Лабораторная работа № 7.

«Исследование работы полупроводникового диода».

по дисциплине: Электроснабжение с основами электротехники.

Дата проведения:

Выполнил: студент группы ПГС-

Проверил:

201_ год.

Лабораторная работа

«Исследование работы полупроводникового диода».

Цель работы: экспериментально построить прямую и обратную ветви вольт-амперной характеристики (ВАХ) полупроводникового диода.

1. Подготовка к работе.

Рекомендуемая литература: Лачин В.И., Савёлов Н.С. Электроника. – Ростов-на-Дону: «Феникс», 2002; Прянишников В.А. Электроника. Курс лекций. СПб.: «КОРОНА принт», 2000. Сиренький И.В. Электронная техника. СПб.: «Питер», 2000.

Ответить на контрольные вопросы:

1. Почему характеристика обратного тока выпрямительного диода, снятая при комнатной температуре, отличается от идеальной характеристики рп-перехода?

……………………………………………………………………………………………………..

2. Что означает маркировка: КС196А?

……………………………………………………………………………………………………..

2. Описание лабораторной установки:

1) лабораторный стенд,

б) набор необходимых элементов,

в) приборы для измерения напряжений и токов.

Порядок выполнения работы

1. Собрать схему для снятия прямой ветви вольт-амперной характеристики полупроводникового диода (рис. 1):

Рис. 1.

2. Изменяя с помощью потенциометра R1 прямое напряжение на аноде полупроводникового диода, измерить прямой ток, протекающий через полупроводниковый диод и результаты измерений занести в таблицу 1.

Таблица 1.

Uпр, В	0	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,55	0,6	0,65	0,7
Iпр, мА

3. Используя данные таблицы 1 построить на масштабно-координатной бумаге («миллиметровке») прямую ветвь вольт-амперной характеристики полупроводникового диода:

мА I_пр

1,0 U_пр

0 0,1 В

4. Построить к верхней точке прямой ветви ВАХ полупроводникового диода касательную линию до пересечения с осью напряжений и определить примерное значение высоты потенциального барьера pn-перехода полупроводникового диода.

5. Собрать схему для снятия обратной ветви вольт-амперной характеристики полупроводникового диода (рис. 2):

Рис. 2.

6. Изменяя с помощью потенциометра R1 обратное напряжение на аноде полупроводникового диода, измерить обратный ток, протекающий через полупроводниковый диод и результаты измерений занести в таблицу 2.

Таблица 2.

Uобр, В	0	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
Iобр, мкА

7. Используя данные таблицы 2 построить на масштабно-координатной бумаге («миллиметровке») обратную ветвь вольт-амперной характеристики полупроводникового диода:

В 1,0 0

U_обр 1,0

I _обр, мкА

8. Сделать выводы по работе.

Министерство образования и науки Российской Федерации

Чайковский филиал

федерального государственного бюджетного

образовательного учреждения высшего профессионального образования

«Пермский национальный исследовательский политехнический университет»

(ЧФ ПНИПУ)

Кафедра АИИТ