- •4. ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТНЫЕ УСТРОЙСТВА
- •4.1. Регистры
- •4.1.1. Регистр памяти
- •4.1.2. Регистр сдвига
- •4.1.3. Кольцевой регистр
- •4.1.4. Универсальный регистр
- •4.2. Счетчики
- •4.2.1. Асинхронный двоичный счетчик
- •4.2.2. Синхронный двоичный счетчик
- •4.2.3. Синхронный двоичный реверсивный счетчик
- •4.2.4. Синхронный счетчик с входами прямого и обратного счета
- •4.2.5. Асинхронный двоично-десятичный счетчик
- •4.2.6. Синхронный двоично-десятичный счетчик
- •4.2.7. Счетчики с предварительной параллельной установкой
- •4.2.8. Счетчик с переменным модулем счета
- •4.2.9. Наращивание разрядности счетчиков
- •4.2.10. Кольцевые счетчики
- •4.3. Устройства обработки асинхронного сигнала
- •4.3.1. Схема устранения влияния вибраций механических контактов
- •4.3.2. Синхронизаторы асинхронных сигналов
- •4.3.3. Цифровые мультивибраторы
- •5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
- •5.1. Оперативные запоминающие устройства
- •5.1.1. Принципы построения схем ОЗУ
- •5.1.2. Динамические параметры ОЗУ
- •5.1.3. Увеличение информационной емкости ОЗУ
- •5.2. Постоянные запоминающие устройства
- •5.2.1. Принципы построения схем ПЗУ
- •5.2.2. Программируемые ПЗУ
- •5.3. Флэш-память
- •5.3.1. Общий принцип работы ячейки флэш-памяти
- •5.3.2. Многоуровневые ячейки
- •5.3.3. Доступ к флэш-памяти
- •6. ПРОГРАММИРУЕМЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ (ПЛИС)
- •6.1. Особенности программирования ПЛИС
47 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
5.ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
Память цифровых систем предназначена для хранения данных. Она обычно имеет иерархическую структуру и состоит из нескольких частей различного объема и быстродействия, между которыми распределяются данные в зависимости от частоты их использования. Например, память вычислительных машин подразделяется на внешнюю и внутреннюю. Внешняя память имеет невысокое быстродействие, но большой объем. Она строится обычно с использованием магнитных носителей информации. Внутренняя память является основной и ее быстродействие должно быть как можно более высоким. Она строится чаще всего с использованием полупроводниковых запоминающих устройств - специализированных интегральных схем памяти. В соответствии с выполняемыми функциями внутренняя память делится на оперативные и постоянные запоминающие устройства (ЗУ). Оперативные запоминающие устройства (ОЗУ) позволяют записывать, хранить и считывать произвольные данные. Информация, хранимая в постоянном запоминающем устройстве (ПЗУ), в процессе работы системы не меняется и может только считываться. Интегральные схемы памяти также делятся по своему функциональному назначению на оперативные и постоянные ЗУ.
Количество и разрядность хранимых слов данных определяют информационную организацию памяти. Произведение числа битов слова на количество слов равно информационной емкости - максимальному объему хранимой информации. Интегральные схемы ЗУ имеют различную организацию. Например, ИС с информационной емкостью 1024 бит = 210 бит = 1К могут иметь организацию 1024 слов х 1 бит, 256 слов х 4 бит и т.д. Микросхемы ОЗУ большой емкости (16К - 64К) являются одноразрядными.
Каждое слово данных хранится в отдельной ячейке памяти. По способу обращения к массиву ячеек запоминающие устройства делятся на адресные и ассоциативные. В адресных ЗУ обращение к ячейкам памяти производится по их физическим координатам, задаваемым внешним кодовым словом - адресом. Адресные ЗУ, в которых допустим любой порядок следования адресов, называют запоминающими устройствами с произвольным обращением, или с произвольным доступом (выборкой). ЗУ, в которых обращение к ячейкам памяти возможно только в порядке возрастания или убывания адресов, представляют собой запоминающие устройства с последовательным доступом (примеры таких ЗУ являются регистры сдвига). В ассоциативных ЗУ поиск и выборка информации
48
осуществляется по содержанию произвольного количества разрядов хранимых слов данных.
По способу хранения информации различают статические и динамические ЗУ. Элементы памяти статических ЗУ представляют собой бистабильные ячейки - триггеры. В динамических ЗУ для хранения информации используются конденсаторы (для компенсации утечки заряда конденсаторов выполняется периодическая регенерация состояния элементов памяти).
Виды памяти, различаемые по признаку зависимости сохранения записи при снятии электропитания: энергонезависимая память - ЗУ, записи в которых не стираются при снятии электропитания. К этому типу памяти относятся все виды ПЗУ и ППЗУ (программируемые ПЗУ) и энергозависимая память - ЗУ, записи в которых стираются при снятии электропитания. К этому типу памяти относится ОЗУ.
Полупроводниковые ЗУ отличаются по технологическому исполнению (ЭСЛ, ТТЛ, И2Л, МОП). По уровням входных и выходных сигналов ЗУ совместимы с логическими элементами одной из трех основных систем: ЭСЛ, ТТЛ, КМОП.
ЦИФРОВЫЕ УСТРОЙСТВА И МИКРОПРОЦЕССОРЫ ЧАСТЬ 2