Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Лекции

.pdf
Скачиваний:
20
Добавлен:
12.04.2015
Размер:
2.62 Mб
Скачать

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Государственное образовательное учереждение высшего профессионального образования

«Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ)

О. Г. Цыганков

ИНФОРМАЦИОННО-ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА

ИЭЛЕКТРОНИКА

Учебное пособие

Утверждено Учебно-методическим советом Юго-Западного государственного университета

Курск 2010

УДК 621.38 (071.8) ББК 32.85я7

Ц 12

Рецензенты:

Доктор техн. наук, завкафедрой электротехники государственной сельхозакадемии

им. проф. И. И. Иванова, профессор В.И. Серебровский Доктор техн. наук, глав. научный сотрудник ФГУП «Курский НИИ» МО РФ, профессор А.С. Сизов

Цыганков О.Г.

Ц 12 Информационно-измерительная техника и электроника: учеб. пособие / О.Г. Цыганков; Юго-Зап. гос. ун-т. Курск, 2010. 316 с. Библиогр.: с. 314-315.

ISBN 978-5-7681-0598-3

Учебное пособие соответствует Государставенному образовательному стандарту направления 551700 «Электроэнергетика».

Рассмотрены различного типа и исполнения полупроводниковые приборы, усилители переменного и постоянного тока, операционные усилители и устройства, выполненные на них, элементы импульсной техники, основы цифровой и информационно-измерительной техники.

Предназначено для студентов, обучающихся по специальности «Электроснабжение».

УДК 621.38 (071.8) ББК 32.85я7

ISBN 978-5-7681-0598-3

© Юго-Западный государственный

 

университет, 2010

 

© Цыганков О. Г., 2010

ОГЛАВЛЕНИЕ

ПРЕДИСЛОВИЕ................................................................................

6

ВВЕДЕНИЕ.........................................................................................

7

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ..................................

12

1.1. Физические основы проводимости полупроводников........

12

1.2. Электронно-дырочный переход ...........................................

26

1.3. Контакт полупроводников с одним типом

 

электропроводности.....................................................................

41

1.4. Контакт металл – полупроводник ........................................

43

1.5. Полупроводниковые диоды..................................................

45

1.6. Биполярные транзисторы......................................................

65

1.7. Полевые транзисторы............................................................

87

1.8. Тиристоры..............................................................................

94

1.9. Фотодиоды...........................................................................

106

1.10. Фототранзисторы...............................................................

112

1.11. Фототиристоры..................................................................

115

1.12. Светоизлучающие диоды..................................................

116

1.13. Оптроны.............................................................................

117

1.14. Интегральные микросхемы..............................................

119

2. ЭЛЕКТРОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ ............................................

122

2.1. Краткая классификация усилителей ..................................

122

2.2.Однокаскадные усилители на биполярных транзисторах122

2.3.Расчет основных параметров усилительных каскадов

на биполярных транзисторах.....................................................

128

2.4. Примеры расчета усилителей с различными схемами

 

включения транзисторов............................................................

132

2.5. Многокаскадные усилители на биполярных

 

транзисторах...............................................................................

139

2.6. Обратные связи в усилителях.............................................

145

2.7. Усилители постоянного тока..............................................

151

3. УСТРОЙСТВА НЕПРЕРЫВНОГО ДЕЙСТВИЯ

 

НА ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЯХ...................................

159

4

 

3.1. Операционные усилители...................................................

159

3.2. Неинвертирующий усилитель

 

на операционном усилителе (ОУ) с обратной связью............

165

3.3. Инвертирующий усилитель

 

на операционном усилителе (ОУ) с обратной связью.............

167

3.4. Преобразователь тока в напряжение .................................

168

3.5. Инвертирующий сумматор.................................................

169

3.6. Неинвертирующий сумматор.............................................

169

3.7. Вычитатель на операционном усилителе..........................

171

3.8. Интегратор на операционном усилителе...........................

172

3.9. Дифференцирующее устройство........................................

173

3.10. Компенсация входных токов и напряжения

 

смещения нуля............................................................................

174

3.11. Частотные свойства и самовозбуждение усилителей на

 

операционном усилителе...........................................................

