46.Схемы включения

Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями:

• Коэффициент усиления по току I_вых/I_вх.

• Входное сопротивление R_вх=U_вх/I_вх

Схема включения с общей базой

Усилитель с общей базой.

--Среди всех трех конфигураций обладает наименьшим входным и наибольшим выходным сопротивлением. Имеет коэффициент усиления по току, близкий к единице, и большой коэффициент усиления по напряжению. Фаза сигнала не инвертируется.

--Коэффициент усиления по току: I_вых/I_вх=I_к/I_э=α [α<1]

--Входное сопротивление R_вх=U_вх/I_вх=U_бэ/I_э.

Входное сопротивление для схемы с общей базой мало и не превышает 100 Ом для маломощных транзисторов, так как входная цепь транзистора при этом представляет собой открытый эмиттерный переход транзистора.

Достоинства: --Хорошие температурные и частотные свойства. --Высокое допустимое напряжение

Недостатки схемы с общей базой : --Малое усиление по току, так как α < 1 --Малое входное сопротивление

--Два разных источника напряжения для питания.

Схема включения с общим эмиттером

I_вых = I_к I_вх = I_б U_вх = U_бэ U_вых = U_кэ

--Коэффициент усиления по току: I_вых/I_вх=I_к/I_б=I_к/(I_э-I_к) = α/(1-α) = β [β>>1]

--Входное сопротивление: R_вх=U_вх/I_вх=U_бэ/I_б

Достоинства:

--Большой коэффициент усиления по току

--Большой коэффициент усиления по напряжению

--Наибольшее усиление мощности

--Можно обойтись одним источником питания

--Выходное переменное напряжение инвертируется относительно входного.

Недостатки: --Худшие температурные и частотные свойства по сравнению со схемой с общей базой

Схема с общим коллектором

I_вых = I_э I_вх = I_б U_вх = U_бк U_вых = U_кэ

--Коэффициент усиления по току: I_вых/I_вх=I_э/I_б=I_э/(I_э-I_к) = 1/(1-α) = β [β>>1]

--Входное сопротивление: R_вх=U_вх/I_вх=(U_бэ+U_кэ)/I_б

Достоинства: --Большое входное сопротивление

--Малое выходное сопротивление

Недостатки: --Коэффициент усиления по напряжению меньше 1.

Схему с таким включением называют «эмиттерным повторителем»

45. Транзи́стор — радиоэлектронный компонент из полупроводник ового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычно использует ся для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. На принципиальных схемах обозначается "VT" или "Q"

Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт измене ния входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзис торов используется в аналоговой технике ( ТВ, радио, связь и т. п.).

В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника  (логика,  память,  процессоры,  компьют еры, цифровая связь  и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми.

Классификация транзисторо По основному полупроводниковому материалу Помимо основного полупроводникового материала, применяемого обычно в виде монокристалла, транзистор содержит в своей конструкции легирующие добавки к основному материалу, металл выводов, изолирующие элементы, части корпуса (пластико вые или керамические). Иногда употребляются комбинированные наименования, частично описывающие материалы конкретной разновидности (например, «кремний на сапфире» или «Металл-окисел-полупроводник»). Однако основными являются транзисторы:

-- Германиевые ---Кремниевые ---Арсенид-галлиевые