный доступ к определённой информации внутри записи (магнитные диски);
Характеристики систем памяти
4. Метод доступа к данным:
•Произвольный доступ – каждая ячейка памяти имеет уникальный физический адрес. Обращение к любой ячейке занимает одно и то же время и может водиться в произвольной очередности (ОП);
•Ассоциативный доступ - позволяет выполнять поиск ячеек, содержащих такую информацию, в которой значение отдельных битов совпадает с состоянием одноименных битов в заданном образце. Сравнение осуществляется параллельно для всех ячеек памяти, независимо от её емкости (кэш-память).
Характеристики систем памяти
5. Быстродействие – один из важнейших показателей:
•Время доступа (ТД) – интервал времени от момента поступления адреса до момента, когда данные заносятся в память или становятся доступными;
•Длительность цикла памяти или период обращения
(ТЦ) – понятие применяется к памяти с произвольным доступом, для которой оно означает минимальное время между двумя последовательными обращениями к памяти. Период обращения включает в себя время доступа плюс некоторое дополнительное время.
•Скорость передачи – скорость, с которой данные
могут передаваться в память или из неё.
Характеристики систем памяти
6. Физический тип:
• Полупроводниковая память;
• Память с магнитным носителем информации (используемая в магнитных дисках и лентах);
• Память с оптическим носителем (оптические диски).
7. Физические особенности:
• Например, энергозависимость.
8. Стоимость - стоимость хранения одного бита информации. 
Физическое устройство памяти
1.Память состоит из адресуемых ячеек (размером 1 – 128 бит).
2.Ячейки состоят из запоминающих электрических элементов.
3.Электрический элемент может находиться в одном из двух устойчивых состояний (для хранения 1 бита):
•конденсатор заряжен/разряжен;
•транзистор в проводящем/непроводящем состоянии;
•полупроводниковый материал имеет высокое/низкое сопротивление и т.п.
Одно из таких физических состояний создает высокий уровень выходного напряжения элемента памяти, а другое – низкий.
9
Запоминающим элементом называется элемент, который способен принимать и хранить код двоичной цифры (исходные значения некоторых величин, промежуточные значения обработки и окончательные результаты вычислений).
Триггер - элементарный цифровой автомат с двумя устойчивыми состояниями. Состояние 0 на выход Q
соответствует выключенному состоянию, а Q = 1 - включенному.
10