175

3.12. Избирательные усилители................................................

177

3.13. Генераторы синусоидальных колебаний.........................

180

4. ИМПУЛЬСНЫЕ УСТРОЙСТВА НА ОПЕРАЦИОННЫХ

УСИЛИТЕЛЯХ..............................................................................

184

4.1. Особенности и преимущества передачи информации

 

в импульсном режиме................................................................

184

4.2. Виды импульсных сигналов...............................................

185

4.3. Виды модуляции .................................................................

186

4.4. Ключевой режим работы транзистора...............................

186

4.5. Компараторы (схемы сравнения).......................................

189

4.6. Триггер Шмитта..................................................................

191

4.7. Неинвертирующий триггер Шмитта..................................

193

4.8. Мультивибраторы...............................................................

194

4.9. Симметричный мультивибратор

 

на операционном усилителе......................................................

196

4.10. Одновибратор на операционном усилителе...................

199

4.11. Генераторы линейно-изменяющегося напряжения

 

на операционном усилителе......................................................

201

4.12. Генераторы линейно-изменяющегося напряжения

 

на операционном усилителе с внешним запуском .................

202

4.13. ГЛИН на ОУ в автогенераторном режиме ......................

204

 

5

5. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ И ЦИФРОВЫЕ

 

УСТРОЙСТВА...............................................................................

206

5.1. Основные логические операции и их реализация.............

206

5.2. Типы логических микросхем..............................................

209

5.3. Комбинированные логические элементы ..........................

212

5.4. Элементы алгебры логики и синтеза

 

комбинационных схем...............................................................

213

5.5. Формы записи логических уравнений ...............................

216

5.6. Синтез комбинационных логических устройств...............

217

5.7. Реализация логических функций на элементах «И-НЕ»

 

и «ИЛИ-НЕ» ...............................................................................

219

5.8. Интегральные комбинационные схемы.............................

220

5.9. Логические устройства последовательного типа..............

228

5.10. Понятие о микропроцессоре.............................................

243

6. ИНФОРМАЦИОННО-ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА.....

250

6.1. Основные понятия и определения......................................

250

6.2. Метрологические характеристики средств измерений.....

254

6.3. Неметрологические характеристики..................................

257

6.4. Обработка результатов измерений при многократных

 

наблюдениях...............................................................................

257

6.5. Измерение электрических величин аналоговыми

 

электромеханическими приборами...........................................

262

6.6. Аналоговые электронные измерительные приборы .........

283

6.7. Цифровые измерительные приборы...................................

296

6.8. Информационно-измерительные системы.........................

305

ЗАКЛЮЧЕНИЕ..............................................................................

313

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК........................................

314

ПРЕДИСЛОВИЕ

Представленное учебное пособие соответствует Государственному образовательному стандарту направления 551700 «Электроэнергетика» и предназначенно для студентов всех форм обучения специальности «Электроснабжение» 140211 при изучении теоретической части одноименной дисциплины, а также для подготовки к практическим занятиям и лабораторным работам.

Особенностью учебного пособия является обеспечение возможности изучения дисциплины «Информационно-измерительная техника и электроника» по единому источнику. Это важно потому, что названная дисциплина отличается большим разнообразием материала, отдельные разделы которого фактически представляют собой самостоятельные предметы и требуют обращения к большому числу различных изданий, что создает определенные трудности студентам, особенно обучающимся по заочной форме.

Материал пособия отличается полнотой и доступностью изложения, а также достаточно хорошим научно-техническим уровнем при сравнительно небольшом объеме, что создает возможность использования его в учебном процессе смежных дисциплин («Релейная защита и автоматизация электроэнергетических систем», «Электрические станции» и пр.)

Библиографический список включает в себя как источники прежних лет изданий, так и самых последних. Это позволяет проследить развитие соответствующего научно-технического направления, что немаловажно для учебного процесса.

Пособие, помимо его использования в учебном процессе студентами, может быть полезно для преподавателей смежных дисциплин, а также научно-техническим работникам в своей практической деятельности.

