- •Предисловие
- •1. Простейшие компоненты
- •1.1. Резисторы
- •1.2. Варисторы и негисторы
- •1.3. Терморезисторы
- •1.4. Конденсаторы
- •1.5. Ионисторы
- •1.6. Моточные компоненты
- •1.6.1. Катушки индуктивности и дроссели
- •1.6.2. Трансформаторы и пьезотрансформаторы
- •2. Полупроводники и переходы
- •2.1. Общие сведения об электропроводности веществ
- •2.1.1. Диэлектрики, проводники, сверхпроводники и полупроводники
- •2.1.2. Носители заряда. Проводимости полупроводников: собственная и примесная
- •2.1.3. Диапазоны энергий и распределение носителей заряда в них
- •2.2. Электронно-дырочный переход
- •2.2.1. Получение электронно-дырочного перехода
- •2.2.4. Пробои электронно-дырочных переходов
- •2.3. Переход и диод Шоттки: получение и включения в прямом и обратном направлении
- •2.4. Гетеропереходы
- •2.5. Эффекты полупроводников
- •2.5.1. Эффект Ганна
- •2.5.2. Эффект поля
- •2.5.3. Эффект Суля
- •2.5.4. Эффекты Пельтье и Зеебека
- •2.5.5. Туннельный эффект
- •2.5.6. Эффект Холла
- •3. Полупроводниковые диоды
- •3.1. Конструкция и основные параметры полупроводниковых диодов
- •3.1.1. Общие сведения о полупроводниковых диодах
- •3.1.2. Конструкции и простейшие способы изготовления полупроводниковых диодов
- •3.1.3. Некоторые основные параметры полупроводниковых диодов
- •3.2. Выпрямительные диоды
- •3.3. Импульсные диоды
- •3.4. Варикапы
- •3.5. Стабилитроны и стабисторы
- •3.6. Светодиоды
- •3.7. Полупроводниковые лазеры
- •3.8. Фотодиоды
- •4. Биполярные транзисторы
- •4.1. Общие сведения о транзисторах
- •4.2. Конструкция некоторых биполярных транзисторов
- •4.3. Принцип действия биполярных транзисторов
- •4.4. Схемы включения биполярных транзисторов
- •4.4.1. Схема включения транзистора с общим эмиттером
- •4.4.2. Схема включения транзистора с общим коллектором
- •4.4.3. Схема включения транзистора с общей базой
- •4.5. Биполярные фототранзисторы
- •4.6. Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов
- •4.7. Влияние температуры на режимы работы биполярных транзисторов
- •5. Полевые транзисторы
- •5.1. Общие сведения о полевых транзисторах
- •5.2. Полевые транзисторы с управляющим переходом
- •5.2.1. Конструкция полевых транзисторов с управляющим переходом
- •5.2.2. Принцип действия полевых транзисторов с управляющим переходом
- •5.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •5.3.1. Полевые транзисторы со встроенным каналом
- •5.3.2. Полевые транзисторы с индуцированным каналом
- •5.4. Режимы работы полевых транзисторов
- •5.4.1. Динамический режим работы транзистора
- •5.4.2. Ключевой режим работы транзистора
- •6. Биполярные транзисторы с изолированными затворами
- •6.1. Общие сведения о БТИЗ
- •6.2. Конструкция и принцип действия БТИЗ
- •6.3. Основные параметры БТИЗ
- •7. Тиристоры
- •7.1. Общая информация о тиристорах
- •7.2. Динисторы
- •7.3. Тринисторы
- •7.4. Запираемые тиристоры
- •7.5. Симисторы
- •7.6. Фототиристоры
- •7.7. Основные параметры тиристоров
- •8. Вакуумные и ионные компоненты
- •8.1. Общие сведения об электровакуумных приборах
- •8.2. Электровакуумные диоды
- •8.2.2. Основные параметры и анодная характеристика электровакуумных диодов
- •8.3. Триоды
- •8.3.1. Конструкция и принцип действия триодов
- •8.3.2. Основные характеристики и параметры триодов
- •8.4. Тетроды
- •8.4.1. О тетродах и влиянии экранирующих сеток на их параметры
- •8.4.2. Динатронный эффект
- •8.5. Лучевые тетроды
- •8.6. Пентоды
- •8.7. Лампы бегущей волны
- •8.8. Лампы обратной волны
- •8.10. Магнетроны
- •8.11. Мазеры
- •8.12. Тиратроны
- •8.13. Крайтроны и спрайтроны
- •9. Введение в микроэлектронику
- •9.1. Интегральные микросхемы
- •9.3. Гибридные интегральные микросхемы
- •9.4. Полупроводниковые микросхемы
- •10. Устройства отображения информации
- •10.1. Индикаторы
- •10.1.1. Светодиодные индикаторы
- •10.1.2. Жидкокристаллические индикаторы
- •10.2. Общие сведения об электронно-лучевых трубках
- •10.3. Жидкокристаллические дисплеи и панели
- •10.3.1. Общие сведения о жидкокристаллических дисплеях
- •10.3.2. Электролюминесцентная подсветка жидкокристаллических дисплеев
- •10.3.3. Светодиодная подсветка жидкокристаллических дисплеев
- •10.3.4. Время отклика жидкокристаллических дисплеев и влияние температуры на их работу
- •10.4. Плазменные панели
- •10.5. Органические светодиодные дисплеи
- •10.6. Дисплеи на углеродных нанотрубках
- •10.7. Сенсорные экраны и классификация их типов
- •10.8. Голографические системы
- •11. Аналоговые устройства
- •11.1. Усилители сигналов и их классификация
- •11.2. Основные параметры и характеристики усилителей
- •11.2.1. Основные параметры усилителей
- •11.2.2. Важнейшие характеристики усилителей
- •11.3. Работа простейшего усилителя на различных частотах
- •11.4. Выходные усилительные каскады
- •11.4.1. Однотактный трансформаторный каскад