ВВЕДЕНИЕ

Повышение эффективности производства, ускорение научнотехнического прогресса и перевод экономики на путь интенсивного развития невозможно осуществить без широкого применения электроники и вычислительной техники.

Электроника представляет собой обширную отрасль науки и техники, связанную с изучением физических явлений, принципов действия, устройством и областью применения приборов, работа которых основана на движении заряженных частиц в кристаллических телах, газе и вакууме. Первое из упомянутых направлений, связанное с изучением физических явлений, получило название «физической» электроники. Второе и третье направления объединяются под общим названием «техническая» электроника.

Всвою очередь «техническая» электроника в зависимости от сферы использования ее средств подразделяется на ряд достаточно самостоятельных направлений. Первое из них «радиоэлектроника», охватывающая все виды связи (радиовещание, радиолокацию, радионавигацию, радиоастрономию и т.д.). Второе – «ядерная электроника», занимающаяся изучением явлений и процессов, происходящих при перестройке и распаде ядер. Третье – «биоэлектроника», предназначенная для проведения биологических и медицинских исследований. И наконец, четвертое – «промышленная электроника», связанная с использованием средств электроники в промышленности, на транспорте, в электроэнергетике в устройствах измерения, регулирования, управления и преобразования.

Взависимости от решаемых задач, «промышленная электроника», составляющая предмет нашего изучения, в свою очередь, подразделяется на «информационную электронику», к которой относится использование средств электроники в целях измерения, контроля, регулирования и управления, и «энергетическую электронику» (преобразовательную технику), связанную с преобразованием электрической энергии для целей промышленного электропривода, электрофицированного транспорта, в системах передачи электроэнергии, в электротехнологических целях.

8

Введение

Для специалистов в области электроснабжения промэлектроника является совершенно необходимым предметом для последующего изучения таких курсов, как автоматизированный электропривод, электротехнологические установки, релейная защита и автоматика, электрические сети и системы и т.д.

«Промышленная электроника» постоянно развивается, и поскольку она основывается на применении различного рода электронных приборов, то прогресс в ней неразрывно связан с прогрессом ее элементной базы.

Начало развития электронных приборов совпадает с началом 20 века. В 1900 году русский ученый А.С. Попов в радиотелеграфном приемнике впервые применил полупроводниковый прибор (диод-детектор). В 1904 году английский ученый Я. Флеминг изобретает двухэлектродный электровакуумный прибор-диод и тоже применяет его в качестве детектора в радиоприемных устройствах. В 1907 году в США Ли де Форест создает трёхэлектродную лампутриод, позволяющую уже усиливать и генерировать электрические колебания. В России первые электронные лампы начали изготовлять в 1914 году под руководством Н.Д. Папалекси, несколько позже М.А. Бонч-Бруевич впервые в мире создает мощные генераторные лампы. После революции специальным декретом от 2 декабря 1918 года, подписанным В.И. Лениным, была создана Нижегородская радиолаборатория, где под руководством того же БончБруевича было налажено изготовление мощных генераторных ламп, что позволило в 1922 году построить самую мощную на тот момент в мире (400 кВт) радиостанцию имени Коминтерна. Именно значительный прогресс в области электровакуумных приборов обусловил развитие в 20–30 годы прошлого века радиосвязи, телевидения, радиолокации, измерительной техники, позволил начать широкое внедрение электронных приборов и устройств в промышленности. Но параллельно велись исследования и в области полупроводниковой техники. Примером тому может служить разработка в той же Нижегородской радиолаборатории в 1922 году О.В. Лосевым схемы приемника, в которой полупроводниковый кристалл служил для генерации высокочастотных колебаний. «Кристадин» Лосева представлял собой полупроводниковый прибор с запирающим слоем в месте контакта стальной иглы с поверхностью кри-

Введение

9

сталла цинкита или карборунда. На частоте 12,3 МГц с помощью этого прибора Лосев осуществил усиление и генерирование колебаний. В последующие годы были созданы промышленные образцы полупроводниковых медно-закисных выпрямителей и меднозакисных и селеновых фотогальванических приемников излучения.

В1930-е годы под руководством академика А.Ф. Иоффе началось в нашей стране систематическое изучение свойств полупроводников. Б.В. Курчатовым, В.П. Жузе, В.Н. Гохбергом и др. проводились исследования зависимости электропроводности полупроводников от концентрации и вида примеси. В 1937 году А.Ф. Иоффе, А.В. Иоффе и Б.И. Давыдовым была разработана теория выпрямления на границе полупроводников с различным типом электропроводности. Тем не менее, электронные лампы продолжали занимать доминирующее положение. В 1930–40-е годы в различных устройствах стали применять огромное количество электронных ламп, и вот тут стали проявляться в полной мере их недостатки. Дело в том, что лампы имеют значительные габариты и массу, потребляют много энергии и при этом имеют небольшой срок службы. К примеру, устройство, содержащее 2000 ламп, при сроке службы каждой из них в 500 часов, могло безотказно работать не более 15 минут. Перечисленные недостатки ламп поставили ученых перед необходимостью разрабатывать электронные приборы с иным принципом действия. Значительные работы в области полупроводников наших ученых, немецких ученых (в частности, В. Шоттки) и американских (Н. Мотта и У. Шокли) дали положительные результаты.

В1948 году в США были созданы полупроводниковые триоды на основе германия, получившие название транзисторов. Их создатели Д. Бардин, У. Браттейн, У. Шокли были удостоены Нобелевской премии. В СССР первые образцы точечных транзисторов были изготовлены в 1949 году А.В. Красиловым и С.Г. Мадоян. Открытие транзистора послужило началом нового этапа в развитии полупроводниковой электроники. В 1956 году появились первые сообщения о создании структуры типа p-n-p-n американским ученым Дж. Моллом, т.е. о создании приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением, среди которых наибольшее значение приобрели тиристоры. В нашей стране исследования и разработка тиристоров и других приборов особенно большой мощности ве-

10

Введение

лись под руководством академика В.М. Тучкевича, группа ученых во главе с ним была удостоена за эти работы Ленинской премии.

В1957 году японский ученый Л. Есаки изобрел туннельный диод.

Впоследующие годы наблюдалось быстрое продвижение полупроводниковых приборов в область сверхвысоких частот. В 1959 году советским ученым А.С. Тагером с сотрудниками была обнаружена генерация когерентных колебаний СВЧ в p-n-переходе при ударной ионизации. На этом эффекте построены лавинно-пролетные диоды, лежащие в основе целого класса СВЧ-устройств: генераторов, усилителей и преобразователей частоты. Появляется новое направление «оптоэлектроника», суть которого составляют процессы преобразования электрических сигналов в оптические и обратно. Первооткрывателями физических основ оптоэлектроники являются советские ученые – академики Н.Г. Басов и А.М. Прохоров, которые в 1964 году были удостоены Нобелевской премии за создание оптических квантовых генераторов на основе p-n-перехода.

Важнейшим направлением развития современной электронной техники является микроэлектроника. Предпосылкой появления микроэлектроники явился быстрый рост сложности радиоэлектронной аппаратуры, развитие вычислительной техники, автоматики. Существовавшие десятилетиями методы изготовления аппаратуры из дискретных компонентов стали неприемлемыми, т.к. не могли обеспечить при требуемой сложности высокой надежности и экономичности, малых габаритов и веса. Поэтому дискретные элементы стали заменяться интегральными микросхемами (ИМС). Начало микроэлектроники было положено во второй половине 40-х годов XX века созданием тонкопленочных деталей на основе технологии внесения микропримесей. Первые интегральные схемы были созданы в 1958 году в США независимо друг от друга Д. Килби и Р. Нойсом, а в 1962 году был начат их промышленный выпуск. Одно из главных преимуществ микроэлектроники – значительное увеличение надежности аппаратуры и широкие возможности резервирования, как целых узлов, так и отдельных элементов. Увеличение функциональной сложности и плотности упаковки элементов привело к появлению средних интегральных схем (СИС), больших (БИС) и, наконец, сверхбольших (СБИС), реализующих не отдельные схемные узлы, а целые устройства, скажем,