- •11.4.2. Двухтактный трансформаторный каскад
- •11.4.3. Двухтактный бестрансформаторный каскад
- •11.5. Основные сведения о режимах работы усилителей
- •11.5.1. Проходная динамическая характеристика и общие сведения о классах усиления
- •11.5.2. Режим работы класса A
- •11.5.3. Режим работы класса B
- •11.5.4. Режим работы класса AB
- •11.5.5. Режим работы класса C
- •11.5.6. Режим работы класса D
- •11.6. Сведения об обратных связях и о влиянии, которое они оказывают на работу усилителей
- •11.6.1. Основная информация об обратных связях
- •11.6.2. Влияние обратных связей на коэффициенты усиления каскадов
- •11.7. Автогенераторы
- •11.8. Усилители постоянного тока
- •11.8.1. Усилитель постоянного тока с непосредственными связями
- •11.8.2. Дифференциальный усилитель
- •11.8.3. Операционные усилители
- •11.8.4. Обзор некоторых параметров операционных усилителей
- •Список литературы
- •Предметный указатель
175Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru
|
|
U вых.ук |
|
|
K ос |
|
U вх.ук |
|
. |
|
U вых.ук |
|
||
1 ( |
) |
|
||
|
|
|||
|
|
U вх.ук |
|
|
Зная, что отношение комплексных величин выходного напряжения усилительного каскада к входному напряжению есть не что иное
как коэффициент усиления каскада K , не охваченного обратной связью, перепишем последнее выражение:
K ос |
K |
. |
|
1(K)
Вслучае отрицательной обратной связи знаменатель, именуемый
глубиной, или фактором обратной связи, имеет вид 1 K , а для
положительной обратной связи справедлива запись 1 K , т.е.
отличие лишь в знаке. Отсюда следует, что положительная обратная связь приводит к повышению коэффициента усиления каскада, а отрицательная обратная связь – наоборот, к его понижению. А чем больше фактор обратной связи, тем меньше коэффициент усиления.
11.7. Автогенераторы
Автогенератором называют техническое устройство, которое благодаря обязательному наличию положительной обратной связи формирует незатухающие колебания, потребляя для этой цели энергию от источника питания. В числе обязательных составляющих автогенераторов выступают усилитель, резонансная система и взаимно объединяющая их цепь положительной обратной связи. Она может
176Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru
быть внутренней (например, как в туннельных диодах) или внешней. Автогенераторы могут вырабатывать сигналы различных форм, например, синусоидальной, прямоугольной, треугольной и других. Частоты выходных колебаний различных генераторов сигналов могут лежать в чрезвычайно широких пределах от долей герца до частот, соответствующих световому диапазону.
При включении автогенератора в его колебательном контуре возникают затухающие колебания, связанные с протеканием тока, с различными переходными процессами и прочим. Частоту колебаний в резонансном контуре можно найти по формуле [42, с. 401]:
|
1 |
|
, рад/с, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ск Lк |
||
|
|
|
где Cк – ѐмкость колебательной системы, Ф, а Lк – еѐ индуктивность, Гн.
Благодаря положительной обратной связи, сигнал, поступающий на вход усилительного каскада, приходит в фазе с выходным сигналом, который подводят к колебательной системе. Затем усиленный сигнал с неѐ снова приходит на вход усилителя, и процесс, если будут соблюдены все условия возникновения автоколебаний, будет повторяться до тех пор, пока амплитуда выходного напряжения не перестанет возрастать. Самовозбуждение имеет место при наличии балансов фаз и амплитуд. И, кроме того, при поступлении сигнала с выхода на вход усилительного компонента, при отсутствии флюктуаций амплитуды и фазы генерируемого сигнала.
Некоторые устройства (электронные часы, доплеровские локаторы и другие) предъявляют жѐсткие требования к стабильностям частот генераторов. Для получения заданной стабильности частоты иногда применяют каскады с кварцевыми резонаторами.
В транзисторном автогенераторе Ральфа Хартлея по схеме с общим истоком, между затвором и стоком имеет место ѐмкостная составляющая по переменному току; а между затвором и истоком, а также между стоком и истоком присутствуют индуктивные состав-
177Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru
ляющие. Принципиальная схема индуктивной трѐхточки изображена на рис. 11.10.
Рис. 11.10. Автогенератор Хартлея Выходной сигнал с колебательной системы, образованной первич-
ной обмоткой TV1 и конденсатором C2, через конденсатор C1 поступает на затвор транзистора VT1. Резисторы R1 и R2 обеспечивают необходимое смещение, а компоненты C3 и R3 нужны для термостабилизации автогенератора.
В автогенераторном транзисторном каскаде системы Колпитца между затвором и стоком присутствует индуктивная составляющая; а между затвором и истоком, а также между стоком и истоком имеют место ѐмкостные составляющие. Принципиальная схема ѐмкостной трѐхточки изображена на рис. 11.11.